晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： STGD8NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 62W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W *5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：62W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-341 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60HT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 60W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：60W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-342 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 62W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W *5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：62W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-343 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD6NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-344 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W *5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-345 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V2040D3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 10A TO252AA 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：130W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-346 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD06N60RATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W *5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：100W 5开关能量：110µJ（开），220µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-347 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-348 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD06N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W *5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：100W 5开关能量：90µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-349 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGD18N40ACLBT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 430V 15A 115W DPAK-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：115W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-350 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGD18N45CLBT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 500V 18A DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：115W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-351 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD2736G3-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： ECOSPARK3 IGN-IGBT TO252 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：360V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252，（D-Pak）料号：JTG14-352 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 115W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W *5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：115W 5开关能量：83µJ（开），140µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-353 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD10N60RATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 20A TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：210µJ（开），380µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-354 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3325G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 300V DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：250V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：41A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-355 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3040G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 41A TO252AA 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：41A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-356 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD25N40LZAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： POWER TRANSISTORS 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：435V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-357 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD10N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:190µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/168ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：190µJ（开），160µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-358 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB14NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:190µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/168ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-359 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB8NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 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状态：在售型号： STGD8NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 62W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W *5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：62W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-341 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60HT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 60W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：60W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-342 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 62W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W *5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：62W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-343 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD6NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-344 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W *5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-345 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V2040D3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 10A TO252AA 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：130W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-346 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD06N60RATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W *5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：100W 5开关能量：110µJ（开），220µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-347 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-348 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD06N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W *5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：100W 5开关能量：90µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-349 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGD18N40ACLBT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 430V 15A 115W DPAK-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：115W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-350 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGD18N45CLBT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 500V 18A DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：115W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-351 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD2736G3-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： ECOSPARK3 IGN-IGBT TO252 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：360V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252，（D-Pak）料号：JTG14-352 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 115W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W *5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：115W 5开关能量：83µJ（开），140µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-353 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD10N60RATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 20A TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：210µJ（开），380µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-354 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3325G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 300V DPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：250V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：41A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-355 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3040G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 41A TO252AA 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：41A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-356 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD25N40LZAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： POWER TRANSISTORS 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：435V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-357 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD10N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:190µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/168ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：190µJ（开），160µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-358 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB14NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:190µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/168ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-359 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB8NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 4V，6A 4最大功率值:130W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/3.64µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:110µJ（开），220µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，6A 4最大功率值:100W 5开关能量:90µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/106ns 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4.5V，7A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:420ns/2.9µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):360V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:4µs/15µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:83µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:57nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:210µJ（开），380µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):250V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:800ns/5.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:190µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/168ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：65W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-360 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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