晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： IXGT24N60C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 48A 150W TO268 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W *5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：150W 5开关能量：240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1081 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH10N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 20A 110W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：110W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1082 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT13GP120BDQ1G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 41A 250W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W *5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：41A 4最大功率值：250W 5开关能量：115µJ（开），165µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1083 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDA20N120AS-TUB 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-1084 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 500W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W *5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.6mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1085 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXA55I1200HJ 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 84A 290W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：84A 4最大功率值：290W 5开关能量：4.5mJ（开），5.5mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1086 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA20N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 150W TO263 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W *5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：6.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-1087 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH15N120B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 30A 180W TO247AD 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：180W 5开关能量：1.75mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1088 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH56N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 150A 330W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W *5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：330W 5开关能量：1mJ（开），3.75mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1089 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR48N60B3D4A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V ISOPLUS247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1090 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT70GR65B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 650V 134A 595W TO-247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W *5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：134A 4最大功率值：595W 5开关能量：1.51mJ（开），1.46mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-1091 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA20N100 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 40A 150W TO263 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-1092 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH72N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 540W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W *5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：1.38mJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1093 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH40N60A3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V TO-247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1094 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDH30N120D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：4.6mJ（开），3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-247AD（IXDH）料号：JTG14-1095 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGY2N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 5A 25W TO252AA 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：25W 5开关能量：600µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-1096 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT44GA60B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 78A 337W TO-247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W *5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：337W 5开关能量：409µJ（开），258µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1097 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH120N30B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 300V 75A 540W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W 5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1098 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH120N30C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 300V 75A 540W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W 5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，120A 4最大功率值:540W *5开关能量:230µJ（开），730µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：230µJ（开），730µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1099 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH64N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 460W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W 5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:230µJ（开），730µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.42mJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：460W 5开关能量：1.42mJ（开），3.28mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1100 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IXGT24N60C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 48A 150W TO268 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W *5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：150W 5开关能量：240µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1081 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH10N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 20A 110W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：110W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1082 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT13GP120BDQ1G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 41A 250W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W *5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：41A 4最大功率值：250W 5开关能量：115µJ（开），165µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1083 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDA20N120AS-TUB 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 3电流-集电极(Ic)(最大值)：- 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG14-1084 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 500W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W *5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：500W 5开关能量：2.6mJ（开），1.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1085 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXA55I1200HJ 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 84A 290W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：84A 4最大功率值：290W 5开关能量：4.5mJ（开），5.5mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1086 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA20N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 40A 150W TO263 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W *5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：6.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-1087 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH15N120B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 30A 180W TO247AD 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：180W 5开关能量：1.75mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1088 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH56N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 150A 330W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W *5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：330W 5开关能量：1mJ（开），3.75mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1089 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR48N60B3D4A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V ISOPLUS247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1090 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT70GR65B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 650V 134A 595W TO-247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W *5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：134A 4最大功率值：595W 5开关能量：1.51mJ（开），1.46mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-1091 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGA20N100 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 40A 150W TO263 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263（IXGA）料号：JTG14-1092 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH72N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 540W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W *5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：1.38mJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1093 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH40N60A3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V TO-247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1094 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDH30N120D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W *5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：4.6mJ（开），3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-247AD（IXDH）料号：JTG14-1095 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGY2N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 5A 25W TO252AA 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5A 4最大功率值：25W 5开关能量：600µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-1096 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT44GA60B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 78A 337W TO-247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W *5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：78A 4最大功率值：337W 5开关能量：409µJ（开），258µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1097 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH120N30B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 300V 75A 540W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W 5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1098 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH120N30C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 300V 75A 540W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W 5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，120A 4最大功率值:540W *5开关能量:230µJ（开），730µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：230µJ（开），730µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1099 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH64N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 460W TO247 参数：系列:HiPerFAST™, Lightspeed™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，24A 4最大功率值:150W 5开关能量:240µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):70A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A 4最大功率值:110W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，13A 4最大功率值:250W 5开关能量:115µJ（开），165µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):- 3电流-集电极(Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:- 系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):145A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，30A 4最大功率值:500W 5开关能量:2.6mJ（开），1.1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:4.5mJ（开），5.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:6.5mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，15A 4最大功率值:180W 5开关能量:1.75mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):370A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，44A 4最大功率值:330W 5开关能量:1mJ（开），3.75mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):260A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，70A 4最大功率值:595W 5开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):8A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.5V @ 15V，5A 4最大功率值:25W 5开关能量:600µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):78A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，26A 4最大功率值:337W 5开关能量:409µJ（开），258µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):300V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，120A 4最大功率值:540W 5开关能量:230µJ（开），730µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.42mJ（开），3.28mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：460W 5开关能量：1.42mJ（开），3.28mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1100 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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