晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： AOKS30B60D1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 30A TO247 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：208W 5开关能量：1.1mJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-621 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT50TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：47W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-622 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 50A 174W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：174W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-623 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：17A 4最大功率值：39W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-624 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：161W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-625 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH60TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 58A 197W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：58A 4最大功率值：197W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-626 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT50NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：194W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-627 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 50A 174W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：174W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-628 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TS60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W *5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：111W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-629 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH80TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：234W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-630 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TS60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W *5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-631 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT80TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 70A 234W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：234W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-632 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH00TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 85A 277W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：85A 4最大功率值：277W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-633 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TS60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：111W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-634 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TK60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W *5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：54W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-635 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：178W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-636 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：194W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-637 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TS60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-638 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH40TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：56W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-639 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TK60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：57W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-640 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： AOKS30B60D1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 30A TO247 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W *5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：208W 5开关能量：1.1mJ（开），240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-621 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT50TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：47W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-622 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 50A 174W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：174W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-623 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40TM65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：17A 4最大功率值：39W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220NFM 料号：JTG14-624 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT40NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：161W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-625 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH60TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 58A 197W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：58A 4最大功率值：197W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-626 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT50NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：194W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-627 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 50A 174W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：174W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-628 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TS60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W *5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：111W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-629 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH80TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：234W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-630 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TS60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W *5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-631 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT80TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 70A 234W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：234W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-632 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH00TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 85A 277W TO-247N 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：85A 4最大功率值：277W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-633 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TS60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：111W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-634 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TK60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W *5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：54W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-635 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：178W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-636 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：194W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-637 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TS60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：148W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-638 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH40TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：56W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-639 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TK60GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:208W 5开关能量:1.1mJ（开），240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:47W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:39W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:161W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):58A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:197W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:194W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:174W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:234W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:111W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:148W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：57W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-640 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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