晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 晶体管- IGBT/UGBT-单

元器件型号：3378 件

当前类别共3378 件相关商品

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IXBH32N300 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 80A 400W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：400W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-61 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBK55N300 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 130A 625W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：625W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 料号：JTG14-62 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK75N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 170A 780W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：780W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-63 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYL60N450 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 4500V 90A 417W I5-PAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：417W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 封装：ISOPLUSi5-Pak™ 料号：JTG14-64 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： IXBH20N360HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3600V 70A TO-247HV 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W *5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：430W 5开关能量：15.5mJ（开），4.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247HV 料号：JTG14-65 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR30BM40HRTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 400V 30A IGNITION IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-66 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR10BM40FHTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：460V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 75°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-67 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPZ10BM40FHTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：460V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-68 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：133W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-69 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK20B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 20A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：227W 5开关能量：580µJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-70 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOKS40B65H1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.27mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-71 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK40B65M3 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.3mJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-72 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK40B65H1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.27mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-73 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK40B60D1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 80A 278W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：278W 5开关能量：1.55mJ（开），300µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-74 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK30B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 30A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.02mJ（开），410µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-75 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK50B60D1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 100A 312W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：312W 5开关能量：2.37mJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-76 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK50B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 50A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W *5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.09mJ（开），1.03mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-77 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：72W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-78 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH00TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：72W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-79 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：94W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-80 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

共有3378个记录每页显示20条，本页61-80条 4/169页首页上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 下一页尾页

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IXBH32N300 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 80A 400W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：400W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-61 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBK55N300 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3000V 130A 625W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：625W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 料号：JTG14-62 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK75N250 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 2500V 170A 780W TO264 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：780W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-63 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYL60N450 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 4500V 90A 417W I5-PAK 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：417W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 封装：ISOPLUSi5-Pak™ 料号：JTG14-64 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： IXBH20N360HV 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 3600V 70A TO-247HV 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W *5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：430W 5开关能量：15.5mJ（开），4.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247HV 料号：JTG14-65 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR30BM40HRTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 400V 30A IGNITION IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-66 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR10BM40FHTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：460V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 75°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-67 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPZ10BM40FHTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：460V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG14-68 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30NS65DGC9 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：133W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 封装：TO-262 料号：JTG14-69 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK20B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 20A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：227W 5开关能量：580µJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-70 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOKS40B65H1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.27mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-71 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK40B65M3 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.3mJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-72 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK40B65H1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 40A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.27mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-73 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK40B60D1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 80A 278W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：278W 5开关能量：1.55mJ（开），300µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-74 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK30B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 30A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：1.02mJ（开），410µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-75 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK50B60D1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 600V 100A 312W TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：312W 5开关能量：2.37mJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-76 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOK50B65M2 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 50A TO247 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W *5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.09mJ（开），1.03mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-77 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW60TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：72W 5开关能量：480µJ（开），490µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-78 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH00TK65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：72W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-79 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，32A 4最大功率值:400W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，55A 4最大功率值:625W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:335nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):2500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):530A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，150A 4最大功率值:780W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:410nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):4500V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):680A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，60A 4最大功率值:417W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:366nC 25°C 时 Td（开/关）值:55ns/450ns 制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):3600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，20A 4最大功率值:430W 5开关能量:15.5mJ（开），4.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/238ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，20A 4最大功率值:227W 5开关能量:580µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/123ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.3mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:59nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/125ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.27mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):140A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:278W 5开关能量:1.55mJ（开），300µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/74ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:1.02mJ（开），410µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/138ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:2.37mJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/68ns 制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.09mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:72W 5开关能量:480µJ（开），490µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：94W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-80 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

今日热搜

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询

今日热搜

系列

制造商统称

制造商统称

类目

*IGBT 类型

*电压 - 集射极击穿（最大值）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

*功率 - 最大值

开关能量

*输入类型

栅极电荷

25°C 时 Td（开/关）值

测试条件

反向恢复时间 (trr)

工作温度

安装类型

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询