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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： J211-D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： JFET N-CH 25V 20MA TO92
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：20mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG9-2601
包装： 1个/
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合作现货:0
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型号： AFM907NT1
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：136MHz ~ 941MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10.8V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：8.4W
2额定电压(V)2：30V
外壳：16-VDFN 裸焊盘
封装：16-DFN（6X4）
料号：JTG9-2602
包装： 1000个/
￥17.47 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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型号： MRF085HR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：1.8MHz ~ 1.215GHz
6增益(dB)6：25.6dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：7µA
4输出功率(W)4：85W
2额定电压(V)2：133V
外壳：NI-650H-4L
封装：NI-650H-4L
料号：JTG9-2603
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF085HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF1K50GNR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 50 OM1230G
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.8MHz ~ 500MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：1500W
2额定电压(V)2：50V
外壳：OM-1230G-4L
封装：OM-1230G-4L
料号：JTG9-2604
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1K50GNR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF1K50NR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.8MHz ~ 500MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：1500W
2额定电压(V)2：50V
外壳：OM-1230-4L
封装：OM-1230-4L
料号：JTG9-2605
包装： 50个/
￥1.16 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1K50NR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1K50NR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1K50NR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRFX1K80HR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：1.8MHz ~ 470MHz
6增益(dB)6：24dB
7测试电压(V)7：65V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：1800W
2额定电压(V)2：182V
外壳：NI-1230H-4S
封装：NI-1230H-4S
料号：JTG9-2606
包装： 50个/
￥1.16 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AFV10700HSR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W
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7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：770W
2额定电压(V)2：105V
外壳：NI-780S-4L
封装：NI-780S-4L
料号：JTG9-2607
包装： 50个/
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型号： AFV10700HR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W
1晶体管类型1：LDMOS（双）
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4输出功率(W)4：770W
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型号： BF998E6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道
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7测试电压(V)7：8V
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外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：PG-SOT143-4
料号：JTG9-2609
包装：
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： BF2040E6814HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF MOSFET N-CH 5V SOT143-4
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：800MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：5V
3额定电流(A)3：40mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：8V
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：PG-SOT143-4
料号：JTG9-2610
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF2040E6814HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： BLC2425M9LS250Z
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.45GHz
6增益(dB)6：18.5dB
7测试电压(V)7：32V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-1270-1
封装：
料号：JTG9-2611
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLC2425M9LS250Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 275-102N06A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE275
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：8A
4输出功率(W)4：590W
2额定电压(V)2：1000V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE275
料号：JTG9-2612
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '275-102N06A-00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '275-102N06A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '275-102N06A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '275-102N06A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ARF463AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:100W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：81.36MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：125V
3额定电流(A)3：9A
4输出功率(W)4：100W
2额定电压(V)2：500V
外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG9-2613
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ARF463AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF463AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF463AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ARF463AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IXZ308N120
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE375
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:100W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W
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参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:100W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:390W
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE375
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:100W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:390W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:940W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：
6增益(dB)6：
7测试电压(V)7：
3额定电流(A)3：15A
4输出功率(W)4：940W
2额定电压(V)2：1000V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE375
料号：JTG9-2617
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '375-102N15A-00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '375-102N15A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '375-102N15A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '375-102N15A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CGHV1J006D-GP4
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 40V DIE
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:100W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:390W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:940W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:18GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:40V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:6W
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：18GHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：40V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：6W
2额定电压(V)2：100V
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG9-2618
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGHV1J006D-GP4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV1J006D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV1J006D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGHV1J006D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 275X2-102N06A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:100W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:390W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:940W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:18GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:40V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:6W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:2 N-通道（双） *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1180W
1晶体管类型1：2 N-通道（双）
5频率(Hz)5：
6增益(dB)6：
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3额定电流(A)3：8A
4输出功率(W)4：1180W
2额定电压(V)2：1000V
外壳：8-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE275
料号：JTG9-2619
包装： 管件
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合作现货:0
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型号： IXZ316N60
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE375
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:20mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:136MHz ~ 941MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10.8V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:8.4W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:25.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:7µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 500MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1500W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:1800W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:770W 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:45MHz *6增益(dB)*6:28dB *7测试电压(V)*7:8V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:800MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:5V *3额定电流(A)*3:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:250W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:590W 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:81.36MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:125V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:100W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:200W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:70MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:390W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:15A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:940W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:18GHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:40V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:30mA *4输出功率(W)*4:6W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:2 N-通道（双） *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1180W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：65MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：100V
3额定电流(A)3：18A
4输出功率(W)4：880W
2额定电压(V)2：600V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE375
料号：JTG9-2620
包装： 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZ316N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZ316N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZ316N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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