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元器件型号：649 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*电压 - 击穿（v（br）gss）

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）

清除

漏极电流（id） - 最大值

清除

不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*电阻 - rds（开）

清除

*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 649
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BSR56,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 40V 0.25W SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50mA @ 15V
4电阻-rds（开）：25 Ohms
5最大功率 值：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-265
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSR56,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR56,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR56,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSR56,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2SK880GRTE85LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： JFET N-CH 50V 0.1W USM
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：50V
2漏源极电压（vdss）：50V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2.6mA @ 10V
4电阻-rds（开）：13pF @ 10V
5最大功率 值：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70
料号：JTG13-268
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK880GRTE85LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK880GRTE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK880GRTE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK880GRTE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK2145-GR(TE85L,F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 N 沟道（双）
2电压-击穿（v（br）gss）：-
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：2.6mA @ 10V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMV
料号：JTG13-271
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2145-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2145-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2145-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2145-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK2145-Y(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
2电压-击穿（v（br）gss）：2 N-通道（双）
2漏源极电压（vdss）：2 N-通道（双）
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
4电阻-rds（开）：13pF @ 10V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMV
料号：JTG13-274
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2145-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2145-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2145-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2145-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2SK3320-BL(TE85L,F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： JFET DUAL N-CH USV
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：6mA @ 10V
4电阻-rds（开）：13pF @ 10V
5最大功率 值：200mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：USV
料号：JTG13-277
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3320-BL(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3320-BL(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3320-BL(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3320-BL(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MCH5908G-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
2电压-击穿（v（br）gss）：2 N-通道（双）
2漏源极电压（vdss）：2 N-通道（双）
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 5V
4电阻-rds（开）：10.5pF @ 5V
5最大功率 值：300mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：5-SMD，扁平引线
封装：5-MCPH
料号：JTG13-280
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH5908G-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMPFJ175 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： IC JFET P-CH SOT23-3
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：7mA @ 15V
4电阻-rds（开）：125 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236，SC-59，SOT-23-3 变式，3-SMD
封装：SOT-23
料号：JTG13-283
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPFJ175 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPFJ175 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPFJ175 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPFJ175 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMPFJ176 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： IC JFET P-CH SOT23-3
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：2mA @ 15V
4电阻-rds（开）：250 Ohms
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-286
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPFJ176 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPFJ176 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPFJ176 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPFJ176 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PN4391 TRE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：50mA @ 20V
4电阻-rds（开）：30 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG13-289
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4391 TRE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4391 TRE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4391 TRE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4391 TRE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMPF4392 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 50MA SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：25mA @ 20V
4电阻-rds（开）：60 欧姆
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-291
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPF4392 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4392 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4392 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4392 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CMPF4416A TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 35V 10MA SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：35V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 15V
4电阻-rds（开）：4.5pF @ 15V
5最大功率 值：350mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG13-294
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPF4416A TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4416A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4416A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPF4416A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PN4393 TRA
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 0.625W TO92
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：625mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG13-297
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN4393 TRA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4393 TRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4393 TRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN4393 TRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CP206-2N4393-CT20
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： JFET N-CH 40V 1=20PCS
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：40V
2漏源极电压（vdss）：40V
3不同vds时电流-漏极(idss)：5mA @ 20V
4电阻-rds（开）：100 Ohms
5最大功率 值：100 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG13-299
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CP206-2N4393-CT20' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CP206-2N4393-CT20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CP206-2N4393-CT20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CP206-2N4393-CT20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 2SK3372GUL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：20V
3不同vds时电流-漏极(idss)：107µA @ 2V
4电阻-rds（开）：-
5最大功率 值：100mW
6工作温度：-20°C ~ 80°C（TA）
外壳：SOT-723
封装：SSS迷你型3-F2
料号：JTG13-300
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3372GUL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GUL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GUL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3372GUL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SK2593GQL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:125°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：55V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 10V
4电阻-rds（开）：6.5pF @ 10V
5最大功率 值：125mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SS迷你型3-F3
料号：JTG13-303
包装：
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合作现货:0
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型号： DSK9J01P0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：55V
3不同vds时电流-漏极(idss)：1mA @ 10V
4电阻-rds（开）：6pF @ 10V
5最大功率 值：125mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SS迷你型3-F3-B
料号：JTG13-306
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： J111_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 35V 625MW TO92
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度:
1Fet类型1：N 沟道
2电压-击穿（v（br）gss）：35V
2漏源极电压（vdss）：-
3不同vds时电流-漏极(idss)：20mA @ 15V
4电阻-rds（开）：30 欧姆
5最大功率 值：
6工作温度：
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG13-309
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PMBFJ174,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:85 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：P 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：30V
2漏源极电压（vdss）：30V
3不同vds时电流-漏极(idss)：30V
4电阻-rds（开）：85 Ohms
5最大功率 值：300mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG13-311
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ174,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ174,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBFJ174,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBFJ110
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:85 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:460mW *6工作温度:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：25V
2漏源极电压（vdss）：25V
3不同vds时电流-漏极(idss)：10mA @ 15V
4电阻-rds（开）：18 Ohms
5最大功率 值：460mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SUPERSOT-3
料号：JTG13-314
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBFJ110' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBFJ110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK3320-Y(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： JFET DUAL N-CH USV
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:25 Ohms *5最大功率 值:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:50V *2漏源极电压（vdss）:50V *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 个 N 沟道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:- *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:2 N-通道（双） *2电压-击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *2漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *4电阻-rds（开）:10.5pF @ 5V *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:125 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:250 Ohms *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:30 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:60 欧姆 *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:35V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *4电阻-rds（开）:4.5pF @ 15V *5最大功率 值:350mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:625mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:40V *2漏源极电压（vdss）:40V *3不同vds时电流-漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *4电阻-rds（开）:100 Ohms *5最大功率 值:100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:20V *3不同vds时电流-漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:- *5最大功率 值:100mW *6工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6.5pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:125°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:55V *3不同vds时电流-漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *4电阻-rds（开）:6pF @ 10V *5最大功率 值:125mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 沟道 *2电压-击穿（v（br）gss）:35V *2漏源极电压（vdss）:- *3不同vds时电流-漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:30 欧姆 *5最大功率 值: *6工作温度: 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:P 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:30V *2漏源极电压（vdss）:30V *3不同vds时电流-漏极(idss):30V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *4电阻-rds（开）:85 Ohms *5最大功率 值:300mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:25V *2漏源极电压（vdss）:25V *3不同vds时电流-漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4电阻-rds（开）:18 Ohms *5最大功率 值:460mW *6工作温度:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型1:N 通道 *2电压-击穿（v（br）gss）:N 通道 *2漏源极电压（vdss）:N 通道 *3不同vds时电流-漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4电阻-rds（开）:13pF @ 10V *5最大功率 值:200mW *6工作温度:200mW
1Fet类型1：N 通道
2电压-击穿（v（br）gss）：N 通道
2漏源极电压（vdss）：N 通道
3不同vds时电流-漏极(idss)：1.2mA @ 10V
4电阻-rds（开）：13pF @ 10V
5最大功率 值：200mW
6工作温度：200mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：USV
料号：JTG13-317
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3320-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3320-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3320-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3320-Y(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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