晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： NGTB40N120L3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 160A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：1.5mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-261 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW25H120DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：375W 5开关能量：600µJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-262 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB25N120FL3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 100A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W *5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：349W 5开关能量：1mJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-263 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW15H120F2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：259W 5开关能量：380µJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-264 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60B3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 60A 208W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：208W 5开关能量：500µJ（开），680µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-265 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.26mJ（开），450µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-266 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA45HF60WDI 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 310W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W *5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：310W 5开关能量：330µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-267 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA60N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 298W TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：298W 5开关能量：1.81mJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-268 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75N60SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 150A 750W POWER-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W *5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.3mJ（开），770µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：PowerTO-247-3 料号：JTG14-269 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50HF60S 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 110A 284W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：110A 4最大功率值：284W 5开关能量：250µJ（开），4.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-270 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA40M120DF3 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 80A 468W TO-247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W *5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1.03mJ（开），480µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-271 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60T65SHD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：349W 5开关能量：1.69mJ（开），630µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-272 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW60H65F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 360W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W *5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：360W 5开关能量：750µJ (on), 1.05mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-273 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP100N30 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 330V 90A 250W TO220 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：330V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-274 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 298W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W *5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：298W 5开关能量：1.81mJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-275 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：350µJ（开），435µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-276 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 70A 250W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：250W 5开关能量：302µJ（开），349µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-277 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH30S150P 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1500V 60A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.16mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:369nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/492ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：500W 5开关能量：1.16mJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-278 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N120S3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1.2KV 40A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.16mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:369nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/492ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:2.2mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：2.2mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-279 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW80H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 469W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.16mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:369nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/492ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:2.2mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/145ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-280 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： NGTB40N120L3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 160A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：1.5mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-261 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW25H120DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：375W 5开关能量：600µJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-262 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB25N120FL3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 100A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W *5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：349W 5开关能量：1mJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-263 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW15H120F2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：259W 5开关能量：380µJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-264 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60B3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 60A 208W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：208W 5开关能量：500µJ（开），680µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-265 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.26mJ（开），450µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-266 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA45HF60WDI 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 310W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W *5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：310W 5开关能量：330µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-267 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA60N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 298W TO3P 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：298W 5开关能量：1.81mJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-268 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75N60SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 150A 750W POWER-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W *5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.3mJ（开），770µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：PowerTO-247-3 料号：JTG14-269 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50HF60S 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 110A 284W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：110A 4最大功率值：284W 5开关能量：250µJ（开），4.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-270 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA40M120DF3 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 80A 468W TO-247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W *5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1.03mJ（开），480µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-271 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60T65SHD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：349W 5开关能量：1.69mJ（开），630µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-272 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW60H65F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 360W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W *5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：360W 5开关能量：750µJ (on), 1.05mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-273 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP100N30 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 330V 90A 250W TO220 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：330V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-274 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 298W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W *5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：298W 5开关能量：1.81mJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-275 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：350µJ（开），435µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-276 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 70A 250W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W *5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：250W 5开关能量：302µJ（开），349µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-277 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH30S150P 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1500V 60A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.16mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:369nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/492ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：500W 5开关能量：1.16mJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-278 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N120S3WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1.2KV 40A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.16mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:369nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/492ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:2.2mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：2.2mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-279 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW80H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 120A 469W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/150ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:349W 5开关能量:1mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:136nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/109ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A 4最大功率值:259W 5开关能量:380µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:500µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.26mJ（开），450µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:189nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/104ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:310W 5开关能量:330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，75A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.3mJ（开），770µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:248nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/136ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:349W 5开关能量:1.69mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/87ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A 4最大功率值:360W 5开关能量:750µJ (on), 1.05mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:217nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):330V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:1.81mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/130ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:302µJ（开），349µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/168ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.16mJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:369nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/492ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:2.2mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:212nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/145ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-280 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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