晶体管晶体管- IGBT/UGBT-单商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： STGW8M120DF3 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W *5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：167W 5开关能量：390µJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-161 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 30A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-162 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W *5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-163 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA25N120ANTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：312W 5开关能量：4.1mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-164 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W *5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-165 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA40H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT TRENCH 650V 80A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：498µJ（开），363µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-166 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT30V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W *5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-167 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC60WD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：305µJ（开），181µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-168 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC120HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 60A 220W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：1.66mJ（开），4.44mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-169 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG11N120CND 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：43A 4最大功率值：298W 5开关能量：950µJ（开），1.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-170 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT40V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W *5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-171 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL40T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：239W 5开关能量：250µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-172 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB15N120IHRWG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W *5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：333W 5开关能量：340µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-173 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60A4D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A 290W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：105µJ（开），150µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-174 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW19NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 42A 140W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：140W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-175 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60B3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 40A 165W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：165W 5开关能量：475µJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-176 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA40N65SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：820µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-177 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL50T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：950µJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-178 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW20H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 40A 52W TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W *5开关能量:77µJ（开），170µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：52W 5开关能量：77µJ（开），170µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PF 料号：JTG14-179 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40V60DLF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:77µJ（开），170µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-180 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： STGW8M120DF3 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W *5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：16A 4最大功率值：167W 5开关能量：390µJ（开），370µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-161 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 30A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-162 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30M65DF2 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W *5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：258W 5开关能量：300µJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-163 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA25N120ANTDTU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：50A 4最大功率值：312W 5开关能量：4.1mJ（开），960µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-164 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W *5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-165 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWA40H65DFB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT TRENCH 650V 80A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：498µJ（开），363µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-166 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT30V60F 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 260W TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W *5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：260W 5开关能量：383µJ（开），233µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-167 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC60WD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 60A 200W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：200W 5开关能量：305µJ（开），181µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-168 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW30NC120HD 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 1200V 60A 220W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W *5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：60A 4最大功率值：220W 5开关能量：1.66mJ（开），4.44mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-169 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG11N120CND 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：NPT 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：43A 4最大功率值：298W 5开关能量：950µJ（开），1.3mJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-170 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGWT40V60DF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W *5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：456µJ（开），411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3P 料号：JTG14-171 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL40T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：239W 5开关能量：250µJ（开），90µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-172 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NGTB15N120IHRWG 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W *5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：30A 4最大功率值：333W 5开关能量：340µJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-173 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60A4D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 70A 290W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：70A 4最大功率值：290W 5开关能量：105µJ（开），150µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-174 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW19NC60W 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 42A 140W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W *5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：42A 4最大功率值：140W 5开关能量：81µJ（开），125µJ（关） 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 长引线料号：JTG14-175 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： HGTG20N60B3D 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT 600V 40A 165W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：- 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：165W 5开关能量：475µJ（开），1.05mJ（关） 6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247-3 料号：JTG14-176 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FGA40N65SMD 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W *5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：349W 5开关能量：820µJ（开），260µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3P-3，SC-65-3 封装：TO-3PN 料号：JTG14-177 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： AFGHL50T65SQ 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：268W 5开关能量：950µJ（开），460µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 变式封装：TO-247-3 料号：JTG14-178 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGFW20H65FB 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 650V 40A 52W TO3PF 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W *5开关能量:77µJ（开），170µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：650V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：40A 4最大功率值：52W 5开关能量：77µJ（开），170µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-3PFM，SC-93-3 封装：TO-3PF 料号：JTG14-179 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： STGW40V60DLF 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： IGBT 600V 80A 283W TO247 参数：制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A 4最大功率值:167W 5开关能量:390µJ（开），370µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A 4最大功率值:258W 5开关能量:300µJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 和沟道 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，50A 4最大功率值:312W 5开关能量:4.1mJ（开），960µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:200nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/190ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:498µJ（开），363µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A 4最大功率值:260W 5开关能量:383µJ（开），233µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，20A 4最大功率值:200W 5开关能量:305µJ（开），181µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:29.5ns/118ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A 4最大功率值:220W 5开关能量:1.66mJ（开），4.44mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:NPT 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，11A 4最大功率值:298W 5开关能量:950µJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/180ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:456µJ（开），411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A 4最大功率值:239W 5开关能量:250µJ（开），90µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/70ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):1200V 3电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A 4最大功率值:333W 5开关能量:340µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:160nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，20A 4最大功率值:290W 5开关能量:105µJ（开），150µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:142nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/73ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A 4最大功率值:140W 5开关能量:81µJ（开），125µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:- 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:165W 5开关能量:475µJ（开），1.05mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A 4最大功率值:349W 5开关能量:820µJ（开），260µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A 4最大功率值:268W 5开关能量:950µJ（开），460µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:99nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/81ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):650V 3电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A 4最大功率值:52W 5开关能量:77µJ（开），170µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns 制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1IGBT 类型:沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值):600V 3电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A 4最大功率值:283W 5开关能量:411µJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns 类别：晶体管- IGBT/UGBT-单	1IGBT 类型：沟槽型场截止 2电压-集射极击穿(最大值)：600V 3电流-集电极(Ic)(最大值)：80A 4最大功率值：283W 5开关能量：411µJ（关） 6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	外壳：TO-247-3 封装：TO-247 料号：JTG14-180 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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