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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2SK209-BL(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： JFET N-CH SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：1kHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SC-59
料号：JTG9-1
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK209-BL(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-BL(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-BL(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK209-BL(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BF862,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 20V 25MA SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：25mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：20V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-2
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF862,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF862,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF862,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF862,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF862,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 20V 25MA SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：25mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：20V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-3
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF862,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF862,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF862,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF862,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-55143-TR1G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：17.7dB
7测试电压(V)7：2.7V
3额定电流(A)3：100mA
4输出功率(W)4：14.4dBm
2额定电压(V)2：5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-4
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-55143-TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-55143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-55143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-55143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ATF-35143-TR1G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：80mA
4输出功率(W)4：10dBm
2额定电压(V)2：5.5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-5
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-35143-TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-35143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ATF-58143-TR1G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16.5dB
7测试电压(V)7：3V
3额定电流(A)3：100mA
4输出功率(W)4：19dBm
2额定电压(V)2：5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-6
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-58143-TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-58143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-58143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-58143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD84001
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 18V 870MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：1.5A
4输出功率(W)4：30dBm
2额定电压(V)2：18V
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG9-7
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD84001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD85004
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 40V 870MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：2A
4输出功率(W)4：4W
2额定电压(V)2：40V
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG9-8
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD85004' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-54143-TR1G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：16.6dB
7测试电压(V)7：3V
3额定电流(A)3：120mA
4输出功率(W)4：20.4dBm
2额定电压(V)2：5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-9
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-54143-TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-54143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ATF-531P8-TR1
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：300mA
4输出功率(W)4：24.5dBm
2额定电压(V)2：7V
外壳：8-WFDFN 裸露焊盘
封装：8-LPCC（2X2）
料号：JTG9-10
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-531P8-TR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-531P8-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-531P8-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-531P8-TR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MW6S004NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.96GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：4W
2额定电压(V)2：68V
外壳：PLD-1.5
封装：PLD-1.5
料号：JTG9-11
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MW6S004NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S004NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S004NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S004NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BLP7G22-10Z
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：2.14GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：2W
2额定电压(V)2：65V
外壳：12-VDFN 裸露焊盘
封装：12-HVSON（5X6）
料号：JTG9-12
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLP7G22-10Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MW6S010GNR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：960MHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：10W
2额定电压(V)2：68V
外壳：TO-270-2 鸥翼型
封装：TO-270-2 鸥翼型
料号：JTG9-13
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MW6S010GNR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S010GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S010GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S010GNR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MW6S010NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 68V 960MHZ TO270-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：960MHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：10W
2额定电压(V)2：68V
外壳：TO-270AA
封装：TO-270-2
料号：JTG9-14
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MW6S010NR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S010NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S010NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MW6S010NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PD55003-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
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7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：2.5A
4输出功率(W)4：3W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装：10-POWERSO
料号：JTG9-15
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PD57006-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：945MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：1A
4输出功率(W)4：6W
2额定电压(V)2：65V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-16
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD57006-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57006-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57006-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57006-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRFE6S9045NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:22.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:66V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：880MHz
6增益(dB)6：22.1dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：10W
2额定电压(V)2：66V
外壳：TO-270AA
封装：TO-270-2
料号：JTG9-17
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFE6S9045NR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6S9045NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6S9045NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6S9045NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD20015-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:22.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：11dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：7A
4输出功率(W)4：15W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-18
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD20015-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20015-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20015-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20015-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CGH40006S
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:22.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 6GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:84V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：0Hz ~ 6GHz
6增益(dB)6：12dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：8W
2额定电压(V)2：84V
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-QFN-EP（3X3）
料号：JTG9-19
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH40006S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40006S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40006S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH40006S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MRFE6S9060NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 66V 880MHZ TO270-2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:1kHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.7dB *7测试电压(V)*7:2.7V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:10dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:19dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30dBm *2额定电压(V)*2:18V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:16.6dB *7测试电压(V)*7:3V *3额定电流(A)*3:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20.4dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *4输出功率(W)*4:24.5dBm *2额定电压(V)*2:7V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:2.14GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:22.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:66V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:0Hz ~ 6GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:84V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:880MHz *6增益(dB)*6:21.1dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:14W *2额定电压(V)*2:66V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：880MHz
6增益(dB)6：21.1dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：14W
2额定电压(V)2：66V
外壳：TO-270AA
封装：TO-270-2
料号：JTG9-20
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFE6S9060NR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE6S9060NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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