晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： STGWT60H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W *5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-201 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW60H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO-247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-202 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 70A 250W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：250W 5开关能量：595µJ（开），716µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-203 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH80N60FDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A 290W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1mJ（开），520µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-204 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA30S120P 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：348W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-205 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT40V60DLF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-206 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH15T120SMD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W *5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：333W 5开关能量：1.15mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-207 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP19NC60S 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：135µJ（开），815µJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-208 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT60H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W *5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-209 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60T65SQD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：333W 5开关能量：227µJ（開），100µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-210 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW35HF60WDI 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO-247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W *5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-211 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA20N120FTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：298W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-212 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL50T65SQD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W *5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：950µJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-213 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40H65DFB-4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：200µJ（开），410µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4L 料号：JTG14-214 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA40T65SHD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W *5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：1.01mJ（开），297µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-215 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB15N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：294W 5开关能量：1.2mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-216 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP19NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-217 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SFTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.13mJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1.13mJ（开），310µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-218 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SMDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.13mJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:1.3mJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：1.3mJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-219 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA60H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT BIPO 650V 60A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.13mJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.3mJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.59mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:66ns/210ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.59mJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-220 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： STGWT60H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W *5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-201 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW60H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO-247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-202 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 70A 250W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：250W 5开关能量：595µJ（开），716µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-203 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH80N60FDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A 290W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1mJ（开），520µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-204 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA30S120P 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：348W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-205 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT40V60DLF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-206 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH15T120SMD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W *5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：333W 5开关能量：1.15mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-207 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP19NC60S 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：135µJ（开），815µJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-208 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT60H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W *5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-209 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60T65SQD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：333W 5开关能量：227µJ（開），100µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-210 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW35HF60WDI 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO-247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W *5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-211 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA20N120FTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：298W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-212 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL50T65SQD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W *5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：950µJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-213 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40H65DFB-4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：200µJ（开），410µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4L 料号：JTG14-214 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA40T65SHD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W *5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：1.01mJ（开），297µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-215 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB15N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：294W 5开关能量：1.2mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-216 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP19NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-217 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SFTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.13mJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1.13mJ（开），310µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-218 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SMDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.13mJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:1.3mJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：1.3mJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-219 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA60H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT BIPO 650V 60A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:595µJ（开），716µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/164ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:348W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:1.15mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/490ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.5ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:333W 5开关能量:227µJ（開），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/102ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:298W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:200µJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A 4最大功率值:294W 5开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/132ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.13mJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.3mJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.59mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:66ns/210ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.59mJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-220 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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