晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： FGH40T65SPD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 80A 267W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W *5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：267W 5开关能量：1.16mJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-221 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T65UPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：1.59mJ（开），580µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-222 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH80N60FD2TU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A 290W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W *5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1mJ（开），520µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-223 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGHL50T65SQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT, 650 V, 50 A FIELD STOP TRE 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：268W 5开关能量：223µJ（开），91，13µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-224 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGW39NC60VD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 250W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：250W 5开关能量：333µJ（开），537µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-225 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH30T65UPDT-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 60A 250W TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：250W 5开关能量：760µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-226 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T70SHD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V FS GEN3 TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W *5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：1.15mJ（开），271µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-227 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT38IH130D 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1300V 63A 250W TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：63A 4最大功率值：250W 5开关能量：3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3P 料号：JTG14-228 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA50N100BNTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1000V 50A 156W TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：156W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-229 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTP12N60C3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 24A TO220-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：104W 5开关能量：380µJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-230 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60B3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 40A 165W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W *5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：165W 5开关能量：475µJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-231 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：463W 5开关能量：280µJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-232 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA50T65SHD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W *5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：319W 5开关能量：1.28mJ（开），384µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-233 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH50T65UPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：340W 5开关能量：2.7mJ（开），740µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-234 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：870µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-235 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB25N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：385W 5开关能量：1.95mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-236 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA30N60LSDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W *5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：480W 5开关能量：1.1mJ（开），21mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-237 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T100SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1000V 80A 333W TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W 5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.35mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:265nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/285ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：333W 5开关能量：2.35mJ（开），1.15mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-238 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB30N135IHRWG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W 5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.35mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:265nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/285ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，30A 4最大功率值:394W *5开关能量:850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：394W 5开关能量：850µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-239 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT60H60DLFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 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集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W 5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.35mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:265nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/285ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，30A 4最大功率值:394W 5开关能量:850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-240 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： FGH40T65SPD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 80A 267W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W *5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：267W 5开关能量：1.16mJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-221 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T65UPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：1.59mJ（开），580µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-222 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH80N60FD2TU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A 290W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W *5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1mJ（开），520µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-223 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGHL50T65SQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT, 650 V, 50 A FIELD STOP TRE 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：268W 5开关能量：223µJ（开），91，13µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-224 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGW39NC60VD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 250W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：250W 5开关能量：333µJ（开），537µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-225 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH30T65UPDT-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 60A 250W TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：250W 5开关能量：760µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-226 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T70SHD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V FS GEN3 TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W *5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：1.15mJ（开），271µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-227 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT38IH130D 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1300V 63A 250W TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：63A 4最大功率值：250W 5开关能量：3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3P 料号：JTG14-228 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA50N100BNTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1000V 50A 156W TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：156W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-229 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTP12N60C3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 24A TO220-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：104W 5开关能量：380µJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-230 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60B3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 40A 165W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W *5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：165W 5开关能量：475µJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-231 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：463W 5开关能量：280µJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-232 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA50T65SHD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W *5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：319W 5开关能量：1.28mJ（开），384µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-233 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH50T65UPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：340W 5开关能量：2.7mJ（开），740µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-234 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：870µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-235 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB25N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：385W 5开关能量：1.95mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-236 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA30N60LSDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W *5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：480W 5开关能量：1.1mJ（开），21mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-237 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T100SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1000V 80A 333W TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W 5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.35mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:265nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/285ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：333W 5开关能量：2.35mJ（开），1.15mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-238 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB30N135IHRWG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W 5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.35mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:265nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/285ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，30A 4最大功率值:394W *5开关能量:850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：394W 5开关能量：850µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-239 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT60H60DLFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/37ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.59mJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:177nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/144ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1mJ（开），520µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/126ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:223µJ（开），91，13µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:22，8ns/70ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:333µJ（开），537µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:760µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A 4最大功率值:268W 5开关能量:1.15mJ（开），271µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:69nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/66ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:156W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:319W 5开关能量:1.28mJ（开），384µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.4ns/73.6ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A 4最大功率值:340W 5开关能量:2.7mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:230nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:385W 5开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:480W 5开关能量:1.1mJ（开），21mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/250ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.35mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:265nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/285ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，30A 4最大功率值:394W 5开关能量:850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-240 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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