晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： RGW00TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W *5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：89W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-81 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH80TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：31A 4最大功率值：66W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-82 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：76W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-83 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW00TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：96A 4最大功率值：254W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-84 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS80TS65HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W *5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：73A 4最大功率值：272W 5开关能量：1.05mJ（开），1.03mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-85 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW80TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：39A 4最大功率值：81W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-86 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W *5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：94W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-87 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH00TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：72W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-88 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW00TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W *5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：89W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-89 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS60TS65DHRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：223W 5开关能量：660µJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-90 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W *5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：276W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-91 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTVX6TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：144A 4最大功率值：404W 5开关能量：2.65mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-92 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS00TS65HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W *5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：88A 4最大功率值：326W 5开关能量：1.46mJ（开），1.29mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-93 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS50TSX2HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：395W 5开关能量：1.4mJ（开），1.65mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-94 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTVX6TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W *5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：144A 4最大功率值：404W 5开关能量：2.65mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-95 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGC80TSX8RGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：535W 5开关能量：1.85mJ（开），1.6mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-96 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS50TSX2DHRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W *5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：395W 5开关能量：1.4mJ（开），1.65mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-97 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS80TSX2HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：3mJ（开），3.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-98 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS80TSX2DHRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 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集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W *5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：3mJ（开），3.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-99 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60D0DPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 45A 122W LDPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:122W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：122W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-100 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： RGW00TK65GVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W *5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：89W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-81 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH80TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：31A 4最大功率值：66W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-82 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV60TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W *5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：33A 4最大功率值：76W 5开关能量：570µJ（开），500µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-83 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW00TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：96A 4最大功率值：254W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-84 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS80TS65HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W *5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：73A 4最大功率值：272W 5开关能量：1.05mJ（开），1.03mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-85 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW80TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：39A 4最大功率值：81W 5开关能量：760µJ（开），720µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-86 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W *5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：94W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-87 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTH00TK65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：72W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-88 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGW00TK65DGVC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W *5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：89W 5开关能量：1.18mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PFM 料号：JTG14-89 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS60TS65DHRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：223W 5开关能量：660µJ（开），810µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-90 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTV00TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W *5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：95A 4最大功率值：276W 5开关能量：1.17mJ（开），940µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-91 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTVX6TS65GC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：144A 4最大功率值：404W 5开关能量：2.65mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-92 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS00TS65HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT. 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W *5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：88A 4最大功率值：326W 5开关能量：1.46mJ（开），1.29mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-93 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS50TSX2HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：395W 5开关能量：1.4mJ（开），1.65mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-94 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGTVX6TS65DGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W *5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：144A 4最大功率值：404W 5开关能量：2.65mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-95 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGC80TSX8RGC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：535W 5开关能量：1.85mJ（开），1.6mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-96 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS50TSX2DHRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W *5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：395W 5开关能量：1.4mJ（开），1.65mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-97 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS80TSX2HRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：3mJ（开），3.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-98 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RGS80TSX2DHRC11 品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体描述： 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 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集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W *5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：555W 5开关能量：3mJ（开），3.1mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247N 料号：JTG14-99 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJP60D0DPE-00#J3 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 45A 122W LDPAK 参数：制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:66W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A 4最大功率值:76W 5开关能量:570µJ（开），500µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:254W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:272W 5开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A 4最大功率值:81W 5开关能量:760µJ（开），720µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:94W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:72W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:89W 5开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A 4最大功率值:223W 5开关能量:660µJ（开），810µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A 4最大功率值:276W 5开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:326W 5开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A 4最大功率值:404W 5开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1800V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，40A 4最大功率值:535W 5开关能量:1.85mJ（开），1.6mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:468nC 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/565ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:395W 5开关能量:1.4mJ（开），1.65mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:67nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/140ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 制造商统称:ROHM/罗姆制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:555W 5开关能量:3mJ（开），3.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:49ns/199ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，22A 4最大功率值:122W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：45A 4最大功率值：122W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：SC-83 封装：4-LDPAK 料号：JTG14-100 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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