晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： HGTG30N60C3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 63A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：63A 4最大功率值：208W 5开关能量：1.05mJ（开），2.5mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-321 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75T95LQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 950V 75A 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：950V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：453W 5开关能量：2mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-322 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY120T65SPD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 240A 882W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W *5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：882W 5开关能量：6.8µJ（开），3.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-323 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY160T65SPD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V FS GEN3 TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：882W 5开关能量：12.4mJ（开），5.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-324 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL50T65SQDC 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V A 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W *5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：238W 5开关能量：131µJ（开），96µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-325 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGY40NC60VD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 260W MAX247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：260W 5开关能量：330µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：MAX247™ 料号：JTG14-326 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY40T120SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 80A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W *5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：882W 5开关能量：2.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-327 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA60V60DWFAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.02mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-328 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGY50NC60WD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 110A 278W MAX247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W *5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：110A 4最大功率值：278W 5开关能量：365µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：MAX247™ 料号：JTG14-329 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL40N120ANTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 64A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.3mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-330 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH50N6S2D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W *5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：463W 5开关能量：260µJ（开），250µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-331 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： HGTG40N60B3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A 290W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：1.05mJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-332 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD03N60RF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W *5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：53.6W 5开关能量：90µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-333 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： TIG058E8-TL-H 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 8ECH 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：400V 4最大功率值：5.6V @ 4V，100A 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：8-SMD，扁平引线封装：8-ECH 料号：JTG14-334 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD3HF60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 7.5A 38W DPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W *5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：7.5A 4最大功率值：38W 5开关能量：19µJ（开），12µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-335 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD15N60RATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 30A TO252-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：250W 5开关能量：370µJ（开），530µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-336 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB05N60R2DT4G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 5A 600V DPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-337 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD03N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6.5A 4最大功率值：53.6W 5开关能量：50µJ（开），40µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-338 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD6M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W *5开关能量:36µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：36µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-339 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:36µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：88W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-340 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： HGTG30N60C3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 63A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：63A 4最大功率值：208W 5开关能量：1.05mJ（开），2.5mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-321 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY75T95LQDT 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 950V 75A 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：950V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：453W 5开关能量：2mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-322 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY120T65SPD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V 240A 882W TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W *5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：882W 5开关能量：6.8µJ（开），3.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-323 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY160T65SPD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V FS GEN3 TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：882W 5开关能量：12.4mJ（开），5.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-324 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL50T65SQDC 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 650V A 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W *5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：238W 5开关能量：131µJ（开），96µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-325 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGY40NC60VD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 260W MAX247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：260W 5开关能量：330µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：MAX247™ 料号：JTG14-326 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGY40T120SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 80A TO-247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W *5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：882W 5开关能量：2.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-327 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA60V60DWFAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：375W 5开关能量：1.02mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-328 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGY50NC60WD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 110A 278W MAX247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W *5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：110A 4最大功率值：278W 5开关能量：365µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：MAX247™ 料号：JTG14-329 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGL40N120ANTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 64A TO264-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.3mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3 料号：JTG14-330 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH50N6S2D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 75A TO247-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W *5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：463W 5开关能量：260µJ（开），250µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-331 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： HGTG40N60B3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A 290W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：1.05mJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-332 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD03N60RF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W *5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：53.6W 5开关能量：90µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-333 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： TIG058E8-TL-H 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 8ECH 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：400V 4最大功率值：5.6V @ 4V，100A 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：8-SMD，扁平引线封装：8-ECH 料号：JTG14-334 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD3HF60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 7.5A 38W DPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W *5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：7.5A 4最大功率值：38W 5开关能量：19µJ（开），12µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-335 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD15N60RATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 30A TO252-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：250W 5开关能量：370µJ（开），530µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-336 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB05N60R2DT4G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 5A 600V DPAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-337 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD03N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6.5A 4最大功率值：53.6W 5开关能量：50µJ（开），40µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-338 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD6M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W *5开关能量:36µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：36µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-339 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):252A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.05mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):950V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.69V @ 15V，75A 4最大功率值:453W 5开关能量:2mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:663.3nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/496ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):378A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，120A 4最大功率值:882W 5开关能量:6.8µJ（开），3.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:162nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/102ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，160A 4最大功率值:882W 5开关能量:12.4mJ（开），5.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:238W 5开关能量:131µJ（开），96µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/94.4ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:260W 5开关能量:330µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:214nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:882W 5开关能量:2.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:370nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/475ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:375W 5开关能量:1.02mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:314nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):110A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:365µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:195nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/240ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.3mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/110ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，30A 4最大功率值:463W 5开关能量:260µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):330A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.05mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:250nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/170ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:90µJ 输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.6V @ 4V，100A 4最大功率值:5.6V @ 4V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:370µJ（开），530µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，2.5A 4最大功率值:53.6W 5开关能量:50µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.1nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:36µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：88W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-340 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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