晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： STGP19NC60SD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W *5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：135µJ（开），815µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-701 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGPF15N60UNDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 30A 42W TO-220F 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：42W 5开关能量：370µJ（开），67µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220F 料号：JTG14-702 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 16A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W *5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：32W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-703 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：38W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-704 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO220AB 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W *5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-705 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 52W TO3PF 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：52W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-706 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA20HP65FB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W *5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：147W 5开关能量：214µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-707 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGF19NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 16A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：32W 5开关能量：165µJ（开），255µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-708 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGP19NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 35A 125W TO220 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W *5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：125W 5开关能量：165µJ（开），255µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-709 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGP3440G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： ECOSPARK 2 IGNITION IGBT 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26.9A 4最大功率值：166W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-710 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF19NC60WD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：32W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-711 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGP10N60RUFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 16A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：75W 5开关能量：141µJ（开），215µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-712 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP30V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 258W TO220AB 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W *5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-713 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP30H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO220 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：350µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-714 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW30H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 60A 58W TO3PF 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W *5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：58W 5开关能量：151µJ（开），293µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PF-3 料号：JTG14-715 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF20NB60S 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 24A 40W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：40W 5开关能量：840µJ（开），7.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-716 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF20M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W *5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：32.6W 5开关能量：140µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-717 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF17NC60SD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 17A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W 5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：17A 4最大功率值：32W 5开关能量：135µJ（开），815µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-718 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA20H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W 5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W *5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：147W 5开关能量：265µJ（开），214µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-719 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW20H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO247 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W 5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:209µJ（开），261µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：209µJ（开），261µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-720 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： STGP19NC60SD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W *5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：135µJ（开），815µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-701 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGPF15N60UNDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 30A 42W TO-220F 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：42W 5开关能量：370µJ（开），67µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220F 料号：JTG14-702 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 16A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W *5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：32W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-703 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：38W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-704 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO220AB 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W *5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-705 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 52W TO3PF 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：52W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-706 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA20HP65FB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W *5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：147W 5开关能量：214µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-707 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGF19NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 16A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：32W 5开关能量：165µJ（开），255µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-708 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGP19NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 35A 125W TO220 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W *5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：125W 5开关能量：165µJ（开），255µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-709 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGP3440G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： ECOSPARK 2 IGNITION IGBT 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26.9A 4最大功率值：166W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-710 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF19NC60WD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：32W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-711 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： SGP10N60RUFDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 16A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：75W 5开关能量：141µJ（开），215µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-712 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP30V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 258W TO220AB 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W *5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-713 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP30H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO220 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：350µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-714 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW30H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 60A 58W TO3PF 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W *5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：58W 5开关能量：151µJ（开），293µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PF-3 料号：JTG14-715 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF20NB60S 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 24A 40W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：24A 4最大功率值：40W 5开关能量：840µJ（开），7.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-716 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF20M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W *5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：32.6W 5开关能量：140µJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-717 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF17NC60SD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 17A 32W TO220FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W 5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：17A 4最大功率值：32W 5开关能量：135µJ（开），815µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-718 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA20H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W 5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W *5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：147W 5开关能量：265µJ（开），214µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-719 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW20H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO247 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:42W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:38W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:214µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):14A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A 4最大功率值:75W 5开关能量:141µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:350µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:58W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:840µJ（开），7.4mJ（关）输入类型:标准系列:M 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:32.6W 5开关能量:140µJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，12A 4最大功率值:32W 5开关能量:135µJ（开），815µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A 4最大功率值:147W 5开关能量:265µJ（开），214µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:209µJ（开），261µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：209µJ（开），261µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-720 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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