晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： IXXH40N65B4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 120A 455W TO247AD 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W *5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：455W 5开关能量：1.4mJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-961 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GP60BG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 56A 250W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：250W 5开关能量：130µJ（开），121µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-962 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA48N60B3-TRL 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IXGA48N60B3 TRL 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W *5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：300W 5开关能量：840µJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-963 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GN60BG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 107A 366W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：107A 4最大功率值：366W 5开关能量：1185µJ（开），1565µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-964 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH30N65C4D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W *5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：62A 4最大功率值：230W 5开关能量：1.1mJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-965 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GT120BRDQ1G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 36A 250W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：250W 5开关能量：585µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-966 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP48N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 300W TO220AB 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：410µJ（开），230µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-967 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GA90B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 63A 290W TO-247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：63A 4最大功率值：290W 5开关能量：642µJ（开），382µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-968 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP36N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W *5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：220W 5开关能量：740µJ（开），3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-969 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH30N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：270W 5开关能量：550µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-970 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH48N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 120A 300W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W *5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：300W 5开关能量：950µJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-971 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDP20N60B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 32A 140W TO220AB 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：140W 5开关能量：900µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-972 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GT60BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 42A 184W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W *5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：184W 5开关能量：150µJ（开），215µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-973 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH24N120IH 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V TO-247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：1200V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-974 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA36N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W *5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：220W 5开关能量：740µJ（开），3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AA 料号：JTG14-975 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH36N60A3D4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 220W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：220W 5开关能量：740µJ（开），3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-976 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH30N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO247AD 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：270µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-977 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 105A 600W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：105A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.9mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-978 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GT120BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 36A 250W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W *5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：250W 5开关能量：585µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-979 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH50N65C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 130A 600W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.3mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-980 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IXXH40N65B4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 120A 455W TO247AD 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W *5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：455W 5开关能量：1.4mJ（开），560µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-961 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GP60BG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 56A 250W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：250W 5开关能量：130µJ（开），121µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-962 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA48N60B3-TRL 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IXGA48N60B3 TRL 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W *5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：300W 5开关能量：840µJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-963 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GN60BG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 107A 366W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：107A 4最大功率值：366W 5开关能量：1185µJ（开），1565µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-964 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH30N65C4D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W *5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：62A 4最大功率值：230W 5开关能量：1.1mJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-965 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GT120BRDQ1G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 36A 250W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：250W 5开关能量：585µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-966 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP48N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 300W TO220AB 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：410µJ（开），230µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-967 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GA90B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 63A 290W TO-247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：63A 4最大功率值：290W 5开关能量：642µJ（开），382µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-968 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGP36N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W *5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：220W 5开关能量：740µJ（开），3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-969 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH30N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：270W 5开关能量：550µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-970 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH48N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 120A 300W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W *5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：120A 4最大功率值：300W 5开关能量：950µJ（开），2.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-971 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDP20N60B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 32A 140W TO220AB 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：140W 5开关能量：900µJ（开），400µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-972 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GT60BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 42A 184W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W *5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：184W 5开关能量：150µJ（开），215µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-973 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH24N120IH 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V TO-247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：1200V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-974 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA36N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W *5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：220W 5开关能量：740µJ（开），3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AA 料号：JTG14-975 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH36N60A3D4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 220W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：220W 5开关能量：740µJ（开），3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-976 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH30N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 220W TO247AD 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：270µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-977 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 105A 600W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：105A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.9mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-978 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT15GT120BRG 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 36A 250W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W *5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：36A 4最大功率值：250W 5开关能量：585µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-979 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH50N65C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 130A 600W TO247 参数：系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:455W 5开关能量:1.4mJ（开），560µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):65A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:130µJ（开），121µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1185µJ（开），1565µJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):62A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):136A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:230W 5开关能量:1.1mJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:410µJ（开），230µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):63A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，18A 4最大功率值:290W 5开关能量:642µJ（开），382µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:550µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):120A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:950µJ（开），2.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A 4最大功率值:140W 5开关能量:900µJ（开），400µJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:184W 5开关能量:150µJ（开），215µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.4V @ 15V，30A 4最大功率值:220W 5开关能量:740µJ（开），3mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:270µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:Thunderbolt IGBT® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，15A 4最大功率值:250W 5开关能量:585µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A 4最大功率值:600W 5开关能量:1.3mJ（开），370µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：130A 4最大功率值：600W 5开关能量：1.3mJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-980 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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