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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： A3G18H500-04SR3
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：1.805GHz ~ 1.88GHz
6增益(dB)6：15.4dB
7测试电压(V)7：48V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：107W
2额定电压(V)2：125V
外壳：NI-780S-4L
封装：NI-780S-4L
料号：JTG9-2821
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A3G18H500-04SR3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A3G18H500-04SR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A3G18H500-04SR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A3G18H500-04SR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AFT18H356-24SR6
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：-
5频率(Hz)5：1.88GHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：63W
2额定电压(V)2：65V
外壳：NI-1230-4LS2L
封装：NI-1230-4LS2L
料号：JTG9-2822
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT18H356-24SR6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT18H356-24SR6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT18H356-24SR6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT18H356-24SR6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MHT1004GNR3
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2 GULL
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.45GHz
6增益(dB)6：15.2dB
7测试电压(V)7：32V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：280W
2额定电压(V)2：65V
外壳：OM-780G-2L
封装：OM-780G-2L
料号：JTG9-2823
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MHT1004GNR3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MHT1004GNR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MHT1004GNR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MHT1004GNR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MHT1004NR3
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.45GHz
6增益(dB)6：15.2dB
7测试电压(V)7：32V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：280W
2额定电压(V)2：65V
外壳：OM-780-2
封装：OM-780-2
料号：JTG9-2824
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MHT1004NR3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MHT1004NR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MHT1004NR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MHT1004NR3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRFE8VP8600HSR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：860MHz
6增益(dB)6：21dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：20µA
4输出功率(W)4：140W
2额定电压(V)2：115V
外壳：NI-1230S-4S
封装：NI-1230S-4S
料号：JTG9-2825
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFE8VP8600HSR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE8VP8600HSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE8VP8600HSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFE8VP8600HSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： A2T21H450W19SR6
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.11GHz ~ 2.2GHz
6增益(dB)6：15.7dB
7测试电压(V)7：30V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：390W
2额定电压(V)2：65V
外壳：NI-1230S-4S4S
封装：NI-1230S-4S4S
料号：JTG9-2826
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A2T21H450W19SR6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2T21H450W19SR6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2T21H450W19SR6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A2T21H450W19SR6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF8VP13350NR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：700MHz ~ 1.3GHz
6增益(dB)6：19.2dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：350W
2额定电压(V)2：100V
外壳：OM-780-4L
封装：OM-780-4L
料号：JTG9-2827
包装：
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合作现货:0
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型号： MMRF5017HSR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V
1晶体管类型1：HEMT
5频率(Hz)5：30MHz ~ 2.2GHz
6增益(dB)6：18.4dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：125W
2额定电压(V)2：150V
外壳：
封装：
料号：JTG9-2828
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMRF5017HSR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF5017HSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF5017HSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF5017HSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMRF1008GHR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：900MHz ~ 1.215GHz
6增益(dB)6：20.3dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：100µA
4输出功率(W)4：275W
2额定电压(V)2：100V
外壳：NI-780GH-2L
封装：NI-780GH-2L
料号：JTG9-2829
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMRF1008GHR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1008GHR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1008GHR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMRF1008GHR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MRF6V12500GSR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：960MHz ~ 1.215GHz
6增益(dB)6：19.7dB
7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：200µA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：110V
外壳：NI-780S-2 GW
封装：NI-780S-2 鸥翼型
料号：JTG9-2830
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF6V12500GSR5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6V12500GSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6V12500GSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF6V12500GSR5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRF13750HSR5
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V
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7测试电压(V)7：50V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：750W
2额定电压(V)2：105V
外壳：NI-1230S-4S
封装：NI-1230S-4S
料号：JTG9-2831
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AFV10700H-1090
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF POWER TRANSISTORS
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:770W *2额定电压(V)*2:105V
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外壳：NI-780-4
封装：NI-780-4
料号：JTG9-2832
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFV10700H-1090' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRF13750H-915MHZ
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： MRF13750H-915MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:770W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:650W *2额定电压(V)*2:105V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：700MHz ~ 1.3GHz
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3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：650W
