晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： RGT16BM65DTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-361 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB18N40LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 420V 30A 150W D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：420V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-362 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB50N65H5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT PRODUCTS 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W *5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：270W 5开关能量：1.59mJ（开），750µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-363 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD20N45LZAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： POWER TRANSISTORS 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：450V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-364 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTD7N60C3S9A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 14A TO252AA 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W *5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：60W 5开关能量：165µJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-365 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10HF60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 10A DPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：62.5W 5开关能量：45µJ（开），105µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-366 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP10N60TXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 20A 110W TO220-3 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W *5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：110W 5开关能量：430µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-367 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGP02N120XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6.2A 4最大功率值：62W 5开关能量：220µJ 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-368 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD15N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W *5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：250W 5开关能量：270µJ（开），250µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-369 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC20SPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 19A TO220AB 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：19A 4最大功率值：60W 5开关能量：120µJ（开），2.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-370 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 40A 161W TO-263S 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：161W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-371 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB40N65ES5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： 40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：79A 4最大功率值：230W 5开关能量：860µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-372 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB40N65EF5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： 40A 650V TRENCHSTOP5 ULTRA FAST 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W *5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：250W 5开关能量：420µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-373 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB40N65EH5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： 40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGB 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：250W 5开关能量：1.1mJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-374 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M1DPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 16A 52W LDPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W *5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：52W 5开关能量：80µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-375 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60ST4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 18A 60W DPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：60W 5开关能量：60µJ（开），340µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-376 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60SDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 18A 60W DPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W *5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：60W 5开关能量：60µJ（开），340µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-377 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB20N60SF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:370µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：208W 5开关能量：370µJ（开），160µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-378 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB20N60SFD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:370µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.85V @ 15V，20A 4最大功率值:208W *5开关能量:310µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：208W 5开关能量：310µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-379 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:370µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.85V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:310µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-380 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： RGT16BM65DTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-361 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB18N40LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 420V 30A 150W D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：420V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-362 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB50N65H5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT PRODUCTS 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W *5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：270W 5开关能量：1.59mJ（开），750µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-363 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD20N45LZAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： POWER TRANSISTORS 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：450V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-364 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTD7N60C3S9A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 14A TO252AA 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W *5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：60W 5开关能量：165µJ（开），600µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-365 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10HF60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 10A DPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：62.5W 5开关能量：45µJ（开），105µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-366 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP10N60TXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 20A 110W TO220-3 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W *5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：110W 5开关能量：430µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-367 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGP02N120XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6.2A 4最大功率值：62W 5开关能量：220µJ 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-368 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKD15N60RFATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W *5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：250W 5开关能量：270µJ（开），250µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：PG-TO252-3 料号：JTG14-369 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC20SPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 19A TO220AB 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：19A 4最大功率值：60W 5开关能量：120µJ（开），2.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-370 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 40A 161W TO-263S 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：161W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-371 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB40N65ES5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： 40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：79A 4最大功率值：230W 5开关能量：860µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-372 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB40N65EF5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： 40A 650V TRENCHSTOP5 ULTRA FAST 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W *5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：250W 5开关能量：420µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-373 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB40N65EH5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： 40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGB 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：250W 5开关能量：1.1mJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-374 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M1DPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 16A 52W LDPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W *5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：52W 5开关能量：80µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-375 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60ST4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 18A 60W DPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：60W 5开关能量：60µJ（开），340µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-376 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60SDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 18A 60W DPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W *5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：60W 5开关能量：60µJ（开），340µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-377 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB20N60SF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:370µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：208W 5开关能量：370µJ（开），160µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-378 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB20N60SFD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:370µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.85V @ 15V，20A 4最大功率值:208W *5开关能量:310µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：208W 5开关能量：310µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-379 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W D2PAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:21nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/33ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.59mJ（开），750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/173ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:26nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/4.6µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，7A 4最大功率值:60W 5开关能量:165µJ（开），600µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，5A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:45µJ（开），105µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.5ns/87ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6.2A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9.6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，2A 4最大功率值:62W 5开关能量:220µJ 输入类型:标准栅极电荷:11nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:270µJ（开），250µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，10A 4最大功率值:60W 5开关能量:120µJ（开），2.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:40nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/75ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):79A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:860µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:420µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/157ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:52W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:20.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/55ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A 4最大功率值:60W 5开关能量:60µJ（开），340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:370µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.85V @ 15V，20A 4最大功率值:208W 5开关能量:310µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-380 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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