晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管- IGBT/UGBT-单

元器件型号：3378 件

当前类别共3378 件相关商品

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： NGTB40N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W *5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：535W 5开关能量：3.4mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-761 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL40T65SPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： FS3 T TO247 40A 650V AUTO 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：267W 5开关能量：1.16mJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-762 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N120FL2WAG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W *5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：536W 5开关能量：1.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4L 料号：JTG14-763 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N65FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：366W 5开关能量：970µJ（开），440µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-764 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH25T120SMD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 50A 428W TO247-3 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W *5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：428W 5开关能量：1.74mJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-765 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA100H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：145A 4最大功率值：441W 5开关能量：2.2mJ（开），1.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-766 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW25M120DF3 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 50A 375W 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W *5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：375W 5开关能量：850µJ（开），1.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-767 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW25H120F2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：375W 5开关能量：600µJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-768 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A TO247-3 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W *5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：105µJ（开），150µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-769 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA30N120FTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 60A 339W TO3P 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：339W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-770 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T120SQDNL4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 40A UFS FOR SO 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：1.4mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4L 料号：JTG14-771 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTG40N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 40A TO-247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：535W 5开关能量：3.4mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-772 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB30N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W *5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：452W 5开关能量：2.6mJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-773 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40H120F2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 40A HS TO-247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1mJ（开），1.32mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-774 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB60N65FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W *5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：595W 5开关能量：1.59mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-775 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： TIG065E8-TL-H 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 150A ECH8 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：400V 4最大功率值：7V @ 2.5V，100A 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：8-SMD，扁平引线封装：8-ECH 料号：JTG14-776 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB03N60R2DT4G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 9A 600V DPAK 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W *5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：9A 4最大功率值：49W 5开关能量：50µJ（开），27µJ（关） 6工作温度：175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-777 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB15N60TATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W 5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：130W 5开关能量：570µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3-2 料号：JTG14-778 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3N60UNDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 6A 60W DPAK 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W 5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.52V @ 15V，3A 4最大功率值:60W *5开关能量:52µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：60W 5开关能量：52µJ（开），30µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252，（D-Pak）料号：JTG14-779 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3N60LSDTM 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 6A 40W DPAK 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W 5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.52V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:52µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 10V，3A 4最大功率值:40W 5开关能量:250µJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：40W 5开关能量：250µJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：D-Pak 料号：JTG14-780 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

共有3378个记录每页显示20条，本页761-780条 39/169页首页上一页 35 36 37 38 39 40 41 42 43 下一页尾页

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： NGTB40N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W *5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：535W 5开关能量：3.4mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-761 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL40T65SPD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： FS3 T TO247 40A 650V AUTO 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：267W 5开关能量：1.16mJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-762 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N120FL2WAG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W *5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：536W 5开关能量：1.7mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4L 料号：JTG14-763 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB40N65FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：366W 5开关能量：970µJ（开），440µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-764 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH25T120SMD-F155 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 50A 428W TO247-3 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W *5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：428W 5开关能量：1.74mJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-765 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA100H65DFB2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：145A 4最大功率值：441W 5开关能量：2.2mJ（开），1.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-766 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW25M120DF3 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 50A 375W 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W *5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：375W 5开关能量：850µJ（开），1.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-767 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW25H120F2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：375W 5开关能量：600µJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-768 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A TO247-3 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W *5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：105µJ（开），150µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-769 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA30N120FTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 60A 339W TO3P 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：339W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-770 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40T120SQDNL4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 40A UFS FOR SO 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W *5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：454W 5开关能量：1.4mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-4 封装：TO-247-4L 料号：JTG14-771 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTG40N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 40A TO-247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：535W 5开关能量：3.4mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-772 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB30N120FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W *5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：452W 5开关能量：2.6mJ（开），700µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-773 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40H120F2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 40A HS TO-247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：468W 5开关能量：1mJ（开），1.32mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-774 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB60N65FL2WG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W *5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：595W 5开关能量：1.59mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-775 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： TIG065E8-TL-H 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 150A ECH8 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：400V 4最大功率值：7V @ 2.5V，100A 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：8-SMD，扁平引线封装：8-ECH 料号：JTG14-776 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB03N60R2DT4G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 9A 600V DPAK 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W *5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：9A 4最大功率值：49W 5开关能量：50µJ（开），27µJ（关） 6工作温度：175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-777 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IGB15N60TATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W 5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：130W 5开关能量：570µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263-3-2 料号：JTG14-778 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3N60UNDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 6A 60W DPAK 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W 5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.52V @ 15V，3A 4最大功率值:60W *5开关能量:52µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：60W 5开关能量：52µJ（开），30µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252，（D-Pak）料号：JTG14-779 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3N60LSDTM 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 6A 40W DPAK 参数：系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:536W 5开关能量:1.7mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:366W 5开关能量:970µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:428W 5开关能量:1.74mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:HB2 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，100A 4最大功率值:441W 5开关能量:2.2mJ（开），1.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:850µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A 4最大功率值:375W 5开关能量:600µJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:339W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，40A 4最大功率值:454W 5开关能量:1.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:452W 5开关能量:2.6mJ（开），700µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A 4最大功率值:468W 5开关能量:1mJ（开），1.32mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.59mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 2.5V，100A 4最大功率值:7V @ 2.5V，100A 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，3A 4最大功率值:49W 5开关能量:50µJ（开），27µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.52V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:52µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 10V，3A 4最大功率值:40W 5开关能量:250µJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：40W 5开关能量：250µJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：D-Pak 料号：JTG14-780 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

今日热搜

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询

今日热搜

系列

制造商统称

制造商统称

类目

*IGBT 类型

*电压 - 集射极击穿（最大值）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

*功率 - 最大值

开关能量

*输入类型

栅极电荷

25°C 时 Td（开/关）值

测试条件

反向恢复时间 (trr)

工作温度

安装类型

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询