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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BLS6G2735L-30,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：3.1GHz ~ 3.5GHz
6增益(dB)6：13dB
7测试电压(V)7：32V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：30W
2额定电压(V)2：60V
外壳：SOT-1135A
封装：CDFM2
料号：JTG9-181
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLS6G2735L-30,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS6G2735L-30,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS6G2735L-30,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS6G2735L-30,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CGHV27200F
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 50V 440162
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：2.5GHz ~ 2.7GHz
6增益(dB)6：15dB ~ 16dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：12A
4输出功率(W)4：200W
2额定电压(V)2：50V
外壳：440162
封装：440162
料号：JTG9-182
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGHV27200F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV27200F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV27200F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV27200F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLF888B,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：860MHz
6增益(dB)6：21dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：104V
外壳：SOT539A
封装：SOT539A
料号：JTG9-183
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF888B,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF888B,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF888B,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF888B,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CLF1G0035-100,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF MOSFET HEMT 50V SOT467C
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V
1晶体管类型1：GaN HEMT
5频率(Hz)5：3GHz
6增益(dB)6：12dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：100W
2额定电压(V)2：150V
外壳：SOT467C
封装：SOT467C
料号：JTG9-184
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CLF1G0035-100,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035-100,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035-100,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLF1G0035-100,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLA6G1011L-200RG,1
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.03GHz ~ 1.09GHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：49A
4输出功率(W)4：200W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502D
封装：LDMOST
料号：JTG9-185
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLA6G1011L-200RG,1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6G1011L-200RG,1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6G1011L-200RG,1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6G1011L-200RG,1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLA6G1011-200R,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.03GHz ~ 1.09GHz
6增益(dB)6：20dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：49A
4输出功率(W)4：200W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502A
封装：LDMOST
料号：JTG9-186
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLA6G1011-200R,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6G1011-200R,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLA6G1011-200R,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BLL8H1214L-250U
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.2GHz ~ 1.4GHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：100V
外壳：SOT-502A
封装：SOT502A
料号：JTG9-187
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLL8H1214L-250U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MMRF5014HR5
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 125V 2.5GHZ NI360
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：2.5GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：125W
2额定电压(V)2：125V
外壳：NI-360H-2SB
封装：NI-360H-2SB
料号：JTG9-188
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMRF5014HR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF5014HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF5014HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF5014HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BLS7G3135L-350P,11
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：3.5GHz
6增益(dB)6：10dB
7测试电压(V)7：32V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：320W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT539A
封装：SOT539A
料号：JTG9-189
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLS7G3135L-350P,11' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G3135L-350P,11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G3135L-350P,11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G3135L-350P,11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD20010TR-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：11dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：10W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-190
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD20010TR-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20010TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20010TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD20010TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PD54008-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：11.5dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：8W
2额定电压(V)2：25V
外壳：POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装：10-POWERSO
料号：JTG9-191
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PD85015-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 40V 870MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：15W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-192
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85015-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： PD55035-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：16.9dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：7A
4输出功率(W)4：35W
2额定电压(V)2：40V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-193
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD55035-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55035-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55035-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD55035-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PD57030-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：945MHz
6增益(dB)6：14dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：4A
4输出功率(W)4：30W
2额定电压(V)2：65V
外壳：POWERSO-10 裸露底部焊盘
封装：10-POWERSO
料号：JTG9-194
包装：
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合作现货:0
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型号： MRF6V2150NR1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： RF MOSFET LDMOS 50V TO270
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:220MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:110V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：220MHz
6增益(dB)6：25dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：150W
2额定电压(V)2：110V
外壳：TO-270AB
封装：TO-270 WB-4
料号：JTG9-195
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6V2150NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6V2150NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6V2150NR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BLF6G38LS-50,118
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:220MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：3.4GHz ~ 3.6GHz
6增益(dB)6：14dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：16.5A
4输出功率(W)4：9W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502B
封装：SOT502B
料号：JTG9-196
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF6G38LS-50,118' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF6G38LS-50,118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BLF6G38LS-50,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:220MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：3.4GHz ~ 3.6GHz
6增益(dB)6：14dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：16.5A
4输出功率(W)4：9W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502B
封装：SOT502B
料号：JTG9-197
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BLF7G10LS-250,118
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:220MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:920MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:19.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.8A *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：920MHz ~ 960MHz
6增益(dB)6：19.5dB
7测试电压(V)7：30V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：60W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502B
封装：SOT502B
料号：JTG9-198
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF7G10LS-250,118' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VRF2933FL
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:220MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:920MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:19.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.8A *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:170V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：30MHz
6增益(dB)6：22dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：42A
4输出功率(W)4：300W
2额定电压(V)2：170V
外壳：M177
封装：M177
料号：JTG9-199
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VRF2933FL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VRF2933FL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： ARF477FL
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF PWR MOSFET 500V 10A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.1GHz ~ 3.5GHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:60V 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:15dB ~ 16dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:50V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:104V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:GaN HEMT *5频率(Hz)*5:3GHz *6增益(dB)*6:12dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *4输出功率(W)*4:100W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:20dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:200W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.2GHz ~ 1.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:250W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:3.5GHz *6增益(dB)*6:10dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:320W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:10W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:11.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:15W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:16.9dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:35W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:30W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:220MHz *6增益(dB)*6:25dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:150W *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:3.4GHz ~ 3.6GHz *6增益(dB)*6:14dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *4输出功率(W)*4:9W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:920MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:19.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.8A *4输出功率(W)*4:60W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:30MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:42A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:300W *2额定电压(V)*2:170V 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:150V *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:400W *2额定电压(V)*2:500V
1晶体管类型1：2 N 沟道（双）共源
5频率(Hz)5：65MHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：150V
3额定电流(A)3：15A
4输出功率(W)4：400W
2额定电压(V)2：500V
外壳：-
封装：-
料号：JTG9-200
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ARF477FL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF477FL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF477FL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF477FL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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