晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： STGW30H60DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W *5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），293µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-141 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 19A 40W TO220FP 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：19A 4最大功率值：40W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-142 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W *5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：62.5W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-143 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 258W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-144 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 185W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W *5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：185W 5开关能量：350µJ（开），435µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-145 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-146 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGWA19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 52A 208W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W *5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：52A 4最大功率值：208W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-147 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-148 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V5036P3-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 390V 46A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：390V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：46A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-149 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-150 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW20NC60V 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W *5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：220µJ（开），330µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-151 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT20V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO3P-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-152 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTP20N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W *5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：105µJ（开），150µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-153 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-154 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60UFTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W *5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1.19mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-155 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：305µJ（开），181µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-156 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA25N120ANTDTU-F109 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 50A 312W TO3P 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W *5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：312W 5开关能量：4.1mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-157 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT30H60DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO3PL 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），293µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-158 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT30H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 30A 260W TO3PL 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 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状态：在售型号： STGW40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 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集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 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状态：在售型号： STGW30H60DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W *5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），293µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-141 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGF35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 19A 40W TO220FP 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：19A 4最大功率值：40W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220FP 料号：JTG14-142 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W *5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：62.5W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3 整包封装：TO-3PF 料号：JTG14-143 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 258W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-144 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGB30NC60KT4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 185W D2PAK 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W *5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：185W 5开关能量：350µJ（开），435µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 封装：D2PAK 料号：JTG14-145 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGP35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220 料号：JTG14-146 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：型号： STGWA19NC60HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 52A 208W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W *5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：52A 4最大功率值：208W 5开关能量：85µJ（开），189µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-147 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-148 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ISL9V5036P3-F085 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 390V 46A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W *5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：390V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：46A 4最大功率值：250W 5开关能量：- 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-149 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT20V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-150 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW20NC60V 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W *5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：220µJ（开），330µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-151 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT20V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 40A 167W TO3P-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：167W 5开关能量：200µJ（开），130µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-152 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTP20N60A4 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A TO220-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W *5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：105µJ（开），150µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-220-3 封装：TO-220-3 料号：JTG14-153 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW35HF60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：290µJ（开），185µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-154 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGH40N60UFTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W *5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：290W 5开关能量：1.19mJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-155 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO220 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：305µJ（开），181µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-156 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA25N120ANTDTU-F109 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 1200V 50A 312W TO3P 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W *5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：312W 5开关能量：4.1mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-157 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT30H60DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO3PL 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），293µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-158 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT30H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 30A 260W TO3PL 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 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状态：在售型号： STGW40V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):19A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:40W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:62.5W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:185W 5开关能量:350µJ（开），435µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/120ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:208W 5开关能量:85µJ（开），189µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):390V 3电流-集电极(Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 4V，10A 4最大功率值:250W 5开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/10.8µs 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:220µJ（开），330µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/100ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A 4最大功率值:167W 5开关能量:200µJ（开），130µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:290µJ（开），185µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A 4最大功率值:290W 5开关能量:1.19mJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/112ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:151µJ（开），293µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:149nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-160 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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