晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： NGB8207BNT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：365V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：165W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-501 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXA20I1200PB 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 33A 130W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：38A 4最大功率值：165W 5开关能量：1.65mJ（开），1.7mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-502 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT45GR65B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 650V 92A 357W TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W *5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：92A 4最大功率值：357W 5开关能量：900µJ（开），580µJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-503 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT36GA60B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 65A 290W TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：290W 5开关能量：307µJ（开），254µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-504 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDP20N60BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 32A 140W TO220AB 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W *5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：140W 5开关能量：900µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-505 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH36N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 92A 250W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：92A 4最大功率值：250W 5开关能量：540µJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-506 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP20N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 180W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W *5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：180W 5开关能量：2.85mJ（开），6.47mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-507 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT43GA90B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 78A 337W TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：337W 5开关能量：875µJ（开），425µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-508 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYP20N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 278W TO-220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W *5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：278W 5开关能量：1.3mJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-509 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GR120BD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 75A 521W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：521W 5开关能量：742µJ（开），427µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-510 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH48N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 300W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：410µJ（开），230µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-511 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT40GR120B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 88A 500W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：88A 4最大功率值：500W 5开关能量：1.38mJ（开），906µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-512 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GN120SG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 67A 272W D3PAK 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：67A 4最大功率值：272W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3Pak 料号：JTG14-513 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT43GA90BD30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 78A 337W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：337W 5开关能量：875µJ（开），425µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-514 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GN120BG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 94A 379W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W *5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：94A 4最大功率值：379W 5开关能量：2.315mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-515 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH20N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 180W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：180W 5开关能量：2.85mJ（开），6.47mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-516 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXA37IF1200HJ 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 58A 195W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W *5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：58A 4最大功率值：195W 5开关能量：3.8mJ（开），4.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-517 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH30N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W 5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：270µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-518 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH48N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 300W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W 5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：410µJ（开），230µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-519 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH9N160G 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1600V 9A 100W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W 5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:100W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:34nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：9A 4最大功率值：100W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-520 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： NGB8207BNT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：365V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：165W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-501 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXA20I1200PB 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 33A 130W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：38A 4最大功率值：165W 5开关能量：1.65mJ（开），1.7mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-502 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT45GR65B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 650V 92A 357W TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W *5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：92A 4最大功率值：357W 5开关能量：900µJ（开），580µJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-503 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT36GA60B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 65A 290W TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：290W 5开关能量：307µJ（开），254µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-504 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDP20N60BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 32A 140W TO220AB 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W *5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：140W 5开关能量：900µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-505 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH36N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 92A 250W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：92A 4最大功率值：250W 5开关能量：540µJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-506 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP20N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 180W TO220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W *5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：180W 5开关能量：2.85mJ（开），6.47mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-507 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT43GA90B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 78A 337W TO-247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：337W 5开关能量：875µJ（开），425µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-508 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYP20N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 278W TO-220 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W *5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：278W 5开关能量：1.3mJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-509 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GR120BD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 75A 521W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：521W 5开关能量：742µJ（开），427µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-510 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH48N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 300W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：410µJ（开），230µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-511 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT40GR120B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 88A 500W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：88A 4最大功率值：500W 5开关能量：1.38mJ（开），906µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-512 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GN120SG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 67A 272W D3PAK 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：67A 4最大功率值：272W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3Pak 料号：JTG14-513 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT43GA90BD30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 78A 337W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：337W 5开关能量：875µJ（开），425µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-514 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GN120BG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 94A 379W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W *5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：94A 4最大功率值：379W 5开关能量：2.315mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-515 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH20N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 180W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：180W 5开关能量：2.85mJ（开），6.47mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-516 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXA37IF1200HJ 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 58A 195W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W *5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：58A 4最大功率值：195W 5开关能量：3.8mJ（开），4.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-517 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH30N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO247 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W 5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：270µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-518 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH48N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 300W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W 5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：410µJ（开），230µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-519 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH9N160G 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1600V 9A 100W TO247AD 参数：制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 4V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):38A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:165W 5开关能量:1.65mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:47nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，45A 4最大功率值:357W 5开关能量:900µJ（开），580µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:70nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):92A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:250W 5开关能量:540µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/125ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，25A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/90ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.38mJ（开），906µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):67A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:272W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):129A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:337W 5开关能量:875µJ（开），425µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:180W 5开关能量:2.85mJ（开），6.47mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:50nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/290ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):58A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:195W 5开关能量:3.8mJ（开），4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:106nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:38nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/42ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/60ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:100W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:34nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：9A 4最大功率值：100W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-520 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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