晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： RJH60A83RDPN-E0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 20A TO-220AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-661 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M1DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 16A 30W TO-220FL 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：30W 5开关能量：80µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-662 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60D0DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 45A 35W TO-220FL 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：35W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-663 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60V0DPM-00#T1 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：40W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-664 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP6085DPK-00#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：178.5W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-665 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60F4DPM-00#T1 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：41.2W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-666 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60D7BDPQ-E0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 90A 300W TO-247 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W *5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：300W 5开关能量：700µJ（开），1.4mJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-667 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH1CV7DPK-00#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 1200V 70A 320W TO-3P 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：320W 5开关能量：3.2mJ（开），2.5mJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-668 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SLA5227 品牌： Sanken Sanken 描述： IGBT 600V 30A PFC 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：12-SIP 封装：12-SIP（带鳍片）料号：JTG14-669 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60D7DPQ-E0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 90A 300W TO-247 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.1mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-670 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SLA5222 品牌： Sanken Sanken 描述： IGBT 600V 30A PFC 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：12-SIP 封装：12-SIP（带鳍片）料号：JTG14-671 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB6NC60HT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W D2PAK 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-672 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W *5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：88W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-673 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP7H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 88W TO-220AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：88W 5开关能量：99µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-674 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGT1S10N120BNST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W *5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：298W 5开关能量：320µJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-675 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTG15N60S1EG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 600V 30A TO220 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：117W 5开关能量：550µJ（开），350µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-676 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP10M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 10A TO-220AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W *5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：115W 5开关能量：120µJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-677 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGP5N60LS 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 12V，14A 4最大功率值:83W 5开关能量:38µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：38µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-678 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP20H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO220 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 12V，14A 4最大功率值:83W 5开关能量:38µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W *5开关能量:209µJ（开），261µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：209µJ（开），261µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-679 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB15N60S1EG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 30A 117W TO220-3 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 12V，14A 4最大功率值:83W 5开关能量:38µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:209µJ（开），261µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：117W 5开关能量：550µJ（开），350µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-680 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： RJH60A83RDPN-E0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 20A TO-220AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-661 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60M1DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 16A 30W TO-220FL 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：30W 5开关能量：80µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-662 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60D0DPP-M0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 45A 35W TO-220FL 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：35W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FL 料号：JTG14-663 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60V0DPM-00#T1 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：40W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-664 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP6085DPK-00#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：178.5W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-665 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60F4DPM-00#T1 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：41.2W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-666 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60D7BDPQ-E0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 90A 300W TO-247 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W *5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：300W 5开关能量：700µJ（开），1.4mJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-667 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH1CV7DPK-00#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 1200V 70A 320W TO-3P 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：320W 5开关能量：3.2mJ（开），2.5mJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-668 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SLA5227 品牌： Sanken Sanken 描述： IGBT 600V 30A PFC 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：12-SIP 封装：12-SIP（带鳍片）料号：JTG14-669 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60D7DPQ-E0#T2 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 90A 300W TO-247 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.1mJ（开），600µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-670 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SLA5222 品牌： Sanken Sanken 描述： IGBT 600V 30A PFC 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：12-SIP 封装：12-SIP（带鳍片）料号：JTG14-671 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB6NC60HT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W D2PAK 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-672 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W *5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：88W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-673 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP7H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 88W TO-220AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：88W 5开关能量：99µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-674 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGT1S10N120BNST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W *5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：298W 5开关能量：320µJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-675 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTG15N60S1EG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 600V 30A TO220 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：117W 5开关能量：550µJ（开），350µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-676 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP10M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 10A TO-220AB 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W *5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：115W 5开关能量：120µJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-677 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGP5N60LS 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 12V，14A 4最大功率值:83W 5开关能量:38µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：38µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-678 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP20H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO220 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 12V，14A 4最大功率值:83W 5开关能量:38µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W *5开关能量:209µJ（开），261µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：209µJ（开），261µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-679 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB15N60S1EG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 30A 117W TO220-3 参数：系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，8A 4最大功率值:30W 5开关能量:80µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:35W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，22A 4最大功率值:40W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，40A 4最大功率值:178.5W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.82V @ 15V，30A 4最大功率值:41.2W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:700µJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，35A 4最大功率值:320W 5开关能量:3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.1mJ（开），600µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定制造商统称:Sanken 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:88W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:88W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A 4最大功率值:298W 5开关能量:320µJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A 4最大功率值:115W 5开关能量:120µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 12V，14A 4最大功率值:83W 5开关能量:38µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:209µJ（开），261µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，15A 4最大功率值:117W 5开关能量:550µJ（开），350µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：117W 5开关能量：550µJ（开），350µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-680 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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