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描述：
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
参数：
系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:260 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V 系列:SuperMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 5V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 5V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:55 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 5V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:90 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V 系列:DeepGATE™, STripFET™ VI 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:44A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V 系列:DeepGATE™, STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:60A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:19.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):85nC @ 10V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 5V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):39nC @ 10V 系列:MESH OVERLAY™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V 系列:MDmesh™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta），2.2A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 10V 系列:DeepGATE™, STripFET™ VI 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 40A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):29nC @ 4.5V 系列:MDmesh™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V 系列:MDmesh™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:550 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V 系列:MDmesh™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:550V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:192 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 系列:SuperMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 1.25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 系列:STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:140A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.75 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 4.5V 系列:MDmesh™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:295 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):70nC @ 10V
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1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：17A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±25V
5功率-最大值：190W（Tc）
6工作温度：150°C（TJ）
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外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：JTG8-56
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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