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元器件型号：3308 件
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状态： 在售
型号： IXZR08N120B-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：65MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：100V
3额定电流(A)3：8A
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：1200V
外壳：TO-247-3
封装：PLUS247™-3
料号：JTG9-2621
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXZR08N120B-00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR08N120B-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IXZR08N120A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：65MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：100V
3额定电流(A)3：8A
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：1200V
外壳：TO-247-3
封装：PLUS247™-3
料号：JTG9-2622
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXZR08N120A-00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR08N120A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR08N120A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR08N120A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IXZR08N120
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：65MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：100V
3额定电流(A)3：8A
4输出功率(W)4：250W
2额定电压(V)2：1200V
外壳：TO-247-3
封装：PLUS247™-3
料号：JTG9-2623
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXZR08N120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR08N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR08N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR08N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 475-102N20A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE475
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：
6增益(dB)6：
7测试电压(V)7：
3额定电流(A)3：20A
4输出功率(W)4：1800W
2额定电压(V)2：1000V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE475
料号：JTG9-2624
包装： 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '475-102N20A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '475-102N20A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '475-102N20A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 275-101N30A-00
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL DE275
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：30A
4输出功率(W)4：550W
2额定电压(V)2：100V
外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：DE275
料号：JTG9-2625
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '275-101N30A-00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '275-101N30A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '275-101N30A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '275-101N30A-00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IXZR16N60
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：65MHz
6增益(dB)6：23dB
7测试电压(V)7：23dB
3额定电流(A)3：18A
4输出功率(W)4：350W
2额定电压(V)2：600V
外壳：TO-247-3
封装：PLUS247™-3
料号：JTG9-2626
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXZR16N60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR16N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR16N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXZR16N60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CGH60015D-GP4
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF MOSFET HEMT 28V DIE
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：6GHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：15W
2额定电压(V)2：84V
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG9-2627
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGH60015D-GP4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： IXZ318N50
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： RF MOSFET N-CHANNEL
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包装： 管件
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
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包装：
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型号： BLC8G09XS-400AVTZ
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W
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7测试电压(V)7：32V
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4输出功率(W)4：540W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-1258-7
封装：SOT-1258-7
料号：JTG9-2632
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BLS7G2325L-105,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.3GHz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:5µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:110W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.3GHz ~ 2.5GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：5µA
4输出功率(W)4：110W
2额定电压(V)2：65V
外壳：SOT-502A
封装：SOT502A
料号：JTG9-2633
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G2325L-105,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G2325L-105,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLS7G2325L-105,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PRFX1K80HR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF FET 65V 1800W
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.3GHz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:5µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:24dB *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：1.8MHz ~ 470MHz
6增益(dB)6：24dB
7测试电压(V)7：24dB
3额定电流(A)3：100mA
4输出功率(W)4：1800W
2额定电压(V)2：182V
外壳：SOT-979A
封装：NI-1230-4H
料号：JTG9-2634
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PRFX1K80HR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PRFX1K80HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PRFX1K80HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PRFX1K80HR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PRF13750HR9
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF FET 915MHZ 750W
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外壳：SOT-979A
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料号：JTG9-2635
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合作现货:0
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型号： LET9045STR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.3GHz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:5µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:24dB *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:* 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:20.6dB *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:650W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W
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外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
封装：POWERSO-10RF（直引线）
料号：JTG9-2636
包装：
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型号： LET9045TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.3GHz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:5µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:24dB *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:* 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:20.6dB *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:650W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W
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外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
封装：POWERSO-10RF（成形引线）
料号：JTG9-2637
包装：
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型号： BLP05H635XRGY
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.3GHz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:5µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:24dB *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:* 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:20.6dB *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:650W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:35W
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：108MHz
6增益(dB)6：27dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：35W
2额定电压(V)2：135V
外壳：SOT-1224-2
封装：
料号：JTG9-2638
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLP05H635XRGY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： CG2H80015D-GP4
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： RF DISCRETE
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.3GHz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:5µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:24dB *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:* 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:20.6dB *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:650W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:35W 系列:* 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:-
1晶体管类型1：-
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：-
外壳：
封装：
料号：JTG9-2639
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CG2H80015D-GP4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CG2H80015D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CG2H80015D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CG2H80015D-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLP05H675XRGY
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
参数： 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:8A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:250W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W 系列:DE 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:550W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:23dB *3额定电流(A)*3:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:GaN 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:6GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:15W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:880W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:350W 系列:Z-MOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS-RF 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:65MHz *6增益(dB)*6:23dB *7测试电压(V)*7:100V *3额定电流(A)*3:19A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:350W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:791MHz ~ 960MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:2.8µA 噪声系数:- 电流 - 测试:880mA *4输出功率(W)*4:540W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.3GHz ~ 2.5GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:5µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:24dB *3额定电流(A)*3:100mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:1800W 系列:* 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:20.6dB *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:650W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz *6增益(dB)*6:18.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *4输出功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:35W 系列:* 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双），共源 *5频率(Hz)*5:108MHz *6增益(dB)*6:27dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:75W
1晶体管类型1：LDMOS（双），共源
5频率(Hz)5：108MHz
6增益(dB)6：27dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：75W
2额定电压(V)2：135V
外壳：SOT-1224-2
封装：
料号：JTG9-2640
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLP05H675XRGY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLP05H675XRGY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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