晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： APT45GP120B2DQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 113A 625W TMAX 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W *5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：113A 4最大功率值：625W 5开关能量：900µJ（开），905µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-561 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT200GN60B2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 283A 682W TO247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：283A 4最大功率值：682W 5开关能量：13mJ（开），11mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-562 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH32N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 75A 350W TO247AD 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W *5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：350W 5开关能量：11mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-563 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT32N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 75A 350W TO268 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：350W 5开关能量：11mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-564 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH8N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 29A TO247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W *5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：29A 4最大功率值：280W 5开关能量：2.6mJ（开），1.07mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-565 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXX200N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 200A PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：340A 4最大功率值：2.1V @ 15V，100A 5开关能量：3mJ（开），1.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-566 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX100N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W *5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：188A 4最大功率值：1150W 5开关能量：6.5mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-567 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYK100N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 188A 1150W TO264 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：188A 4最大功率值：1150W 5开关能量：6.5mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXYK）料号：JTG14-568 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYR100N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W *5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：104A 4最大功率值：484W 5开关能量：6.5mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-569 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH12N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 28A TO247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：310W 5开关能量：3.56mJ（开），1.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-570 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBA16N170AHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： REVERSE CONDUCTING IGBT 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W *5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：150W 5开关能量：2.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263HV 料号：JTG14-571 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX50N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 178A PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：178A 4最大功率值：1500W 5开关能量：8.7mJ（开），5.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-572 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT100GN120B2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 245A 960W TMAX 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W *5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：245A 4最大功率值：960W 5开关能量：11mJ（开），9.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-573 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYB82N120C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：164A 4最大功率值：1040W 5开关能量：4.95mJ（开），2.78mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：PLUS264™ 料号：JTG14-574 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH16N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 35A TO247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.75mJ（开），3.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-575 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH25N250CHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 235A TO-247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：937W 5开关能量：8.3mJ（开），7.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247HV（IXYH）料号：JTG14-576 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYT25N250CHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 235A TO-268HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W *5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：937W 5开关能量：8.3mJ（开），7.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268HV（IXYT）料号：JTG14-577 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGX120N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 240A 830W PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，100A 4最大功率值:830W 5开关能量:10mJ（开），33mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：830W 5开关能量：10mJ（开），33mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-578 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH30N60C3C1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，100A 4最大功率值:830W 5开关能量:10mJ（开），33mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:120µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：120µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-579 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT12N300HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 30A 160W TO268 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，100A 4最大功率值:830W 5开关能量:10mJ（开），33mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:120µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，12A 4最大功率值:160W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：160W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-580 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： APT45GP120B2DQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 113A 625W TMAX 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W *5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：113A 4最大功率值：625W 5开关能量：900µJ（开），905µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-561 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT200GN60B2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 283A 682W TO247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：283A 4最大功率值：682W 5开关能量：13mJ（开），11mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-562 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH32N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 75A 350W TO247AD 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W *5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：350W 5开关能量：11mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-563 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT32N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 75A 350W TO268 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：350W 5开关能量：11mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-564 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH8N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 29A TO247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W *5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：29A 4最大功率值：280W 5开关能量：2.6mJ（开），1.07mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-565 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXX200N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 200A PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：340A 4最大功率值：2.1V @ 15V，100A 5开关能量：3mJ（开），1.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-566 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX100N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W *5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：188A 4最大功率值：1150W 5开关能量：6.5mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-567 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYK100N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 188A 1150W TO264 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：188A 4最大功率值：1150W 5开关能量：6.5mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXYK）料号：JTG14-568 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYR100N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W *5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：104A 4最大功率值：484W 5开关能量：6.5mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-569 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH12N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 28A TO247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：310W 5开关能量：3.56mJ（开），1.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-570 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBA16N170AHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： REVERSE CONDUCTING IGBT 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W *5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：150W 5开关能量：2.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263HV 料号：JTG14-571 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX50N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 178A PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：178A 4最大功率值：1500W 5开关能量：8.7mJ（开），5.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-572 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT100GN120B2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 245A 960W TMAX 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W *5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：245A 4最大功率值：960W 5开关能量：11mJ（开），9.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-573 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYB82N120C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：164A 4最大功率值：1040W 5开关能量：4.95mJ（开），2.78mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：PLUS264™ 料号：JTG14-574 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH16N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 35A TO247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.75mJ（开），3.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-575 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH25N250CHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 235A TO-247HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：937W 5开关能量：8.3mJ（开），7.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247HV（IXYH）料号：JTG14-576 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYT25N250CHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 235A TO-268HV 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W *5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：937W 5开关能量：8.3mJ（开），7.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268HV（IXYT）料号：JTG14-577 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGX120N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 240A 830W PLUS247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，100A 4最大功率值:830W 5开关能量:10mJ（开），33mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：240A 4最大功率值：830W 5开关能量：10mJ（开），33mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-578 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH30N60C3C1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO247 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，100A 4最大功率值:830W 5开关能量:10mJ（开），33mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:120µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：120µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-579 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT12N300HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 30A 160W TO268 参数：系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):113A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A 4最大功率值:625W 5开关能量:900µJ（开），905µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):283A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，200A 4最大功率值:682W 5开关能量:13mJ（开），11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，32A 4最大功率值:350W 5开关能量:11mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):29A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，8A 4最大功率值:280W 5开关能量:2.6mJ（开），1.07mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):340A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):900A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:2.1V @ 15V，100A 5开关能量:3mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):188A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):490A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:1150W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，100A 4最大功率值:484W 5开关能量:6.5mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，12A 4最大功率值:310W 5开关能量:3.56mJ（开），1.7mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):178A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):460A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，50A 4最大功率值:1500W 5开关能量:8.7mJ（开），5.6mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):245A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A 4最大功率值:960W 5开关能量:11mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):164A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，82A 4最大功率值:1040W 5开关能量:4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):126A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，16A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.75mJ（开），3.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，100A 4最大功率值:830W 5开关能量:10mJ（开），33mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:120µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，12A 4最大功率值:160W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：160W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-580 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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