晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： IXYH16N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1.7KV 40A TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W *5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：310W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1201 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYR50N120C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：290W 5开关能量：3mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1202 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGX40N120BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V PLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：1200V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1203 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH6N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 12A 75W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：75W 5开关能量：1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1204 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH75N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W *5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：750W 5开关能量：1.7mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：- 料号：JTG14-1205 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT80GA90S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：145A 4最大功率值：625W 5开关能量：1.625mJ（开），1.389mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1206 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT64GA90LD30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 117A 500W TO-264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W *5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：117A 4最大功率值：500W 5开关能量：1192µJ（开），1088µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 [L] 料号：JTG14-1207 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDH30N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：4.6mJ（开），3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-247AD（IXDH）料号：JTG14-1208 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 70A 577W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W *5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：577W 5开关能量：3.9mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1209 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT64GA90B2D30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 117A 500W TO-247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：117A 4最大功率值：500W 5开关能量：1192µJ（开），1088µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-1210 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH40N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 380W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W *5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：380W 5开关能量：1.8mJ（开），550µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1211 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH75N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 150A 750W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：750W 5开关能量：1.6mJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-1212 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GP120BDQ1G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 69A 417W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W *5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：69A 4最大功率值：417W 5开关能量：500µJ（开），440µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1213 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH16N170A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 16A 190W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：190W 5开关能量：900µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1214 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH10N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 20A 140W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W *5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：140W 5开关能量：6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-1215 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK50N60B2D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 400W TO264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：550µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-1216 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK50N60C2D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 480W TO264AA 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W *5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：480W 5开关能量：380µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-1217 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT16N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 32A 190W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，16A 4最大功率值:190W 5开关能量:9.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：190W 5开关能量：9.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1218 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT20N100 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 40A 150W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，16A 4最大功率值:190W 5开关能量:9.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W *5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1219 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR24N120C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 48A ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，16A 4最大功率值:190W 5开关能量:9.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1220 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IXYH16N170C 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1.7KV 40A TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W *5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：310W 5开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1201 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYR50N120C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：56A 4最大功率值：290W 5开关能量：3mJ（开），1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1202 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGX40N120BD1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V PLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- *5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：1200V 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1203 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH6N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 12A 75W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：75W 5开关能量：1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1204 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH75N60B3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W *5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：160A 4最大功率值：750W 5开关能量：1.7mJ（开），1.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：- 料号：JTG14-1205 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT80GA90S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：145A 4最大功率值：625W 5开关能量：1.625mJ（开），1.389mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：D3PAK 料号：JTG14-1206 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT64GA90LD30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 117A 500W TO-264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W *5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：117A 4最大功率值：500W 5开关能量：1192µJ（开），1088µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264 [L] 料号：JTG14-1207 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXDH30N120 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：300W 5开关能量：4.6mJ（开），3.4mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-247AD（IXDH）料号：JTG14-1208 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXYH40N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 70A 577W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W *5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：577W 5开关能量：3.9mJ（开），660µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247（IXYH）料号：JTG14-1209 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT64GA90B2D30 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 900V 117A 500W TO-247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：900V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：117A 4最大功率值：500W 5开关能量：1192µJ（开），1088µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 变式料号：JTG14-1210 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH40N120C3 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 75A 380W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W *5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：380W 5开关能量：1.8mJ（开），550µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1211 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXXH75N60C3D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 150A 750W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：150A 4最大功率值：750W 5开关能量：1.6mJ（开），800µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD 料号：JTG14-1212 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： APT25GP120BDQ1G 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： IGBT 1200V 69A 417W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W *5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：69A 4最大功率值：417W 5开关能量：500µJ（开），440µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 [B] 料号：JTG14-1213 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGH16N170A 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 16A 190W TO247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：190W 5开关能量：900µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXGH）料号：JTG14-1214 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXBH10N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 20A 140W TO247AD 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W *5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：140W 5开关能量：6mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247AD（IXBH）料号：JTG14-1215 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK50N60B2D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 400W TO264 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：400W 5开关能量：550µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-1216 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGK50N60C2D1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 600V 75A 480W TO264AA 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W *5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：75A 4最大功率值：480W 5开关能量：380µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-264-3，TO-264AA 封装：TO-264（IXGK）料号：JTG14-1217 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT16N170 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1700V 32A 190W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，16A 4最大功率值:190W 5开关能量:9.3mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：32A 4最大功率值：190W 5开关能量：9.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1218 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGT20N100 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1000V 40A 150W TO268 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，16A 4最大功率值:190W 5开关能量:9.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W *5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：PT 2电压-集射极击穿(最大值)：1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：150W 5开关能量：3.5mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 封装：TO-268 料号：JTG14-1219 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： IXGR24N120C3H1 品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特描述： IGBT 1200V 48A ISOPLUS247 参数：系列:XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，16A 4最大功率值:310W 5开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):210A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，50A 4最大功率值:290W 5开关能量:3mJ（开），1mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200V 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，6A 4最大功率值:75W 5开关能量:1.5mJ（关）输入类型:标准系列:XPT™, GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.7mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):239A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，47A 4最大功率值:625W 5开关能量:1.625mJ（开），1.389mJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):76A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，30A 4最大功率值:300W 5开关能量:4.6mJ（开），3.4mJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):115A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，40A 4最大功率值:577W 5开关能量:3.9mJ（开），660µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):900V 3电流-集电极(Ic)(最大值):117A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):193A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.1V @ 15V，38A 4最大功率值:500W 5开关能量:1192µJ（开），1088µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:4.4V @ 15V，30A 4最大功率值:380W 5开关能量:1.8mJ（开），550µJ（关）输入类型:标准系列:GenX3™, XPT™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A 4最大功率值:750W 5开关能量:1.6mJ（开），800µJ（关）输入类型:标准系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯制造商统称:Microchip/微芯制造商统称:Microchip Technology 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):69A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，25A 4最大功率值:417W 5开关能量:500µJ（开），440µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:5V @ 15V，11A 4最大功率值:190W 5开关能量:900µJ（关）输入类型:标准系列:BIMOSFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.8V @ 15V，10A 4最大功率值:140W 5开关能量:6mJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:400W 5开关能量:550µJ（关）输入类型:标准系列:HiPerFAST™ 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:480W 5开关能量:380µJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1700V 3电流-集电极(Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3.5V @ 15V，16A 4最大功率值:190W 5开关能量:9.3mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:PT 2电压-集射极击穿(最大值):1000V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A 4最大功率值:150W 5开关能量:3.5mJ（关）输入类型:标准系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯制造商统称:未设定制造商统称:IXYS 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:- 4最大功率值:- 5开关能量:- 输入类型:标准类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：48A 4最大功率值：- 5开关能量：- 6工作温度：-	外壳：ISOPLUS247™ 封装：ISOPLUS247™ 料号：JTG14-1220 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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