晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： STGB14NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-781 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 8A 65W TO-263S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：65W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-782 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD3NB60FT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 6A 60W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W *5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：60W 5开关能量：125µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-783 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOB5B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 5A TO263 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：80µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（D2Pak）料号：JTG14-784 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB15N60TATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 30A 130W TO263-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W *5开关能量:570µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：130W 5开关能量：570µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263 料号：JTG14-785 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB8NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 65W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：65W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-786 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD14NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-787 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： NGD15N41ACLT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 440V 15A DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-788 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB20N60H3ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 40A 170W TO263-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W *5开关能量:690µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：170W 5开关能量：690µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK（TO-263AB）料号：JTG14-789 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB3NB60FDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 6A 68W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：68W 5开关能量：125µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-790 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGB8204ANT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 430V 18A D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W *5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：115W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-791 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR20NS43HRTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 430V 20A IGNITION IGBT 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：460V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-792 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGB8207ABNT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 365V 20A D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W *5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：365V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：165W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-793 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR30NS40HRTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 400V 30A IGNITION IGBT 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-794 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGDL6NC60DT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 13A 50W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W *5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：13A 4最大功率值：50W 5开关能量：46.5µJ（开），23.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-795 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD7NB60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 70W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：70W 5开关能量：95µJ（开），140µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-796 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W *5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-797 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 16A 94W TO-263S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-798 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA10N65ET6XKSA2 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 15A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，8.5A 4最大功率值:40W *5开关能量:200µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：40W 5开关能量：200µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 整包料号：JTG14-799 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA08N65ET6XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： HOME APPLIANCES 14 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，8.5A 4最大功率值:40W 5开关能量:200µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):11A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，5A 4最大功率值:33W 5开关能量:110µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：11A 4最大功率值：33W 5开关能量：110µJ（开），40µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 整包料号：JTG14-800 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： STGB14NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-781 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT8NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 8A 65W TO-263S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：65W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-782 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD3NB60FT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 6A 60W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W *5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：60W 5开关能量：125µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-783 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOB5B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 5A TO263 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：80µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（D2Pak）料号：JTG14-784 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB15N60TATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 30A 130W TO263-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W *5开关能量:570µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：130W 5开关能量：570µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263 料号：JTG14-785 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB8NC60KDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 65W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：65W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-786 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD14NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-787 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： NGD15N41ACLT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 440V 15A DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-788 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB20N60H3ATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 40A 170W TO263-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W *5开关能量:690µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：170W 5开关能量：690µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK（TO-263AB）料号：JTG14-789 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB3NB60FDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 6A 68W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：68W 5开关能量：125µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-790 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGB8204ANT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 430V 18A D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W *5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：115W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-791 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR20NS43HRTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 430V 20A IGNITION IGBT 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：460V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：107W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-792 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGB8207ABNT4G 品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝描述： IGBT 365V 20A D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W *5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：365V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：165W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-793 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGPR30NS40HRTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 400V 30A IGNITION IGBT 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS 料号：JTG14-794 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGDL6NC60DT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 13A 50W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W *5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：13A 4最大功率值：50W 5开关能量：46.5µJ（开），23.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-795 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD7NB60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 70W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：70W 5开关能量：95µJ（开），140µJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-796 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W *5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-797 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT16NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 16A 94W TO-263S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：94W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-798 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA10N65ET6XKSA2 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 15A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，8.5A 4最大功率值:40W *5开关能量:200µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：40W 5开关能量：200µJ（开），70µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 整包料号：JTG14-799 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA08N65ET6XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： HOME APPLIANCES 14 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:65W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:60W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):15A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.98V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:80µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A 4最大功率值:130W 5开关能量:570µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 4V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A 4最大功率值:170W 5开关能量:690µJ 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A 4最大功率值:68W 5开关能量:125µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 4V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):460V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:107W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse/力特制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):365V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 3.7V，10A 4最大功率值:165W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):13A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:50W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），140µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:94W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，8.5A 4最大功率值:40W 5开关能量:200µJ（开），70µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):11A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，5A 4最大功率值:33W 5开关能量:110µJ（开），40µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：11A 4最大功率值：33W 5开关能量：110µJ（开），40µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 整包料号：JTG14-800 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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