晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： NGD8201ANT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 440V 20A 125W DPAK 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-1 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGB8245NT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 490V 20A 150W D2PAK3 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-2 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP28N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W *5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：190W 5开关能量：700µJ（开），2.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-3 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GR120B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 75A 521W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：521W 5开关能量：742µJ（开），427µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-4 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GT120BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 54A 347W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W *5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：54A 4最大功率值：347W 5开关能量：930µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-5 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT27GA90BD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 48A 223W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：223W 5开关能量：413µJ（开），287µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-6 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA20N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 180W TO263 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W *5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：180W 5开关能量：2.85mJ（开），6.47mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-7 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT20GF120BRDG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：200W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-8 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GT120BRDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 54A 347W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W *5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：54A 4最大功率值：347W 5开关能量：930µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-9 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYP50N65C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 130A 600W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.3mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-10 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP30N120B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 60A 300W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：3.47mJ（开），2.16mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-11 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH80N65B4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 160A 625W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：625W 5开关能量：3.77mJ（开），1.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-12 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT33GF120BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 52A 297W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W *5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：52A 4最大功率值：297W 5开关能量：2.8mJ（开），2.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-13 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH60N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：140A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.7mJ（开），1.55mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-14 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT30GT60BRDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 64A 250W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：250W 5开关能量：80µJ（开），605µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-15 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT75GN60LDQ3G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 155A 536W TO264 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：155A 4最大功率值：536W 5开关能量：2500µJ（开），2140µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 [L] 料号：JTG14-16 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH110N65C4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 234A 880W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W *5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：234A 4最大功率值：880W 5开关能量：2.3mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-17 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYA20N120B4HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:3.9mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/200ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：76A 4最大功率值：375W 5开关能量：3.9mJ（开），1.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263HV 料号：JTG14-18 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYA20N120C4HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:3.9mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/200ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):68A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:375W *5开关能量:4.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：68A 4最大功率值：375W 5开关能量：4.4mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263HV 料号：JTG14-19 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH10N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1.7KV 36A TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 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集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:3.9mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/200ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):68A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:4.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 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状态：在售型号： NGD8201ANT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 440V 20A 125W DPAK 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-1 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGB8245NT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 490V 20A 150W D2PAK3 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-2 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP28N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W *5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：190W 5开关能量：700µJ（开），2.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-3 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GR120B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 75A 521W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：521W 5开关能量：742µJ（开），427µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-4 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GT120BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 54A 347W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W *5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：54A 4最大功率值：347W 5开关能量：930µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-5 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT27GA90BD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 48A 223W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：223W 5开关能量：413µJ（开），287µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-6 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA20N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 180W TO263 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W *5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：180W 5开关能量：2.85mJ（开），6.47mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-7 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT20GF120BRDG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：200W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-8 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GT120BRDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 54A 347W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W *5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：54A 4最大功率值：347W 5开关能量：930µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-9 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYP50N65C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 130A 600W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.3mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-10 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP30N120B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 60A 300W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：3.47mJ（开），2.16mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-11 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH80N65B4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 160A 625W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：625W 5开关能量：3.77mJ（开），1.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-12 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT33GF120BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 52A 297W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W *5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：52A 4最大功率值：297W 5开关能量：2.8mJ（开），2.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-13 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH60N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：140A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.7mJ（开），1.55mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-14 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT30GT60BRDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 64A 250W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：250W 5开关能量：80µJ（开），605µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-15 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT75GN60LDQ3G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 155A 536W TO264 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：155A 4最大功率值：536W 5开关能量：2500µJ（开），2140µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 [L] 料号：JTG14-16 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH110N65C4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 234A 880W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W *5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：234A 4最大功率值：880W 5开关能量：2.3mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-17 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYA20N120B4HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:3.9mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/200ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：76A 4最大功率值：375W 5开关能量：3.9mJ（开），1.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263HV 料号：JTG14-18 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYA20N120C4HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:3.9mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/200ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):68A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:375W *5开关能量:4.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：68A 4最大功率值：375W 5开关能量：4.4mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263HV 料号：JTG14-19 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH10N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1.7KV 36A TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4.5V，20A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:-/5µs 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，24A 4最大功率值:190W 5开关能量:700µJ（开），2.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:66nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/300ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，14A 4最大功率值:223W 5开关能量:413µJ（开），287µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:200W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns，93ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，25A 4最大功率值:347W 5开关能量:930µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:3.47mJ（开），2.16mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/127ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.77mJ（开），1.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/120ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:297W 5开关能量:2.8mJ（开），2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.7mJ（开），1.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:107nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/87ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:80µJ（开），605µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2500µJ（开），2140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.3mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/143ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:3.9mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/200ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):68A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:375W 5开关能量:4.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:44nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:280W 5开关能量:1.4mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：280W 5开关能量：1.4mJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-20 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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