晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： FGH75T65SHDT-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 150A 455W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W *5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：3mJ（开），750µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-301 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N120ANTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 64A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：417W 5开关能量：2.3mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-302 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA80H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-303 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： NGTB75N65FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：595W 5开关能量：1.5mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-304 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG12N60C3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 24A 104W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W *5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：104W 5开关能量：380µJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-305 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SHDTLN4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： FS3 T TO247 75A 650V 4WL 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：1.06mJ（开），1.56mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4 料号：JTG14-306 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGL50N60RUFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W *5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：250W 5开关能量：1.68mJ（开），1.03mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-307 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL12040WD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：391W 5开关能量：4.1mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-308 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40NC60V 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 260W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W *5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：260W 5开关能量：330µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-309 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA60NC60WDR 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 130A 340W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：340W 5开关能量：743µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-310 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SHDTL4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W *5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：1.06mJ（开），1.56mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247 料号：JTG14-311 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY60T120SQDN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 60A UFS 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：517W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-312 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60B3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 60A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：208W 5开关能量：550µJ（开），680µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-313 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA40H120DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE IGBT TO247 PKG 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1mJ（开），1.32mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-314 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGW40H120DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 40A HS TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W *5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1mJ（开），1.32mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-315 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB50N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 100A 535W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：535W 5开关能量：4.4mJ（开），1.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-316 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG40N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W *5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：625W 5开关能量：400µJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-317 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75T120SQDN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 75A UFS 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W 5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，75A 4最大功率值:790W 5开关能量:6.25mJ（开），1.96mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:399nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/332ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：790W 5开关能量：6.25mJ（开），1.96mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-318 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75T95SQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 950V 75A 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W 5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，75A 4最大功率值:790W 5开关能量:6.25mJ（开），1.96mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:399nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/332ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.11V @ 15V，75A 4最大功率值:434W *5开关能量:8.8mJ（开），3.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:28.8ns/117ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：950V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：434W 5开关能量：8.8mJ（开），3.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-319 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL35N120FTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W 5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，75A 4最大功率值:790W 5开关能量:6.25mJ（开），1.96mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:399nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/332ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.11V @ 15V，75A 4最大功率值:434W 5开关能量:8.8mJ（开），3.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:28.8ns/117ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 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状态：在售型号： FGH75T65SHDT-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 150A 455W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W *5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：3mJ（开），750µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-301 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N120ANTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 64A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：417W 5开关能量：2.3mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-302 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA80H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W *5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：469W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-303 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： NGTB75N65FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：595W 5开关能量：1.5mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-304 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG12N60C3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 24A 104W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W *5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：104W 5开关能量：380µJ（开），900µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-305 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SHDTLN4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： FS3 T TO247 75A 650V 4WL 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：1.06mJ（开），1.56mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4 料号：JTG14-306 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGL50N60RUFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 80A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W *5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：250W 5开关能量：1.68mJ（开），1.03mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-307 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL12040WD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：391W 5开关能量：4.1mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-308 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40NC60V 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 260W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W *5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：260W 5开关能量：330µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-309 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA60NC60WDR 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 130A 340W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：340W 5开关能量：743µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-310 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH75T65SHDTL4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W *5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：455W 5开关能量：1.06mJ（开），1.56mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247 料号：JTG14-311 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY60T120SQDN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 60A UFS 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：517W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-312 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG30N60B3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 60A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：208W 5开关能量：550µJ（开），680µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-313 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA40H120DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE IGBT TO247 PKG 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1mJ（开），1.32mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-314 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGW40H120DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 40A HS TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W *5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1mJ（开），1.32mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-315 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB50N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 100A 535W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：535W 5开关能量：4.4mJ（开），1.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-316 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG40N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W *5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：625W 5开关能量：400µJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-317 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75T120SQDN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 75A UFS 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W 5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，75A 4最大功率值:790W 5开关能量:6.25mJ（开），1.96mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:399nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/332ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：790W 5开关能量：6.25mJ（开），1.96mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-318 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75T95SQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 950V 75A 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W 5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，75A 4最大功率值:790W 5开关能量:6.25mJ（开），1.96mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:399nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/332ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.11V @ 15V，75A 4最大功率值:434W *5开关能量:8.8mJ（开），3.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:28.8ns/117ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：950V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：434W 5开关能量：8.8mJ（开），3.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-319 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL35N120FTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:3mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:123nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/86ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:417W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A 4最大功率值:469W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:310nC 25°C 时 Td（开/关）值:110ns/270ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:104W 5开关能量:380µJ（开），900µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，50A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.68mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/66ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A 4最大功率值:391W 5开关能量:4.1mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:340W 5开关能量:743µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.06mJ（开），1.56mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:126nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，60A 4最大功率值:517W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/296ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:550µJ（开），680µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/137ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:187nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:535W 5开关能量:4.4mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:311nC 25°C 时 Td（开/关）值:118ns/282ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:625W 5开关能量:400µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:350nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/145ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，75A 4最大功率值:790W 5开关能量:6.25mJ（开），1.96mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:399nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/332ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.11V @ 15V，75A 4最大功率值:434W 5开关能量:8.8mJ（开），3.2mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:137nC 25°C 时 Td（开/关）值:28.8ns/117ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，35A 4最大功率值:368W 5开关能量:2.5mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/172ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：368W 5开关能量：2.5mJ（开），1.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-320 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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