元器件型号:12
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制造商统称

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电流 - 栅极至阳极漏(igao)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: CMPP6028 TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: PROGRAMMABLE UJT SOT-23
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:167mW
2输出电压(V)2:6V
3偏移电压(vt):600mV
电流 - 谷值(iv):25μA
电流 - 峰值:150nA
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:-
料号:JTG6-21
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPP6028 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPP6028 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPP6028 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPP6028 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: 2N6027RLRA
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):1.6V
电流 - 谷值(iv):50μA
电流 - 峰值:2μA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-22
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6027RLRA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N6028RLRA
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):600mV
电流 - 谷值(iv):25μA
电流 - 峰值:150nA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-23
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6028RLRA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 2N6027RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):1.6V
电流 - 谷值(iv):50μA
电流 - 峰值:2μA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-24
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6027RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: 2N6028RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):600mV
电流 - 谷值(iv):25μA
电流 - 峰值:150nA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-25
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6028RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 2N6027G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):1.6V
电流 - 谷值(iv):50μA
电流 - 峰值:2μA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:-
料号:JTG6-26
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6027G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N6027RL1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):1.6V
电流 - 谷值(iv):50μA
电流 - 峰值:2μA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-27
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6027RL1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RL1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RL1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6027RL1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N6028G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:-
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2输出电压(V)2:11V
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电流 - 谷值(iv):25μA
电流 - 峰值:150nA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:-
料号:JTG6-28
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合作现货:0
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型号: 2N6028RLRP
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
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电流 - 谷值(iv):25μA
电流 - 峰值:150nA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-29
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型号: 2N6027RL1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:-
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型号: 2N6028RLRMG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):600mV
电流 - 谷值(iv):25μA
电流 - 峰值:150nA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-31
包装:
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型号: 2N6028RLRPG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:167mW *2输出电压(V)2:6V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):50μA *电流 - 峰值:2μA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1电压1:40V *4最大功率耗散值:300mW *2输出电压(V)2:11V *3偏移电压(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA *电流 - 谷值(iv):25μA *电流 - 峰值:150nA 工作温度:-
1电压1:40V
4最大功率耗散值:300mW
2输出电压(V)2:11V
3偏移电压(vt):600mV
电流 - 谷值(iv):25μA
电流 - 峰值:150nA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:-
料号:JTG6-32
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6028RLRPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6028RLRPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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