晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： AIHD03N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IC DISCRETE 600V TO252-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W *5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：53.6W 5开关能量：50µJ（开），40µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3-313 料号：JTG14-3301 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGS4B60KPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V D2PAK-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：63W 5开关能量：73µJ（开），47µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-3302 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AUIRG4PH50S-205 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W *5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：57A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.8mJ（开），19.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AC 料号：JTG14-3303 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGC14C40LD 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT IGNITION LL 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：模具封装：模具料号：JTG14-3304 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 14A 38W DPAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W *5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：38W 5开关能量：310µJ（开），3.28mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：D-PAK（TO-252AA）料号：JTG14-3305 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AIKW75N60CTE8188XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：428W 5开关能量：2mJ（开），2.5mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3-41 料号：JTG14-3306 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC20SPBFXKMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 19A 60W TO220-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W *5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：19A 4最大功率值：60W 5开关能量：120µJ（开），2.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-3307 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW20N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW20N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：136W 5开关能量：360µJ（开），360µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3308 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW30N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W *5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：188W 5开关能量：590µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3309 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW40N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW40N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：76A 4最大功率值：230.8W 5开关能量：1.05mJ（开），590µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3310 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW50N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW50N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W *5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：273W 5开关能量：1.2mJ（开），850µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3311 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW75N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW75N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：333W 5开关能量：2.17mJ（开），1.23mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3312 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW50N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW50N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W *5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：127W 5开关能量：860µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3313 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW60N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW60N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：77A 4最大功率值：138W 5开关能量：1.23mJ（开），550µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3314 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW75N65EH5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW75N65EH5XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W *5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.8mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3315 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA20IH65DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：159W 5开关能量：110µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-3316 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50H65DFB2-4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W *5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：86A 4最大功率值：272W 5开关能量：629µJ（开），478µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4 料号：JTG14-3317 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW100H65FB2-4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W 5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-3318 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W 5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:167W *5开关能量:270µJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：167W 5开关能量：270µJ（开），310µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 封装：D2PAK-3 料号：JTG14-3319 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A GENX4 XPT TO-247 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W 5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:167W 5开关能量:270µJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：140A 4最大功率值：600W 5开关能量：2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-3320 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： AIHD03N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IC DISCRETE 600V TO252-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W *5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：53.6W 5开关能量：50µJ（开），40µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3-313 料号：JTG14-3301 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGS4B60KPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V D2PAK-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：63W 5开关能量：73µJ（开），47µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-3302 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AUIRG4PH50S-205 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W *5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：57A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.8mJ（开），19.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AC 料号：JTG14-3303 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGC14C40LD 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT IGNITION LL 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：模具封装：模具料号：JTG14-3304 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 14A 38W DPAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W *5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：38W 5开关能量：310µJ（开），3.28mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：D-PAK（TO-252AA）料号：JTG14-3305 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AIKW75N60CTE8188XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：428W 5开关能量：2mJ（开），2.5mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3-41 料号：JTG14-3306 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC20SPBFXKMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 19A 60W TO220-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W *5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：19A 4最大功率值：60W 5开关能量：120µJ（开），2.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-3307 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW20N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW20N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：136W 5开关能量：360µJ（开），360µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3308 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW30N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W *5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：188W 5开关能量：590µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3309 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW40N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW40N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：76A 4最大功率值：230.8W 5开关能量：1.05mJ（开），590µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3310 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW50N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW50N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W *5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：273W 5开关能量：1.2mJ（开），850µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3311 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW75N65ET7XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKW75N65ET7XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：333W 5开关能量：2.17mJ（开），1.23mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-3312 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW50N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW50N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W *5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：127W 5开关能量：860µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3313 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW60N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW60N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：77A 4最大功率值：138W 5开关能量：1.23mJ（开），550µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3314 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW75N65EH5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW75N65EH5XKSA1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W *5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.8mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3315 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA20IH65DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：159W 5开关能量：110µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-3316 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW50H65DFB2-4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W *5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：86A 4最大功率值：272W 5开关能量：629µJ（开），478µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4 料号：JTG14-3317 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW100H65FB2-4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W 5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-3318 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W 5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:167W *5开关能量:270µJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：167W 5开关能量：270µJ（开），310µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 封装：D2PAK-3 料号：JTG14-3319 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A GENX4 XPT TO-247 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，4A 4最大功率值:63W 5开关能量:73µJ（开），47µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):57A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):114A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，33A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.8mJ（开），19.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:251nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/845ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:2.65V @ 4.5V，10A 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，8A 4最大功率值:38W 5开关能量:310µJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15nC 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A 4最大功率值:428W 5开关能量:2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:470nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，20A 4最大功率值:136W 5开关能量:360µJ（开），360µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/210ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:590µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:180nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/245ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，40A 4最大功率值:230.8W 5开关能量:1.05mJ（开），590µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，50A 4最大功率值:273W 5开关能量:1.2mJ（开），850µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:290nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/350ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，75A 4最大功率值:333W 5开关能量:2.17mJ（开），1.23mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:435nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/310ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A 4最大功率值:127W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):77A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:138W 5开关能量:1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/127ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.8mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/206ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:159W 5开关能量:110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A 4最大功率值:272W 5开关能量:629µJ（开），478µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:151nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:167W 5开关能量:270µJ（开），310µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：140A 4最大功率值：600W 5开关能量：2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-3320 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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