晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： IXYT40N120A4HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A GNX4 XPT TO-268HV 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W *5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：140A 4最大功率值：600W 5开关能量：2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268HV 料号：JTG14-3321 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ITF38IF1200HJ 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-3322 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX110N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 110A GNX4 XPT PLUS247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W *5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：375A 4最大功率值：1360W 5开关能量：2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247 (IXYX) 料号：JTG14-3323 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYK110N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 110A GENX4 XPT TO-264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：375A 4最大功率值：1360W 5开关能量：2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXYK）料号：JTG14-3324 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYN110N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W *5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：275A 4最大功率值：830W 5开关能量：2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：SOT-227-4，miniBLOC 封装：SOT-227B 料号：JTG14-3325 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB20H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：147W 5开关能量：265µJ（开），214µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 封装：D2PAK-3 料号：JTG14-3326 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W *5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.86mJ（开），1.13mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-3327 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQDC 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-3328 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGY100T65SPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W *5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：660W 5开关能量：5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-3329 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGY120T65SPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：714W 5开关能量：6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-3330 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHFW40N65R5SXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IHFW40N65R5SXKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W *5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：61A 4最大功率值：108W 5开关能量：1.52mJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3331 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW40N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW40N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：106W 5开关能量：560µJ（开），320µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3332 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW50N65EH5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW50N65EH5XKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W *5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：59A 4最大功率值：124W 5开关能量：1.2mJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3333 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW75N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW75N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.48mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3334 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA30N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO-263AA 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：270µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-3335 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60V3BDPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 35A 113W LDPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：113W 5开关能量：90µJ（开），300µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-3336 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60A85RDPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 30A 113W LDPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W *5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：113W 5开关能量：430µJ（开），300µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-3337 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60V1BDPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 16A 52W LDPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W 5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:17µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：52W 5开关能量：17µJ（开），110µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-3338 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M2DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W 5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:17µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:33.8W *5开关能量:180µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:33nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/70ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：33.8W 5开关能量：180µJ（开），180µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-3339 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M3DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W 5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:17µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:33.8W 5开关能量:180µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:33nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/70ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，17A 4最大功率值:39.7W 5开关能量:290µJ（开），290µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：39.7W 5开关能量：290µJ（开），290µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-3340 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： IXYT40N120A4HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A GNX4 XPT TO-268HV 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W *5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：140A 4最大功率值：600W 5开关能量：2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268HV 料号：JTG14-3321 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ITF38IF1200HJ 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-3322 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX110N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 110A GNX4 XPT PLUS247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W *5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：375A 4最大功率值：1360W 5开关能量：2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247 (IXYX) 料号：JTG14-3323 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYK110N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 110A GENX4 XPT TO-264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：375A 4最大功率值：1360W 5开关能量：2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXYK）料号：JTG14-3324 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYN110N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W *5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：275A 4最大功率值：830W 5开关能量：2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：SOT-227-4，miniBLOC 封装：SOT-227B 料号：JTG14-3325 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB20H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：147W 5开关能量：265µJ（开），214µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 封装：D2PAK-3 料号：JTG14-3326 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W *5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.86mJ（开），1.13mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-3327 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL75T65SQDC 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-3328 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGY100T65SPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W *5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：660W 5开关能量：5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-3329 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGY120T65SPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：714W 5开关能量：6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-3330 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHFW40N65R5SXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IHFW40N65R5SXKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W *5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：61A 4最大功率值：108W 5开关能量：1.52mJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3331 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW40N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW40N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：106W 5开关能量：560µJ（开），320µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3332 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW50N65EH5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW50N65EH5XKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W *5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：59A 4最大功率值：124W 5开关能量：1.2mJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3333 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKFW75N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IKFW75N65ES5XKSA1 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.48mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-HSIP247-3-2 料号：JTG14-3334 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA30N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO-263AA 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：270µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-3335 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60V3BDPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 35A 113W LDPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：113W 5开关能量：90µJ（开），300µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-3336 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60A85RDPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 30A 113W LDPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W *5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：113W 5开关能量：430µJ（开），300µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-3337 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60V1BDPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 16A 52W LDPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W 5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:17µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：52W 5开关能量：17µJ（开），110µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-3338 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M2DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W 5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:17µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:33.8W *5开关能量:180µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:33nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/70ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：33.8W 5开关能量：180µJ（开），180µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-3339 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M3DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):275A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:600W 5开关能量:2.3mJ (on), 3.75mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/204ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:1360W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):275A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):950A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V, 110A 4最大功率值:830W 5开关能量:2.5mJ (on), 8.4mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/550ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.86mJ（开），1.13mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/106ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.68mJ (on), 1.11mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:139nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/107.2ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，100A 4最大功率值:660W 5开关能量:5.1mJ (on), 2.7mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/78ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，120A 4最大功率值:714W 5开关能量:6.6mJ (on), 3.8mJ (off) 输入类型:标准栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):61A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:108W 5开关能量:1.52mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/363ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:106W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:124W 5开关能量:1.2mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/138ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，60A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.48mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:144nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/152ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38ns 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，17A 4最大功率值:113W 5开关能量:90µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:113W 5开关能量:430µJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:56nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/86ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:17µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:33.8W 5开关能量:180µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:33nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/70ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):35A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，17A 4最大功率值:39.7W 5开关能量:290µJ（开），290µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：39.7W 5开关能量：290µJ（开），290µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-3340 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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