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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BF861A,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 25V 6.5MA SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：6.5mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-281
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF861A,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF861A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF512,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 20V 30MA SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：100MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：20V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-282
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF512,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF512,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF512,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF512,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BF511,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： JFET N-CH 20V 30MA SOT23
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：100MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：20V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-283
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF511,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF511,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF511,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF511,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BF510,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF MOSFET N-CH JFET 10V TO236AB
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V
1晶体管类型1：N 通道 JFET
5频率(Hz)5：100MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：10V
3额定电流(A)3：30mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：20V
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG9-284
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF510,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF510,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF510,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE3510M04-T2-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 4V 4GHZ M04
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V
1晶体管类型1：HFET
5频率(Hz)5：4GHz
6增益(dB)6：16dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：97mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：4V
外壳：SOT-343F
封装：M04
料号：JTG9-285
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3510M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3510M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3510M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3510M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CE3514M4-C2
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF MOSFET PHEMT FET 2V
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：12GHz
6增益(dB)6：12.2dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：68mA
4输出功率(W)4：125mW
2额定电压(V)2：4V
外壳：
封装：
料号：JTG9-286
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CE3514M4-C2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CE3514M4-C2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CE3514M4-C2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CE3514M4-C2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CE3512K2-C1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：12GHz
6增益(dB)6：13.7dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：15mA
4输出功率(W)4：125mW
2额定电压(V)2：4V
外壳：4-MICRO-X
封装：4-MICRO-X
料号：JTG9-287
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CE3512K2-C1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CE3512K2-C1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE3511S02-T1C-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： IC AMP RF LNA 13.5DB S02
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V
1晶体管类型1：HFET
5频率(Hz)5：12GHz
6增益(dB)6：13.5dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：70mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：4V
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：S02
料号：JTG9-288
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3511S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3511S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3511S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3511S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NE3515S02-T1C-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V
1晶体管类型1：HFET
5频率(Hz)5：12GHz
6增益(dB)6：12.5dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：88mA
4输出功率(W)4：14dBm
2额定电压(V)2：4V
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：S02
料号：JTG9-289
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3515S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3515S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3515S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3515S02-T1C-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2SK2854(TE12L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET RF N CH 10V 500MA
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：849MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：-
3额定电流(A)3：500mA
4输出功率(W)4：23dBmW
2额定电压(V)2：10V
外壳：TO-243AA
封装：PW-MINI
料号：JTG9-290
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2854(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2854(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2854(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2854(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NE3509M04-T2-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 4V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V
1晶体管类型1：HFET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：17.5dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：60mA
4输出功率(W)4：11dBm
2额定电压(V)2：4V
外壳：SOT-343F
封装：M04
料号：JTG9-291
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3509M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3509M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3509M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3509M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： AFT05MS004NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 30V 520MHZ PLD
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：20.9dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：4.9W
2额定电压(V)2：30V
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG9-292
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT05MS004NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS004NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS004NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS004NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ATF-34143-TR1G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V
1晶体管类型1：pHEMT FET
5频率(Hz)5：2GHz
6增益(dB)6：17.5dB
7测试电压(V)7：4V
3额定电流(A)3：145mA
4输出功率(W)4：20dBm
2额定电压(V)2：5.5V
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG9-293
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATF-34143-TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-34143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-34143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATF-34143-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AFT05MS006NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 30V 520MHZ PLD
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：18.3dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：6W
2额定电压(V)2：30V
外壳：PLD-1.5W-2
封装：PLD-1.5W-2
料号：JTG9-294
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT05MS006NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS006NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS006NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT05MS006NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NE3511S02-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： HJ-FET NCH 13.5DB S02
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V
1晶体管类型1：HFET
5频率(Hz)5：12GHz
6增益(dB)6：13.5dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：70mA
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：4V
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：S02
料号：JTG9-295
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3511S02-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3511S02-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3511S02-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD84002
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 25V 870MHZ
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：2A
4输出功率(W)4：2W
2额定电压(V)2：25V
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG9-296
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD84002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AFT09MS007NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：15.2dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：7.3W
2额定电压(V)2：30V
外壳：PLD-1.5W-2
封装：PLD-1.5W-2
料号：JTG9-297
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT09MS007NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT09MS007NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT09MS007NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT09MS007NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VMMK-1225-BLKG
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： FET RF 5V 12GHZ 0402
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:8dBm *2额定电压(V)*2:5V
1晶体管类型1：E-pHEMT
5频率(Hz)5：12GHz
6增益(dB)6：11dB
7测试电压(V)7：2V
3额定电流(A)3：50mA
4输出功率(W)4：8dBm
2额定电压(V)2：5V
外壳：0402（1005 公制）
封装：402
料号：JTG9-298
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMMK-1225-BLKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMMK-1225-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMMK-1225-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMMK-1225-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RFM03U3CT(TE12L)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N-CH RF-CST3
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:8dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:3.6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:16V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：14.8dB
7测试电压(V)7：3.6V
3额定电流(A)3：3A
4输出功率(W)4：3W
2额定电压(V)2：16V
外壳：2-SMD，无引线，裸露焊盘
封装：RF-CST3
料号：JTG9-299
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RFM03U3CT(TE12L)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM03U3CT(TE12L)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM03U3CT(TE12L)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM03U3CT(TE12L)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SK3075(TE12L,Q)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:6.5mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 JFET *5频率(Hz)*5:100MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:10V *3额定电流(A)*3:30mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:5mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:4GHz *6增益(dB)*6:16dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.2dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.7dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:125mW *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:12.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:14dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:849MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:- *3额定电流(A)*3:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *4输出功率(W)*4:23dBmW *2额定电压(V)*2:10V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:11dBm *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:20.9dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:4.9W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:pHEMT FET *5频率(Hz)*5:2GHz *6增益(dB)*6:17.5dB *7测试电压(V)*7:4V *3额定电流(A)*3:145mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *4输出功率(W)*4:20dBm *2额定电压(V)*2:5.5V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:18.3dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:HFET *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:13.5dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:4V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.2dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:7.3W *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:E-pHEMT *5频率(Hz)*5:12GHz *6增益(dB)*6:11dB *7测试电压(V)*7:2V *3额定电流(A)*3:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:20mA *4输出功率(W)*4:8dBm *2额定电压(V)*2:5V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:14.8dB *7测试电压(V)*7:3.6V *3额定电流(A)*3:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *4输出功率(W)*4:3W *2额定电压(V)*2:16V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：11.7dB
7测试电压(V)7：9.6V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：7.5W
2额定电压(V)2：30V
外壳：TO-271AA
封装：PW-X
料号：JTG9-300
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK3075(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3075(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3075(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3075(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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