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描述：
MOSFET N-CH 500V 21A TO-220
参数：
系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):233nC @ 10V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):189nC @ 10V 系列:MDmesh™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:240 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 系列:SuperMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 5.25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):59nC @ 10V 系列:MDmesh™ M2-EP 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:34A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:87 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.75V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:80A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:18 毫欧 @ 40A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):258nC @ 10V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7.5 毫欧 @ 70A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):218nC @ 10V 系列:DeepGATE™, STripFET™ VII 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V 系列:SuperMESH5™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:950V *3电流-连续漏极(id)*3:17.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:330 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V 系列:MDmesh™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43.6nC @ 10V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):75nC @ 10V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):233nC @ 10V 系列:PowerMESH™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:1500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):29.3nC @ 10V 系列:FDmesh™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V 系列:MDmesh™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:35A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 19.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):91nC @ 10V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V 系列:MDmesh™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:290 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V 系列:MDmesh™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:22A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:130 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62.5nC @ 10V 系列:MDmesh™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:158 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V
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1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：21A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±25V
5功率-最大值：150W（Tc）
6工作温度：150°C（TJ）
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG8-100
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STP28NM50N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STP28NM50N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STP28NM50N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STP28NM50N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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