2额定电压(V)2：105V
外壳：SOT-979A
封装：NI-1230H-4S
料号：JTG9-2833
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF13750H-915MHZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRFX1K80H-128MHZ
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： MRFX1K80H-128MHZ
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封装：NI-1230H-4S
料号：JTG9-2834
包装：
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型号： MRFX1K80H-230MHZ
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： MRFX1K80H-230MHZ
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描述： MRFX1K80H-27MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:770W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:650W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V
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封装：NI-1230H-4S
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包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFX1K80H-27MHZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80H-27MHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80H-27MHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80H-27MHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRFX1K80H-88MHZ
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： MRFX1K80H-88MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:770W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:650W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V
1晶体管类型1：LDMOS（双）
5频率(Hz)5：1.8MHz ~ 470MHz
6增益(dB)6：24dB
7测试电压(V)7：65V
3额定电流(A)3：10µA
4输出功率(W)4：1800W
2额定电压(V)2：182V
外壳：NI-1230H-4S
封装：NI-1230H-4S
料号：JTG9-2837
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRFX1K80H-88MHZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80H-88MHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80H-88MHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRFX1K80H-88MHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： LET9070FB
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF MOSFET LDMOS 28V M250
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:770W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:650W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:80V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：945MHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：1µA
4输出功率(W)4：70W
2额定电压(V)2：80V
外壳：M250
封装：M250
料号：JTG9-2838
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LET9070FB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9070FB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9070FB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LET9070FB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 2N5245_L99Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC AMP RF N-CHAN 30V 10A TO-92
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:770W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:650W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：
6增益(dB)6：
7测试电压(V)7：
3额定电流(A)3：15mA
4输出功率(W)4：
2额定电压(V)2：30V
外壳：
封装：TO-92-3
料号：JTG9-2839
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5245_L99Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5245_L99Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： BLF7G27L-135,118
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.805GHz ~ 1.88GHz *6增益(dB)*6:15.4dB *7测试电压(V)*7:48V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:107W *2额定电压(V)*2:125V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:- *5频率(Hz)*5:1.88GHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.1A *4输出功率(W)*4:63W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.45GHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:32V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:280W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:860MHz *6增益(dB)*6:21dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:20µA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A *4输出功率(W)*4:140W *2额定电压(V)*2:115V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.11GHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:15.7dB *7测试电压(V)*7:30V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *4输出功率(W)*4:390W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:350W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HEMT *5频率(Hz)*5:30MHz ~ 2.2GHz *6增益(dB)*6:18.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:125W *2额定电压(V)*2:150V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:20.3dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:100µA 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:275W *2额定电压(V)*2:100V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:960MHz ~ 1.215GHz *6增益(dB)*6:19.7dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:200µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:110V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.4dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:750W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.03GHz ~ 1.09GHz *6增益(dB)*6:19.2dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:770W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:700MHz ~ 1.3GHz *6增益(dB)*6:20.6dB *7测试电压(V)*7:50V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:650W *2额定电压(V)*2:105V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS（双） *5频率(Hz)*5:1.8MHz ~ 470MHz *6增益(dB)*6:24dB *7测试电压(V)*7:65V *3额定电流(A)*3:10µA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4:1800W *2额定电压(V)*2:182V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1µA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *4输出功率(W)*4:70W *2额定电压(V)*2:80V 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5: *6增益(dB)*6: *7测试电压(V)*7: *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数: 电流 - 测试: *4输出功率(W)*4: *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.6GHz ~ 2.7GHz *6增益(dB)*6:16.5dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *4输出功率(W)*4:25W *2额定电压(V)*2:25W
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.6GHz ~ 2.7GHz
6增益(dB)6：16.5dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：25W
2额定电压(V)2：25W
外壳：SOT-502A
封装：LDMOST
料号：JTG9-2840
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLF7G27L-135,118' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF7G27L-135,118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF7G27L-135,118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLF7G27L-135,118' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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