晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： RGW80TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W *5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：214W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-641 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TK60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：54W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-642 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26A 4最大功率值：59W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-643 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT00TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：85A 4最大功率值：277W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-644 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH60TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：61W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-645 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：72W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-646 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：76W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-647 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：178W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-648 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH40TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：56W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-649 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TK60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：57W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-650 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW00TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W *5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：96A 4最大功率值：254W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-651 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：276W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-652 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26A 4最大功率值：59W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-653 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH80TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：31A 4最大功率值：66W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-654 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：194W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-655 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW80TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：39A 4最大功率值：81W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-656 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW80TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W *5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：214W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-657 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS60TS65HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：223W 5开关能量：660µJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-658 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH60TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：61W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-659 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： DGTD65T15H2TF 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： IGBT600V-XITO-220AB 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:DIODES/美台制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:48W 5开关能量:270µJ（开），86µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：48W 5开关能量：270µJ（开），86µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片封装：ITO-220AB 料号：JTG14-660 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： RGW80TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W *5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：214W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-641 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL60TK60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：54W 5开关能量：770µJ（开），1.11mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-642 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26A 4最大功率值：59W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-643 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT00TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：85A 4最大功率值：277W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-644 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH60TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：61W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-645 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：72W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-646 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：76W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-647 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：178W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-648 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH40TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：56W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-649 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGCL80TK60DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：57W 5开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-650 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW00TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W *5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：96A 4最大功率值：254W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-651 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：276W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-652 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH50TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26A 4最大功率值：59W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-653 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH80TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：31A 4最大功率值：66W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-654 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：194W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-655 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW80TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：39A 4最大功率值：81W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-656 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW80TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W *5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：214W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-657 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS60TS65HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：223W 5开关能量：660µJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-658 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH60TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：28A 4最大功率值：61W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-659 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： DGTD65T15H2TF 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： IGBT600V-XITO-220AB 参数：系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A 4最大功率值:54W 5开关能量:770µJ（开），1.11mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:277W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:178W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:56W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:57W 5开关能量:1.11mJ（开），1.68mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:59W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:194W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:214W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):28A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:61W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:DIODES/美台制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:48W 5开关能量:270µJ（开），86µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：48W 5开关能量：270µJ（开），86µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片封装：ITO-220AB 料号：JTG14-660 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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