晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： FGH60N60UFDTU-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 298W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W *5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：298W 5开关能量：2.47mJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-281 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL60N100BNTD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1000V 60A 180W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：180W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-282 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SQD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 150A 375W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W *5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：375W 5开关能量：760µJ（开），180µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-283 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SFDTU-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：378W 5开关能量：1.97mJ（开），570µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-284 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SMD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 600W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W *5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.59mJ（开），390µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-285 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50HF60SD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 110A 284W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：110A 4最大功率值：284W 5开关能量：250µJ（开），4.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-286 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW30NC60V 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 36A 80W TO3PF 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W *5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：80W 5开关能量：220µJ（开），330µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-287 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SHD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 150A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：2.4mJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-288 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SFTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W *5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：378W 5开关能量：1.79mJ（开），670µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-289 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH12040WD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：428W 5开关能量：4.1mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-290 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG27N120BN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 72A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W *5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：72A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.2mJ（开），2.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-291 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW60H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-292 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SQDTL4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V FS4 TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A *5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：2.1V @ 15V，75A 5开关能量：307µJ（开），266µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247 料号：JTG14-293 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T120SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：2.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-294 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW80V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 79W TO-3PF 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W *5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：79W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-295 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL40N120ANDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 64A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.3mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-296 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 100A 285W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W *5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：285W 5开关能量：365µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-297 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 36A 88W TO3PF 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:88W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：88W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-298 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T120SMD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:88W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W *5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：2.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-299 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGL160N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 160A 250W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:88W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，80A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.5mJ（开），1.76mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:345nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：250W 5开关能量：2.5mJ（开），1.76mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-300 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： FGH60N60UFDTU-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 298W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W *5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：298W 5开关能量：2.47mJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-281 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL60N100BNTD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1000V 60A 180W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：180W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-282 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SQD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 150A 375W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W *5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：375W 5开关能量：760µJ（开），180µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-283 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SFDTU-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：378W 5开关能量：1.97mJ（开），570µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-284 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SMD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 120A 600W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W *5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.59mJ（开），390µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-285 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50HF60SD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 110A 284W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：110A 4最大功率值：284W 5开关能量：250µJ（开），4.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-286 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW30NC60V 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 36A 80W TO3PF 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W *5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：80W 5开关能量：220µJ（开），330µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-287 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SHD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 150A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：2.4mJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-288 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH60N60SFTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W *5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：378W 5开关能量：1.79mJ（开），670µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-289 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH12040WD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：428W 5开关能量：4.1mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-290 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG27N120BN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 72A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W *5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：72A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.2mJ（开），2.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-291 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW60H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 80A 375W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.09mJ（开），626µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-292 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SQDTL4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V FS4 TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A *5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：2.1V @ 15V，75A 5开关能量：307µJ（开），266µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247 料号：JTG14-293 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T120SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：2.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-294 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW80V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 120A 79W TO-3PF 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W *5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：79W 5开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-295 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL40N120ANDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 64A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.3mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-296 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 100A 285W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W *5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：285W 5开关能量：365µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-297 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 36A 88W TO3PF 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:88W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：88W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-298 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T120SMD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:88W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W *5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：2.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-299 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGL160N60UFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 160A 250W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:298W 5开关能量:2.47mJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:192nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/138ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:180W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:300A 4最大功率值:375W 5开关能量:760µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:128nC 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.97mJ（开），570µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:188nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，60A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.59mJ（开），390µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:280nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A 4最大功率值:284W 5开关能量:250µJ（开），4.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:80W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:2.4mJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/80ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A 4最大功率值:378W 5开关能量:1.79mJ（开），670µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/134ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:428W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):72A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):216A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，27A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.2mJ（开），2.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:270nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/195ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.09mJ（开），626µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:2.1V @ 15V，75A 5开关能量:307µJ（开），266µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/276ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A 4最大功率值:79W 5开关能量:1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:448nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:285W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:88W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，80A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.5mJ（开），1.76mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:345nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：250W 5开关能量：2.5mJ（开），1.76mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-300 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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