晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： IKP40N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 74A TO220-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W *5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：255W 5开关能量：360µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-401 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW30N120R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： HOME APPLIANCES 14 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：330W 5开关能量：1.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-402 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AIKB20N60CTATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IC DISCRETE 600V TO263-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W *5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：156W 5开关能量：310µJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3-2 料号：JTG14-403 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW30N60TFKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.46mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-404 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW40N65F5FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 74A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W *5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：255W 5开关能量：360µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-405 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N65H5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：55A 4最大功率值：188W 5开关能量：280µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-406 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC30KD-SPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 28A 100W D2PAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W *5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：100W 5开关能量：600µJ（开），580µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-407 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW25N120E1XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：231W 5开关能量：800µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-408 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N60DTPXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 53A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W *5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：53A 4最大功率值：200W 5开关能量：710µJ（开），420µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-409 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP39N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 39A TO220-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：62A 4最大功率值：188W 5开关能量：800µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-410 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW40N65WR5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W *5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：230W 5开关能量：770µJ（开），160µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-411 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC40FPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 49A 160W TO220AB 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：49A 4最大功率值：160W 5开关能量：370µJ（开），1.81mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-412 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NB37LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 440V 20A 125W D2PAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W *5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：125W 5开关能量：2.4mJ（开），5mJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-413 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGT1S20N60C3S9A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 45A TO263AB 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：164W 5开关能量：295µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-414 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW15T120FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 30A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W *5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：110W 5开关能量：2.7mJ 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-415 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW50N65H5FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：305W 5开关能量：520µJ（开），180µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-416 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N60H3FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W *5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.38mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-417 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW08T120FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 16A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:1.37mJ 输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/450ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：70W 5开关能量：1.37mJ 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-418 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB45N60S2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 45A 600V TO-247 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:1.37mJ 输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-419 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:1.37mJ 输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：62A 4最大功率值：188W 5开关能量：560µJ（开），320µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-420 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： IKP40N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 74A TO220-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W *5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：255W 5开关能量：360µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-401 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW30N120R5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： HOME APPLIANCES 14 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：330W 5开关能量：1.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-402 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AIKB20N60CTATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IC DISCRETE 600V TO263-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W *5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：156W 5开关能量：310µJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3-2 料号：JTG14-403 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW30N60TFKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.46mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-404 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW40N65F5FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 74A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W *5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：74A 4最大功率值：255W 5开关能量：360µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-405 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N65H5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：55A 4最大功率值：188W 5开关能量：280µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-406 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC30KD-SPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 28A 100W D2PAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W *5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：100W 5开关能量：600µJ（开），580µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-407 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IHW25N120E1XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：231W 5开关能量：800µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-408 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N60DTPXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 53A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W *5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：53A 4最大功率值：200W 5开关能量：710µJ（开），420µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-409 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP39N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 39A TO220-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：62A 4最大功率值：188W 5开关能量：800µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-410 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW40N65WR5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W *5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：230W 5开关能量：770µJ（开），160µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-411 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IRG4BC40FPBF 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 49A 160W TO220AB 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：49A 4最大功率值：160W 5开关能量：370µJ（开），1.81mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-412 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NB37LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 440V 20A 125W D2PAK 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W *5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：125W 5开关能量：2.4mJ（开），5mJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-413 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGT1S20N60C3S9A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 45A TO263AB 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：164W 5开关能量：295µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-414 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW15T120FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 30A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W *5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：110W 5开关能量：2.7mJ 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-415 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGW50N65H5FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 80A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：305W 5开关能量：520µJ（开），180µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-416 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N60H3FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 60A 187W TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W *5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：187W 5开关能量：1.38mJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-417 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW08T120FKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 1200V 16A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:1.37mJ 输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/450ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：70W 5开关能量：1.37mJ 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-418 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB45N60S2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 45A 600V TO-247 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:1.37mJ 输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-419 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKW30N65ES5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 参数：制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，30A 4最大功率值:330W 5开关能量:1.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/330ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A 4最大功率值:156W 5开关能量:310µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.46mJ 输入类型:标准栅极电荷:167nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:255W 5开关能量:360µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:280µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，16A 4最大功率值:100W 5开关能量:600µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，25A 4最大功率值:231W 5开关能量:800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:147nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:200W 5开关能量:710µJ（开），420µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:130nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/179ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，39A 4最大功率值:188W 5开关能量:800µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/120ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:230W 5开关能量:770µJ（开），160µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:193nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/432ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):49A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):196A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，27A 4最大功率值:160W 5开关能量:370µJ（开），1.81mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，20A 4最大功率值:164W 5开关能量:295µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:91nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/151ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，15A 4最大功率值:110W 5开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/520ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:305W 5开关能量:520µJ（开），180µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/180ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:187W 5开关能量:1.38mJ 输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/207ns 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:1.37mJ 输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，30A 4最大功率值:188W 5开关能量:560µJ（开），320µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/124ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：62A 4最大功率值：188W 5开关能量：560µJ（开），320µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PG-TO247-3 料号：JTG14-420 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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