晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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	状态：在售型号： AUIRGSL4062D1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 59A 246W TO-262 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W *5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：59A 4最大功率值：246W 5开关能量：532µJ（开），311µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-3361 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： AUIRGS4062D1TRL 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 59A 246W D2PAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：59A 4最大功率值：246W 5开关能量：532µJ（开），311µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-3362 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： IRGS4045DTRRPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 12A 77W D2PAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W *5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：77W 5开关能量：56µJ（开），122µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-3363 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： IRGS4045DTRLPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 12A 77W D2PAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：77W 5开关能量：56µJ（开），122µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-3364 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： IRGP4063D1-EPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 100A 330W TO-247AD 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W *5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：330W 5开关能量：1.4mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-3365 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： SI6435DQ-T1-GE3-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TSSOP8；P—Channel沟道,-20V；-9A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~1V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：SOP8 料号：JTG14-3366 包装： 4000个/	￥3.14	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： MTE09N06E3-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: *5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3367 包装： 1000个/	￥3.84	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： MTP8N06-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3368 包装： 1000个/	￥1.48	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CES2316-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=0.7~2V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: *5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：SOT23 料号：JTG14-3369 包装： 3000个/	￥0.32	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： ST2305A-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：SOT23 料号：JTG14-3370 包装： 3000个/	￥0.32	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： SM2307PSAC-TRG-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: *5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：SOT23 料号：JTG14-3371 包装： 3000个/	￥0.32	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： NTP18N06L-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3372 包装： 1000个/	￥1.48	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： IRF541-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: *5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3373 包装： 1000个/	￥1.48	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： STP12PF06-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3374 包装： 1000个/	￥1.48	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： VBM1680 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: *5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3375 包装： 1000个/	￥1.48	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： IRLZ14PBF-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3376 包装： 1000个/	￥1.48	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： IRFZ24NPBF-VB 品牌： VBsemi/微碧描述： TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):72A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.77V @ 15V，24A 4最大功率值:246W 5开关能量:532µJ（开），311µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/90ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:77W 5开关能量:56µJ（开），122µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):192A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.14V @ 15V，48A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: 5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 制造商统称:VBsemi/微碧制造商统称:VBsemi(微碧半导体) 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型: 2电压-集射极击穿(最大值): 3电流-集电极(Ic)(最大值): 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4最大功率值: *5开关能量: 输入类型: 栅极电荷: 25°C 时 Td（开/关）值: 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型： 2电压-集射极击穿(最大值)： 3电流-集电极(Ic)(最大值)： 4最大功率值： 5开关能量： 6工作温度：	外壳：封装：TO220 料号：JTG14-3377 包装： 1000个/	￥1.48	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
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