晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管- IGBT/UGBT-单

元器件型号：3378 件

当前类别共3378 件相关商品

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： STGW60H65DRF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 420W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W *5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：420W 5开关能量：940µJ（开），1.06mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-241 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGAF40N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 40A TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：100W 5开关能量：470µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-242 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SMD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：920µJ（开），300µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-243 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA35HF60WDI 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 70A 260W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：260W 5开关能量：185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-244 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N120FL3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 160A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：1.6mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-245 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V75A FS4 IGBT TO-247LL 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.86mJ（开），1.13mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-246 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：热销型号： FGH30S130P 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：500W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-247 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V/75A FS4 IGBT TO247 L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：2.12mJ（开），1.14mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-248 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGHL50T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： FS4TIGBT TO247 50A 650V 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W *5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：268W 5开关能量：410µJ（开），88µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-249 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： FGH60N60SFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：378W 5开关能量：1.79mJ（开），670µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-250 包装：	￥10.73	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N135IHRWG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1350V 80A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W *5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：394W 5开关能量：1.3mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-251 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP19NC60H 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-252 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA80H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 469W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-253 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW80V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 469W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 裸露焊盘封装：TO-247 料号：JTG14-254 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW80V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 469W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-255 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT80H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-256 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT80V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 469W TO-3P 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-257 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60A4D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A 463W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：463W 5开关能量：280µJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-258 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA75M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:468W *5开关能量:690µJ（开），2.54mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：468W 5开关能量：690µJ（开），2.54mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-259 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW75M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:468W 5开关能量:690µJ（开），2.54mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:468W 5开关能量:690µJ（开），2.54mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：468W 5开关能量：690µJ（开），2.54mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-260 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

共有3378个记录每页显示20条，本页241-260条 13/169页首页上一页 9 10 11 12 13 14 15 16 17 下一页尾页

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： STGW60H65DRF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 420W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W *5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：420W 5开关能量：940µJ（开），1.06mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-241 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGAF40N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 40A TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：100W 5开关能量：470µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-242 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60SMD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：920µJ（开），300µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-243 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA35HF60WDI 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 70A 260W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：260W 5开关能量：185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-244 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N120FL3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 160A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：1.6mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-245 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V75A FS4 IGBT TO-247LL 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.86mJ（开），1.13mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-246 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：热销型号： FGH30S130P 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：500W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-247 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V/75A FS4 IGBT TO247 L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：2.12mJ（开），1.14mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-248 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGHL50T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： FS4TIGBT TO247 50A 650V 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W *5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：268W 5开关能量：410µJ（开），88µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-249 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： FGH60N60SFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：378W 5开关能量：1.79mJ（开），670µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-250 包装：	￥10.73	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N135IHRWG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1350V 80A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W *5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：394W 5开关能量：1.3mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-251 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP19NC60H 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-252 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA80H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 469W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-253 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW80V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 469W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 裸露焊盘封装：TO-247 料号：JTG14-254 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW80V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 469W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-255 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT80H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-256 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT80V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 469W TO-3P 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-257 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60A4D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A 463W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：463W 5开关能量：280µJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-258 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA75M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:468W *5开关能量:690µJ（开），2.54mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：468W 5开关能量：690µJ（开），2.54mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-259 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW75M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:420W 5开关能量:940µJ（开），1.06mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/178ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:100W 5开关能量:470µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:920µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:260W 5开关能量:185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:2.12mJ（开），1.14mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:410µJ（开），88µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/93ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:394W 5开关能量:1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/250ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:280µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:468W 5开关能量:690µJ（开），2.54mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:468W 5开关能量:690µJ（开），2.54mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：468W 5开关能量：690µJ（开），2.54mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-260 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

今日热搜

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询

今日热搜

系列

制造商统称

制造商统称

类目

*IGBT 类型

*电压 - 集射极击穿（最大值）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

*功率 - 最大值

开关能量

*输入类型

栅极电荷

25°C 时 Td（开/关）值

测试条件

反向恢复时间 (trr)

工作温度

安装类型

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询