晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： IXYH24N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1.7KV 58A TO247-3 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：58A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.9mJ（开），1.95mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-541 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH100N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 220A 830W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：220A 4最大功率值：830W 5开关能量：1.9mJ（开），2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-542 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXK110N65B4H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 240A 880W TO264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W *5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：880W 5开关能量：2.2mJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXXK）料号：JTG14-543 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH40N120C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 380W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：380W 5开关能量：1.8mJ（开），550µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-544 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N120C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 64A 480W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W *5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：480W 5开关能量：3.9mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-545 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT85GR120B2 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 170A 962W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：962W 5开关能量：6mJ（开），3.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：T-MAX™ 料号：JTG14-546 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH2N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 5.5A 32W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5.5A 4最大功率值：32W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-547 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH75N65C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 170A 750W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-548 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH25N160 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1600V 75A 300W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-549 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH50N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 460W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：460W 5开关能量：2.2mJ（开），630µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-550 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH16N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 40A 250W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-551 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR72N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.03mJ（开），480µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-552 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT16N170A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 16A 150W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W *5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：150W 5开关能量：1.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-553 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT33GF120B2RDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 64A 357W TMAX 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：357W 5开关能量：1.315mJ（开），1.515mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-554 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W *5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：108A 4最大功率值：937W 5开关能量：5.9mJ（开），3.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-555 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR72N60B3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.4mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-556 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH85N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT GENX4 1200V 85A TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W *5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：300A 4最大功率值：1150W 5开关能量：4.9mJ（开），8.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-557 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT2N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W 5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5.5A 4最大功率值：32W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-558 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX140N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 310A 1630W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W 5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):310A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):840A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，140A 4最大功率值:1630W *5开关能量:4.3mJ（开），4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：310A 4最大功率值：1630W 5开关能量：4.3mJ（开），4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-559 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GF120LRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 135A 781W TO264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W 5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):310A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):840A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，140A 4最大功率值:1630W 5开关能量:4.3mJ（开），4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):135A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，50A 4最大功率值:781W 5开关能量:3.6mJ（开），2.64mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：135A 4最大功率值：781W 5开关能量：3.6mJ（开），2.64mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 [L] 料号：JTG14-560 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： IXYH24N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1.7KV 58A TO247-3 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：58A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.9mJ（开），1.95mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-541 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH100N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 220A 830W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：220A 4最大功率值：830W 5开关能量：1.9mJ（开），2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-542 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXK110N65B4H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 240A 880W TO264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W *5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：880W 5开关能量：2.2mJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXXK）料号：JTG14-543 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH40N120C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 380W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：380W 5开关能量：1.8mJ（开），550µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-544 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N120C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 64A 480W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W *5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：480W 5开关能量：3.9mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-545 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT85GR120B2 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 170A 962W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：962W 5开关能量：6mJ（开），3.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：T-MAX™ 料号：JTG14-546 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH2N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 5.5A 32W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5.5A 4最大功率值：32W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-547 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH75N65C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 170A 750W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-548 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH25N160 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1600V 75A 300W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-549 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH50N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 460W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：460W 5开关能量：2.2mJ（开），630µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-550 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH16N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 40A 250W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-551 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR72N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.03mJ（开），480µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-552 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT16N170A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 16A 150W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W *5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：150W 5开关能量：1.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-553 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT33GF120B2RDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 64A 357W TMAX 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：64A 4最大功率值：357W 5开关能量：1.315mJ（开），1.515mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-554 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W *5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：108A 4最大功率值：937W 5开关能量：5.9mJ（开），3.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-555 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR72N60B3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.4mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-556 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH85N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT GENX4 1200V 85A TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W *5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：300A 4最大功率值：1150W 5开关能量：4.9mJ（开），8.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-557 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT2N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W 5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5.5A 4最大功率值：32W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-558 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX140N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 310A 1630W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W 5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):310A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):840A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，140A 4最大功率值:1630W *5开关能量:4.3mJ（开），4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：310A 4最大功率值：1630W 5开关能量：4.3mJ（开），4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-559 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GF120LRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 135A 781W TO264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，20A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.9mJ（开），1.95mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):220A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，70A 4最大功率值:830W 5开关能量:1.9mJ（开），2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):630A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，110A 4最大功率值:880W 5开关能量:2.2mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):340A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，85A 4最大功率值:962W 5开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.7V @ 20V，100A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，40A 4最大功率值:460W 5开关能量:2.2mJ（开），630µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，16A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.03mJ（开），480µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A 4最大功率值:357W 5开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):108A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):255A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，30A 4最大功率值:937W 5开关能量:5.9mJ（开），3.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):450A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.4mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):520A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，85A 4最大功率值:1150W 5开关能量:4.9mJ（开），8.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):13.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，2A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):310A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):840A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，140A 4最大功率值:1630W 5开关能量:4.3mJ（开），4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):135A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，50A 4最大功率值:781W 5开关能量:3.6mJ（开），2.64mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：135A 4最大功率值：781W 5开关能量：3.6mJ（开），2.64mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 [L] 料号：JTG14-560 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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