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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： PTFA181001E V4 T500
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC FET RF LDMOS
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.805GHz ~ 1.88GHz
6增益(dB)6：16.5dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：45W
2额定电压(V)2：65V
外壳：2-扁平封装，叶片引线
封装：H-36248-2
料号：JTG9-2561
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PTFA181001E V4 T500' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA181001E V4 T500' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA181001E V4 T500' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA181001E V4 T500' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PTFA210701EV4T500XWSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC FET RF LDMOS
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.11GHz ~ 2.17GHz
6增益(dB)6：16.5dB
7测试电压(V)7：30V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：18W
2额定电压(V)2：65V
外壳：2-扁平封装，叶片引线
封装：H-36265-2
料号：JTG9-2562
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PTFA210701EV4T500XWSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA210701EV4T500XWSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA210701EV4T500XWSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA210701EV4T500XWSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PTFA180701FV4R0XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.805GHz ~ 1.88GHz
6增益(dB)6：16.5dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：70W
2额定电压(V)2：65V
外壳：
封装：
料号：JTG9-2563
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PTFA180701FV4R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA180701FV4R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA180701FV4R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFA180701FV4R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PTFB201402FCV1R0XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC AMP RF LDMOS H-37248-4
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：2.02GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：20W
2额定电压(V)2：65V
外壳：*
封装：*
料号：JTG9-2564
包装： *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PTFB201402FCV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB201402FCV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB201402FCV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB201402FCV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PTFB213208FVV1R0XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC AMP RF LDMOS H-34275G-6
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:
1晶体管类型1：
5频率(Hz)5：
6增益(dB)6：
7测试电压(V)7：
3额定电流(A)3：
4输出功率(W)4：
2额定电压(V)2：
外壳：
封装：
料号：JTG9-2565
包装： *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PTFB213208FVV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB213208FVV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB213208FVV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB213208FVV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PTFB241402FV1R0XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC AMP RF LDMOS H-37248-4-1
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:120mA *4输出功率(W)*4:110W
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：2.4GHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：30V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：110W
2额定电压(V)2：65V
外壳：*
封装：*
料号：JTG9-2566
包装： *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PTFB241402FV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB241402FV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB241402FV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PTFB241402FV1R0XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TAB182002FCV1R0XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC AMP RF LDMOS H-37248-4
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:120mA *4输出功率(W)*4:110W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:
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外壳：
封装：
料号：JTG9-2567
包装： *
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合作现货:0
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型号： BF1005W
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述：
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外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG9-2568
包装：
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合作现货:0
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型号： CGH60008D-GP4
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V DIE
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1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：6GHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：8W
2额定电压(V)2：84V
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG9-2569
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH60008D-GP4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH60008D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH60008D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH60008D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 475-501N44A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE475
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:120mA *4输出功率(W)*4:110W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:undefined 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:48A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：
6增益(dB)6：
7测试电压(V)7：
3额定电流(A)3：48A
4输出功率(W)4：1800W
2额定电压(V)2：500V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE475
料号：JTG9-2570
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '475-501N44A-00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '475-501N44A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '475-501N44A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '475-501N44A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 475-102N21A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE475
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1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
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4输出功率(W)4：1800W
2额定电压(V)2：1000V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE475
料号：JTG9-2571
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CGHV60040D-GP4
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 50V DIE
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:120mA *4输出功率(W)*4:110W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:undefined 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:48A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:24A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:65mA *4输出功率(W)*4:40W
1晶体管类型1：HEMT
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6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：50V
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4输出功率(W)4：40W
2额定电压(V)2：150V
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG9-2572
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV60040D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CGH60030D-GP4
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V DIE
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:120mA *4输出功率(W)*4:110W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:undefined 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:48A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:24A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:65mA *4输出功率(W)*4:40W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:30W
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：6GHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：30W
2额定电压(V)2：84V
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG9-2573
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH60030D-GP4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGH60030D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CG2H80030D-GP4
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V DIE
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封装：模具
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包装：
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型号： CGHV14800F
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 50V 440117
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外壳：440117
封装：440117
料号：JTG9-2575
包装：
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状态： 在售
型号： AFT31150NR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 32V OM-780-2
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:120mA *4输出功率(W)*4:110W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:undefined 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:48A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:24A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:65mA *4输出功率(W)*4:40W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:30W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:8GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:24A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:900W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.7GHz ~ 3.1GHz
6增益(dB)6：17.2dB
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3额定电流(A)3：10µA
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外壳：OM-780-2
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料号：JTG9-2576
包装： 50个/
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总额：
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 150-201N09A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE150
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1晶体管类型1：N 通道
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料号：JTG9-2577
包装： 管件
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXZH10N50L2B
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.17GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:18W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA *4输出功率(W)*4:70W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.02GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:20W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:2.4GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:120mA *4输出功率(W)*4:110W 系列:在售 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:undefined 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1: *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3: 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:48A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:24A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:65mA *4输出功率(W)*4:40W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:30W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:8GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:30W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:1.4GHz *6增益(dB)*6:14.5dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:24A 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:900W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.7GHz ~ 3.1GHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:150W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：70MHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：100V
3额定电流(A)3：10A
4输出功率(W)4：200W
2额定电压(V)2：500V
外壳：TO-247-3
封装：TO-247（IXFH）
料号：JTG9-2578
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXZH10N50L2B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 275-501N16A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE275
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外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE275
料号：JTG9-2579
包装： 管件
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状态： 在售
型号： 150-501N04A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE150
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1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：-
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2额定电压(V)2：500V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE150
料号：JTG9-2580
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '150-501N04A-00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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