晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： APT50GN60BDQ3G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W *5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：107A 4最大功率值：366W 5开关能量：1.185mJ（开），1.565mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-1161 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT6N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 12A 75W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：75W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1162 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH28N90B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 51A 200W TO247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W *5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：51A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1163 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH32N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 300W TO247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1164 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGQ35N120BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 400W TO3P 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W *5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：900µJ（开），3.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-1165 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT75GN60SDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 75A TO 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：155A 4最大功率值：536W 5开关能量：2.5mJ（开），2.14mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1166 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDR35N60BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W *5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：38A 4最大功率值：125W 5开关能量：1.6mJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1167 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GN120L2DQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 94A 379W TO264 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：94A 4最大功率值：379W 5开关能量：2.315mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3，TO-264AA 料号：JTG14-1168 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT15N120CD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 30A 150W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W *5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：150W 5开关能量：1.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1169 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT28N120B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 50A 250W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：250W 5开关能量：2.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1170 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH60N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 380W TO247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W *5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：380W 5开关能量：800µJ（开），450µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1171 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK50N90B2D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 75A 400W TO264 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：4.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-1172 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N90C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 90A 500W TO247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W *5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：500W 5开关能量：1.9mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1173 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH60N65B4H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 116A 380W TO247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：116A 4最大功率值：380W 5开关能量：3.13mJ（开），1.15mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-1174 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYT80N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 165A 830W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W *5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：165A 4最大功率值：830W 5开关能量：4.3mJ（开），1.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1175 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GR120L 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 117A 694W TO264 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：117A 4最大功率值：694W 5开关能量：2.14mJ（开），1.48mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 料号：JTG14-1176 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT72N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 540W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W *5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：1.38mJ（开），3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1177 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT45N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 300W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，45A 4最大功率值:300W 5开关能量:14mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：14mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1178 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH80N65B4D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，45A 4最大功率值:300W 5开关能量:14mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):180A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，80A 4最大功率值:625W *5开关能量:3.36mJ（开），1.83mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：180A 4最大功率值：625W 5开关能量：3.36mJ（开），1.83mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：- 料号：JTG14-1179 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GN120B2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 134A 543W TO-247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，45A 4最大功率值:300W 5开关能量:14mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):180A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.36mJ（开），1.83mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:543W 5开关能量:4495µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：134A 4最大功率值：543W 5开关能量：4495µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-1180 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： APT50GN60BDQ3G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W *5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：107A 4最大功率值：366W 5开关能量：1.185mJ（开），1.565mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-1161 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBT6N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 12A 75W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：75W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1162 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH28N90B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 51A 200W TO247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W *5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：51A 4最大功率值：200W 5开关能量：1.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1163 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH32N120A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 300W TO247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1164 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGQ35N120BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 400W TO3P 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W *5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：900µJ（开），3.8mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-1165 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT75GN60SDQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 75A TO 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：155A 4最大功率值：536W 5开关能量：2.5mJ（开），2.14mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1166 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDR35N60BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W *5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：38A 4最大功率值：125W 5开关能量：1.6mJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1167 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT35GN120L2DQ2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 94A 379W TO264 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：94A 4最大功率值：379W 5开关能量：2.315mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264-3，TO-264AA 料号：JTG14-1168 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT15N120CD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 30A 150W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W *5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：150W 5开关能量：1.05mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1169 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT28N120B 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 50A 250W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：250W 5开关能量：2.2mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1170 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH60N60C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 380W TO247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W *5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：380W 5开关能量：800µJ（开），450µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1171 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK50N90B2D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 75A 400W TO264 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：4.7mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-1172 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N90C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 90A 500W TO247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W *5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：500W 5开关能量：1.9mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1173 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH60N65B4H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 650V 116A 380W TO247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：116A 4最大功率值：380W 5开关能量：3.13mJ（开），1.15mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXXH）料号：JTG14-1174 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYT80N90C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 900V 165A 830W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W *5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：165A 4最大功率值：830W 5开关能量：4.3mJ（开），1.9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1175 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GR120L 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 117A 694W TO264 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：117A 4最大功率值：694W 5开关能量：2.14mJ（开），1.48mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 料号：JTG14-1176 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT72N60A3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 540W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W *5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：540W 5开关能量：1.38mJ（开），3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1177 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT45N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 300W TO268 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，45A 4最大功率值:300W 5开关能量:14mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：300W 5开关能量：14mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1178 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH80N65B4D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，45A 4最大功率值:300W 5开关能量:14mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):180A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，80A 4最大功率值:625W *5开关能量:3.36mJ（开），1.83mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：180A 4最大功率值：625W 5开关能量：3.36mJ（开），1.83mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：- 料号：JTG14-1179 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT50GN120B2G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 134A 543W TO-247 参数：系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，50A 4最大功率值:366W 5开关能量:1.185mJ（开），1.565mJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):51A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，28A 4最大功率值:200W 5开关能量:1.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.35V @ 15V，32A 4最大功率值:300W 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.3V @ 15V，35A 4最大功率值:400W 5开关能量:900µJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，75A 4最大功率值:536W 5开关能量:2.5mJ（开），2.14mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):38A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A 4最大功率值:125W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):94A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):105A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A 4最大功率值:379W 5开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，15A 4最大功率值:150W 5开关能量:1.05mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，28A 4最大功率值:250W 5开关能量:2.2mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:380W 5开关能量:800µJ（开），450µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，50A 4最大功率值:400W 5开关能量:4.7mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:500W 5开关能量:1.9mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:GenX4™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):116A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A 4最大功率值:380W 5开关能量:3.13mJ（开），1.15mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):165A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，80A 4最大功率值:830W 5开关能量:4.3mJ（开），1.9mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.2V @ 15V，50A 4最大功率值:694W 5开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):400A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.35V @ 15V，60A 4最大功率值:540W 5开关能量:1.38mJ（开），3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，45A 4最大功率值:300W 5开关能量:14mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX4™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):180A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，80A 4最大功率值:625W 5开关能量:3.36mJ（开），1.83mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):134A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:543W 5开关能量:4495µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：134A 4最大功率值：543W 5开关能量：4495µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-1180 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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