晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： RJP60F5DPK-01#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 80A 260.4W 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：260.4W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-101 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60F7DPQ-A0#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 90A 328.9W TO247A 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：328.9W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247A 料号：JTG14-102 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD4M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W *5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：68W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-103 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD3NB60SDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 6A 48W DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：48W 5开关能量：1.15mJ（关） 6工作温度：175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-104 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W *5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-105 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD5T120SH 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 5A FS3 DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：69W 5开关能量：247µJ（开），94µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-106 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB6NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W D2PAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W *5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-107 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTD1N120BNS9A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5.3A 4最大功率值：60W 5开关能量：70µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-108 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V3040D3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 21A TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-109 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3440G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 26.9A TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26.9A 4最大功率值：166W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-110 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD18N40LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 420V 25A 125W DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：420V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-111 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3245G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 450V 23A TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：450V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-112 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP3HF60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT BIPO 600V 3A TO220 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W *5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：7.5A 4最大功率值：38W 5开关能量：19µJ（开），12µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-113 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF4M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：23W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220FP 料号：JTG14-114 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD7NC60HT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 70W DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W *5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：70W 5开关能量：95µJ（开），115µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-115 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NB40LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 440V 20A 150W D2PAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：2.4mJ（开），5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-116 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:24W *5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：24W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-117 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD6NC60H-1 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT N-CH 600V 7A IPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:24W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：62.5W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 封装：IPAK（TO-251）料号：JTG14-118 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP6NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W TO220 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:24W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W *5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-119 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF7H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 24W TO-220FP 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 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状态：在售型号： RJP60F5DPK-01#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 80A 260.4W 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W *5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：260.4W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-101 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： RJH60F7DPQ-A0#T0 品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子描述： IGBT 600V 90A 328.9W TO247A 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：90A 4最大功率值：328.9W 5开关能量：- 6工作温度：150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247A 料号：JTG14-102 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD4M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W *5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：68W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-103 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD3NB60SDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 6A 48W DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：6A 4最大功率值：48W 5开关能量：1.15mJ（关） 6工作温度：175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-104 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W *5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：83W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-105 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD5T120SH 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 5A FS3 DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：69W 5开关能量：247µJ（开），94µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-106 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB6NC60HDT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W D2PAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W *5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-107 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTD1N120BNS9A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：5.3A 4最大功率值：60W 5开关能量：70µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-108 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V3040D3ST 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 21A TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-109 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3440G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 400V 26.9A TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：26.9A 4最大功率值：166W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-110 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD18N40LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 420V 25A 125W DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：420V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-111 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGD3245G2-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 450V 23A TO252AA 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：450V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：23A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：TO-252AA 料号：JTG14-112 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP3HF60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT BIPO 600V 3A TO220 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W *5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：7.5A 4最大功率值：38W 5开关能量：19µJ（开），12µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-113 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF4M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：23W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220FP 料号：JTG14-114 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD7NC60HT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 70W DPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W *5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：70W 5开关能量：95µJ（开），115µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 封装：DPAK 料号：JTG14-115 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NB40LZT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 440V 20A 150W D2PAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：440V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：150W 5开关能量：2.4mJ（开），5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-116 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF5H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:24W *5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：24W 5开关能量：56µJ（开），78.5µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-117 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD6NC60H-1 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT N-CH 600V 7A IPAK 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:24W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：62.5W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 封装：IPAK（TO-251）料号：JTG14-118 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP6NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 56W TO220 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:24W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W *5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：56W 5开关能量：20µJ（开），68µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-119 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF7H60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 14A 24W TO-220FP 参数：制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A 4最大功率值:260.4W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:74nC 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/90ns 制造商统称:Renesas/瑞萨制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟道 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，50A 4最大功率值:328.9W 5开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A 4最大功率值:48W 5开关能量:1.15mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:125µs/- 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:83W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.6V @ 15V，5A 4最大功率值:69W 5开关能量:247µJ（开），94µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:4.8ns/24.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，1A 4最大功率值:60W 5开关能量:70µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/67ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):400V 3电流-集电极(Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.2V @ 4V，6A 4最大功率值:166W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/5.3µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):450V 3电流-集电极(Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.25V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:23nC 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/5.4µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A 4最大功率值:38W 5开关能量:19µJ（开），12µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:12nC 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:23W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:70W 5开关能量:95µJ（开），115µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:35nC 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):440V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A 4最大功率值:150W 5开关能量:2.4mJ（开），5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.3µs/8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A 4最大功率值:24W 5开关能量:56µJ（开），78.5µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A 4最大功率值:56W 5开关能量:20µJ（开），68µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A 4最大功率值:24W 5开关能量:99µJ（开），100µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：14A 4最大功率值：24W 5开关能量：99µJ（开），100µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-120 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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