晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： STGB20NB41LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 442V 40A 200W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W *5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：442V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：200W 5开关能量：5mJ（开），12.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-381 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V5036S3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 390V 46A 250W TO263AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：390V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：46A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-382 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGP40N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 74A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W *5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：255W 5开关能量：360µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-383 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB30N60H3ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO263-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.17mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-384 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGP30N60H3XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W *5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.17mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-385 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB20NB37LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 425V 40A 200W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：425V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：200W 5开关能量：11.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-386 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW30N60TPXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W *5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：53A 4最大功率值：200W 5开关能量：710µJ（开），420µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-387 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW20N65R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 40A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：300µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-388 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW15N120R3FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 30A 254W TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W *5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：254W 5开关能量：700µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-389 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB40H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：498µJ（开），363µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-390 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW30N60H3FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W *5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.38mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-391 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGB4056DPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 600V 24A TO220AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：140W 5开关能量：75µJ（开），225µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-392 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGB4620DPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 32A 140W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W *5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：140W 5开关能量：75µJ（开），225µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AC 料号：JTG14-393 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP28N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 28A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：38A 4最大功率值：130W 5开关能量：530µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-394 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW30N65R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W *5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：176W 5开关能量：850µJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-395 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW20N120R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 40A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：288W 5开关能量：750µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-396 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB50N65S5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W *5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：270W 5开关能量：1.23mJ（开），740µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-397 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB40N60SM 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：870µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB（D²PAK）料号：JTG14-398 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW20N135R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1350V 40A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，20A 4最大功率值:288W *5开关能量:950µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：288W 5开关能量：950µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-399 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGP07N120XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 16.5A 125W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:950µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):27A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，8A 4最大功率值:125W 5开关能量:1mJ 输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/440ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16.5A 4最大功率值：125W 5开关能量：1mJ 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-400 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： STGB20NB41LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 442V 40A 200W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W *5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：442V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：200W 5开关能量：5mJ（开），12.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-381 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V5036S3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 390V 46A 250W TO263AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：390V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：46A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-382 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGP40N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 74A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W *5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：255W 5开关能量：360µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-383 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB30N60H3ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO263-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.17mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-384 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGP30N60H3XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W *5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.17mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-385 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB20NB37LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 425V 40A 200W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：425V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：200W 5开关能量：11.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-386 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW30N60TPXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W *5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：53A 4最大功率值：200W 5开关能量：710µJ（开），420µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-387 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW20N65R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 40A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：300µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-388 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW15N120R3FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 30A 254W TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W *5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：254W 5开关能量：700µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-389 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB40H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：498µJ（开），363µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-390 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW30N60H3FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W *5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.38mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-391 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGB4056DPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 600V 24A TO220AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：140W 5开关能量：75µJ（开），225µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-392 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRGB4620DPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 32A 140W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W *5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：140W 5开关能量：75µJ（开），225µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AC 料号：JTG14-393 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP28N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 28A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：38A 4最大功率值：130W 5开关能量：530µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-394 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW30N65R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W *5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：176W 5开关能量：850µJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-395 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW20N120R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 40A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：288W 5开关能量：750µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-396 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB50N65S5ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W *5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：270W 5开关能量：1.23mJ（开），740µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3 料号：JTG14-397 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB40N60SM 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：870µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB（D²PAK）料号：JTG14-398 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW20N135R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1350V 40A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，20A 4最大功率值:288W *5开关能量:950µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：288W 5开关能量：950µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-399 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGP07N120XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 16.5A 125W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):442V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:5mJ（开），12.9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:1µs/12.1µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.17mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/207ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):425V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:11.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:51nC 25°C 时 Td（开/关）值:2.3µs/2µs 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:300µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:97nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/250ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:254W 5开关能量:700µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/300ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:75µJ（开），225µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:25nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，28A 4最大功率值:130W 5开关能量:530µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/184ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:176W 5开关能量:850µJ（开），240µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:153nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/220ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:750µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，50A 4最大功率值:270W 5开关能量:1.23mJ（开），740µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/139ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:870µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1350V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，20A 4最大功率值:288W 5开关能量:950µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):27A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，8A 4最大功率值:125W 5开关能量:1mJ 输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/440ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16.5A 4最大功率值：125W 5开关能量：1mJ 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-400 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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