晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： STGD7NB60ST4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 55W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W *5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：55W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-801 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB15H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 30A 115W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：115W 5开关能量：136µJ（开），207µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-802 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB7NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：95µJ（开），115µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-803 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGBL6NC60DT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 56W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：56W 5开关能量：46.5µJ（开），23.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-804 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP06N60TXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 12A 88W TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W *5开关能量:200µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：200µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-805 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB15M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：136W 5开关能量：90µJ（开），450µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-806 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 30A 133W TO-263S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：133W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-807 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB06N60TATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 12A 88W TO263-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：200µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263 料号：JTG14-808 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA15N65ET6XKSA2 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W *5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：17A 4最大功率值：45W 5开关能量：230µJ（开），110µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 整包料号：JTG14-809 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOB15B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 30A TO263 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：214W 5开关能量：290µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（D2Pak）料号：JTG14-810 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP08N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W *5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：70W 5开关能量：70µJ（开），20µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-811 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD19N40LZ 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 20V 40A DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：390V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-812 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 62W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W *5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：62W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-813 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-814 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V3040S3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 21A TO263AB 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-815 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA08N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 10.8A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10.8A 4最大功率值：31.2W 5开关能量：70µJ（开），20µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-816 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA08N65H5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 10.8A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W *5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10.8A 4最大功率值：31.2W 5开关能量：70µJ（开），30µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-817 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB25N40LZAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： POWER TRANSISTORS 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：435V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-818 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP08N65H5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 18A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W *5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：70W 5开关能量：70µJ（开），30µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-819 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA10N60TXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):11.7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：11.7A 4最大功率值：30W 5开关能量：430µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-820 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： STGD7NB60ST4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 55W DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W *5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：55W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-801 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB15H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 30A 115W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：115W 5开关能量：136µJ（开），207µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-802 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB7NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W *5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：95µJ（开），115µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-803 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGBL6NC60DT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 56W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：56W 5开关能量：46.5µJ（开），23.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-804 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP06N60TXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 12A 88W TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W *5开关能量:200µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：200µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-805 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB15M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：136W 5开关能量：90µJ（开），450µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-806 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGT30NS65DGTL 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 650V 30A 133W TO-263S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：133W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：LPDS（TO-263S）料号：JTG14-807 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKB06N60TATMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 12A 88W TO263-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：200µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：PG-TO263 料号：JTG14-808 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA15N65ET6XKSA2 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W *5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：17A 4最大功率值：45W 5开关能量：230µJ（开），110µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 整包料号：JTG14-809 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AOB15B65M1 品牌： AOS/万代 AOS 万代描述： IGBT 650V 30A TO263 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：214W 5开关能量：290µJ（开），200µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（D2Pak）料号：JTG14-810 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP08N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W *5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：70W 5开关能量：70µJ（开），20µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-811 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD19N40LZ 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 20V 40A DPAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：390V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-812 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD10NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 62W D2PAK 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W *5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：62W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-813 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-814 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V3040S3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 21A TO263AB 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB 料号：JTG14-815 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA08N65F5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 10.8A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10.8A 4最大功率值：31.2W 5开关能量：70µJ（开），20µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-816 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA08N65H5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 10.8A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W *5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10.8A 4最大功率值：31.2W 5开关能量：70µJ（开），30µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-817 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB25N40LZAG 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： POWER TRANSISTORS 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：435V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK 料号：JTG14-818 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKP08N65H5XKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 650V 18A TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W *5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：18A 4最大功率值：70W 5开关能量：70µJ（开），30µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-819 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IKA10N60TXKSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3 参数：系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，7A 4最大功率值:55W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:115W 5开关能量:136µJ（开），207µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:46.5µJ（开），23.5µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A 4最大功率值:136W 5开关能量:90µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ROHM/罗姆制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A 4最大功率值:133W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:200µJ 输入类型:标准系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A 4最大功率值:45W 5开关能量:230µJ（开），110µJ（关）输入类型:标准系列:Alpha IGBT™ 制造商:AOS/万代制造商统称:AOS/万国半导体制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，15A 4最大功率值:214W 5开关能量:290µJ（开），200µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:62W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准系列:EcoSPARK® 制造商:ONSEMI/安森美制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），20µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:31.2W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):435V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，8A 4最大功率值:70W 5开关能量:70µJ（开），30µJ（关）输入类型:标准系列:TrenchStop® 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):11.7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A 4最大功率值:30W 5开关能量:430µJ 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：11.7A 4最大功率值：30W 5开关能量：430µJ 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：PG-TO220-3 料号：JTG14-820 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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