晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： STGP6M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W *5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-121 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-122 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP4M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W *5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：68W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-123 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP10NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-124 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB19NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 35A 125W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W *5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：125W 5开关能量：165µJ（开），255µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-125 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF7NB60SL 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 25W TO220FP 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：25W 5开关能量：4.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-126 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD18N40LZ-1 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 420V 25A 125W IPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：420V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 封装：I-PAK 料号：JTG14-127 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP14NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-128 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD5NB120SZ-1 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 10A 75W IPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W *5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：75W 5开关能量：2.59mJ（开），9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 封装：I-PAK 料号：JTG14-129 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGP19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-130 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V3040P3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 21A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-131 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB40T65SPD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：267W 5开关能量：970µJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB（D²PAK）料号：JTG14-132 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 30A TO-220AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W *5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-133 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW19NC60H 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 42A 140W TO-247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：140W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-134 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB19NC60WT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-135 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30NC60WT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：305µJ（开），181µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-136 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGB40T65SQDN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V/40A FS4 IGBT TO263 A 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W *5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：238W 5开关能量：858µJ（开），229µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK-3（TO-263-3）料号：JTG14-137 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO220AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W 5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-138 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGP15N60UNDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 30A 178W TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W 5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:178W *5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.3ns/54.8ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：178W 5开关能量：370µJ（开），67µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-139 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 42A 140W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W 5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:178W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.3ns/54.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：140W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-140 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： STGP6M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W *5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：12A 4最大功率值：88W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-121 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB10NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：55µJ（开），85µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-122 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP4M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W *5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：8A 4最大功率值：68W 5开关能量：40µJ（开），136µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-123 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP10NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 20A 65W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：20A 4最大功率值：65W 5开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-124 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB19NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 35A 125W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W *5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：35A 4最大功率值：125W 5开关能量：165µJ（开），255µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-125 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF7NB60SL 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 15A 25W TO220FP 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：15A 4最大功率值：25W 5开关能量：4.1mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-126 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD18N40LZ-1 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 420V 25A 125W IPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：420V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：125W 5开关能量：- 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 封装：I-PAK 料号：JTG14-127 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP14NC60KD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 25A 80W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：25A 4最大功率值：80W 5开关能量：82µJ（开），155µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220AB 料号：JTG14-128 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGD5NB120SZ-1 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 10A 75W IPAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W *5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：10A 4最大功率值：75W 5开关能量：2.59mJ（开），9mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 封装：I-PAK 料号：JTG14-129 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGP19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-130 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V3040P3 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 430V 21A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：430V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：21A 4最大功率值：150W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-131 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGB40T65SPD-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：267W 5开关能量：970µJ（开），280µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：TO-263AB（D²PAK）料号：JTG14-132 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 30A TO-220AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W *5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-133 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW19NC60H 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 42A 140W TO-247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：140W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-134 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB19NC60WT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 130W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：130W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-135 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30NC60WT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：305µJ（开），181µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-136 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGB40T65SQDN 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： 650V/40A FS4 IGBT TO263 A 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W *5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：238W 5开关能量：858µJ（开），229µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D²PAK-3（TO-263-3）料号：JTG14-137 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO220AB 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W 5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-138 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGP15N60UNDF 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 30A 178W TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W 5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:178W *5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.3ns/54.8ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：178W 5开关能量：370µJ（开），67µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-139 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 42A 140W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A 4最大功率值:88W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:55µJ（开），85µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A 4最大功率值:68W 5开关能量:40µJ（开），136µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A 4最大功率值:65W 5开关能量:31.8µJ（开），95µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A 4最大功率值:125W 5开关能量:165µJ（开），255µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4.5V，7A 4最大功率值:25W 5开关能量:4.1mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):420V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A 4最大功率值:125W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:29nC 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A 4最大功率值:80W 5开关能量:82µJ（开），155µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A 4最大功率值:75W 5开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):430V 3电流-集电极(Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，6A 4最大功率值:150W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/4.8µs 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:267W 5开关能量:970µJ（开），280µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:130W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:238W 5开关能量:858µJ（开），229µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:76nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.6ns/75.2ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，15A 4最大功率值:178W 5开关能量:370µJ（开），67µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:9.3ns/54.8ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：140W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-140 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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