晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： IXGH64N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 460W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W *5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：460W 5开关能量：1.5mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1101 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH30N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 270W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：270W 5开关能量：500µJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-1102 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBF9N160G 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1600V 7A 70W I4PAC 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：7A 4最大功率值：70W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：i4-Pac™-5（3 引线）封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-1103 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH32N100A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 75A 300W TO247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：2.6mJ（开），9.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1104 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT54GA60BD30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 96A 416W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W *5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：96A 4最大功率值：416W 5开关能量：534µJ（开），466µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1105 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH10N170A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 10A 140W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：140W 5开关能量：380µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1106 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR48N60B3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W *5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：150W 5开关能量：840µJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1107 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT50N60C2 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 400W TO268 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：380µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1108 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH75N65C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 170A 750W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W *5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1109 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GN120SG/TR 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：84A 4最大功率值：379W 5开关能量：-，2.315mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1110 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT36GA60SD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT PT COMBI 600V 36A TO-268 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W *5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：290W 5开关能量：307µJ（开），254µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1111 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GR120SD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 75A 521W D3PAK 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：521W 5开关能量：742µJ（开），427µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3Pak 料号：JTG14-1112 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH20N100 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 40A 150W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W *5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1113 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR35N120D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V ISOPLUS247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：1200V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1114 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT68GA60B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 121A 520W TO-247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W *5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：121A 4最大功率值：520W 5开关能量：715µJ（开），607µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1115 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH150N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：300A 4最大功率值：1360W 5开关能量：3.4mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-1116 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120C4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：94A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.8mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1117 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):106A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):184A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：106A 4最大功率值：500W 5开关能量：4mJ（开），3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1118 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120B4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):106A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):184A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):174A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.4mJ（开），2.6mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.4mJ（开），2.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1119 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH24N120C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 48A 250W TO247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):106A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):184A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):174A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.4mJ（开），2.6mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.16mJ（开），470µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：250W 5开关能量：1.16mJ（开），470µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1120 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： IXGH64N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 460W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W *5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：600V 4最大功率值：460W 5开关能量：1.5mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1101 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH30N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 270W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：270W 5开关能量：500µJ（开），270µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-1102 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBF9N160G 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1600V 7A 70W I4PAC 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：7A 4最大功率值：70W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：i4-Pac™-5（3 引线）封装：ISOPLUS i4-PAC™ 料号：JTG14-1103 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH32N100A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 75A 300W TO247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：2.6mJ（开），9.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1104 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT54GA60BD30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 96A 416W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W *5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：96A 4最大功率值：416W 5开关能量：534µJ（开），466µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1105 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH10N170A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 10A 140W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：140W 5开关能量：380µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1106 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR48N60B3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W *5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：150W 5开关能量：840µJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1107 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT50N60C2 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 400W TO268 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：380µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1108 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH75N65C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 170A 750W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W *5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：170A 4最大功率值：750W 5开关能量：2.8mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1109 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GN120SG/TR 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：84A 4最大功率值：379W 5开关能量：-，2.315mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1110 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT36GA60SD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT PT COMBI 600V 36A TO-268 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W *5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：65A 4最大功率值：290W 5开关能量：307µJ（开），254µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1111 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GR120SD15 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 75A 521W D3PAK 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：521W 5开关能量：742µJ（开），427µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3Pak 料号：JTG14-1112 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH20N100 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 40A 150W TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W *5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1113 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR35N120D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V ISOPLUS247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：1200V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1114 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT68GA60B 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 600V 121A 520W TO-247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W *5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：121A 4最大功率值：520W 5开关能量：715µJ（开），607µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1115 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH150N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V TO247 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：300A 4最大功率值：1360W 5开关能量：3.4mJ（开），1.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-1116 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120C4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：94A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.8mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1117 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120A4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):106A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):184A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：106A 4最大功率值：500W 5开关能量：4mJ（开），3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1118 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH30N120B4 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):106A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):184A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):174A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:500W *5开关能量:4.4mJ（开），2.6mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：100A 4最大功率值：500W 5开关能量：4.4mJ（开），2.6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1119 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH24N120C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 48A 250W TO247AD 参数：系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):600V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A 4最大功率值:460W 5开关能量:1.5mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，24A 4最大功率值:270W 5开关能量:500µJ（开），270µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):7A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:7V @ 15V，5A 4最大功率值:70W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:2.6mJ（开），9.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):161A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，32A 4最大功率值:416W 5开关能量:534µJ（开），466µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:6V @ 15V，5A 4最大功率值:140W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:150W 5开关能量:840µJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):170A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:2.8mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):84A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:-，2.315mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):109A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:307µJ（开），254µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，25A 4最大功率值:521W 5开关能量:742µJ（开），427µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):121A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):202A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:520W 5开关能量:715µJ（开），607µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):300A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，150A 4最大功率值:1360W 5开关能量:3.4mJ（开），1.8mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):166A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.8mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):106A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):184A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):174A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A 4最大功率值:500W 5开关能量:4.4mJ（开），2.6mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.2V @ 15V，20A 4最大功率值:250W 5开关能量:1.16mJ（开），470µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：250W 5开关能量：1.16mJ（开），470µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1120 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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