晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： RGT50NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：194W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-601 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF10B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：30W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-602 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT10B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W *5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-603 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT10B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-604 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：16W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-605 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF10B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：30W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-606 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：65W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-607 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT10B60D 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 20A 163W TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：163W 5开关能量：260µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-608 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF15B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 15A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W *5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：36W 5开关能量：290µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-609 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT15B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 15A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：214W 5开关能量：290µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-610 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF20B65LN2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： 650V, 20A ALPHAIGBT TM WITH SOFT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W *5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：45W 5开关能量：450µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220F 料号：JTG14-611 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：9A 4最大功率值：22W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-612 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-613 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH40TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 40A 144W TO-247N 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：144W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-614 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF20B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 20A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W *5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：45W 5开关能量：470µJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-615 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT15B60D 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 30A 167W TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：167W 5开关能量：420µJ（开），110µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-616 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTS40B65H1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.27mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-617 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF20B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 20A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：45W 5开关能量：580µJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-618 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:32W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：32W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-619 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 40A 144W TO-247N 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：144W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-620 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： RGT50NL65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：194W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-601 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF10B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：30W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-602 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT10B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W *5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-603 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT10B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-604 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：16W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-605 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF10B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 10A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：30W 5开关能量：180µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-606 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：65W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-607 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT10B60D 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 20A 163W TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：163W 5开关能量：260µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-608 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF15B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 15A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W *5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：36W 5开关能量：290µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-609 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT15B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 15A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：214W 5开关能量：290µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-610 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF20B65LN2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： 650V, 20A ALPHAIGBT TM WITH SOFT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W *5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：45W 5开关能量：450µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220F 料号：JTG14-611 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：9A 4最大功率值：22W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-612 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-613 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH40TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 40A 144W TO-247N 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：144W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-614 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF20B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 20A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W *5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：45W 5开关能量：470µJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-615 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOT15B60D 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 30A 167W TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：167W 5开关能量：420µJ（开），110µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-616 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTS40B65H1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.27mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-617 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOTF20B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 20A TO220 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：45W 5开关能量：580µJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-618 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:32W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：32W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-619 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 40A 144W TO-247N 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:16W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:180µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，10A 4最大功率值:163W 5开关能量:260µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:36W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:450µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:22W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:470µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，15A 4最大功率值:167W 5开关能量:420µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:45W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:32W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:144W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：144W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-620 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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