晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管- IGBT/UGBT-单

元器件型号：3378 件

当前类别共3378 件相关商品

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IXYH30N450HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 4500V 30A TO-247HV 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：430W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247HV 料号：JTG14-581 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK100N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT PT 1000V 120A TO-264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-582 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH20N300 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 50A 250W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-583 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX25N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 235A PLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W *5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：937W 5开关能量：8.3mJ（开），7.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-584 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT20N300HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 50A 250W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-585 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MMIX1X200N60B3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 175A 520W SMPD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W *5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：175A 4最大功率值：520W 5开关能量：2.85mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：24-PowerSMD，21 引线封装：24-SMPD 料号：JTG14-586 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX40N250CHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2.5KV 70A TO247HV 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：1500W 5开关能量：11.7mJ（开），6.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247PLUS-HV 料号：JTG14-587 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXLF19N250A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 32A 250W I4PAC 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W *5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：250W 5开关能量：15mJ（开），30mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：i4-Pac™-5（3 引线）封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-588 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT42N300HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 42A 357W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：104A 4最大功率值：500W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-589 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBX75N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：200A 4最大功率值：1040W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-590 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGN200N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：280A 4最大功率值：1250W 5开关能量：28mJ（开），30mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：SOT-227-4，miniBLOC 封装：SOT-227B 料号：JTG14-591 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYL40N250CV1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2.5KV 70A ISOPLUSI5-PAK 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W *5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：577W 5开关能量：11.7mJ（开），6.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 封装：ISOPLUSi5-Pak™ 料号：JTG14-592 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGF25N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：114W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：i4-Pac™-5（3 引线）封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-593 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYF30N450 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 4500V 23A 230W ISOPLUS 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：230W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-594 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：65W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-595 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-596 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF5B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 5A TO220 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：25W 5开关能量：80µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-597 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：133W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-598 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：161W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-599 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT5B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 5A TO220 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W *5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：80µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-600 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

共有3378个记录每页显示20条，本页581-600条 30/169页首页上一页 26 27 28 29 30 31 32 33 34 下一页尾页

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IXYH30N450HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 4500V 30A TO-247HV 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：430W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247HV 料号：JTG14-581 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK100N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT PT 1000V 120A TO-264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-582 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH20N300 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 50A 250W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-583 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX25N250CV1HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 235A PLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W *5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：937W 5开关能量：8.3mJ（开），7.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-584 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT20N300HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 50A 250W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-585 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MMIX1X200N60B3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 175A 520W SMPD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W *5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：175A 4最大功率值：520W 5开关能量：2.85mJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：24-PowerSMD，21 引线封装：24-SMPD 料号：JTG14-586 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYX40N250CHV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2.5KV 70A TO247HV 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：1500W 5开关能量：11.7mJ（开），6.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247PLUS-HV 料号：JTG14-587 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXLF19N250A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 32A 250W I4PAC 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W *5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：250W 5开关能量：15mJ（开），30mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：i4-Pac™-5（3 引线）封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-588 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT42N300HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 42A 357W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：104A 4最大功率值：500W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-589 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBX75N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：200A 4最大功率值：1040W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：PLUS247™-3 料号：JTG14-590 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGN200N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：280A 4最大功率值：1250W 5开关能量：28mJ（开），30mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：SOT-227-4，miniBLOC 封装：SOT-227B 料号：JTG14-591 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYL40N250CV1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2.5KV 70A ISOPLUSI5-PAK 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W *5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：577W 5开关能量：11.7mJ（开），6.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 封装：ISOPLUSi5-Pak™ 料号：JTG14-592 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGF25N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：114W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：i4-Pac™-5（3 引线）封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-593 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYF30N450 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 4500V 23A 230W ISOPLUS 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：230W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-594 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：65W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-595 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-596 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF5B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 5A TO220 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：25W 5开关能量：80µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-597 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：133W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-598 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：161W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-599 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT5B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 5A TO220 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:430W 5开关能量:- 输入类型:标准系列: 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):235A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，25A 4最大功率值:937W 5开关能量:8.3mJ（开），7.3mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):175A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，100A 4最大功率值:520W 5开关能量:2.85mJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):380A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:1500W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，19A 4最大功率值:250W 5开关能量:15mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):104A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，42A 4最大功率值:500W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):580A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，75A 4最大功率值:1040W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1050A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，100A 4最大功率值:1250W 5开关能量:28mJ（开），30mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:11.7mJ（开），6.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5.2V @ 15V，75A 4最大功率值:114W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):190A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W *5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：80µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-600 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

今日热搜

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询

今日热搜

系列

制造商统称

制造商统称

类目

*IGBT 类型

*电压 - 集射极击穿（最大值）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

*功率 - 最大值

开关能量

*输入类型

栅极电荷

25°C 时 Td（开/关）值

测试条件

反向恢复时间 (trr)

工作温度

安装类型

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询