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元器件型号：3308 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： RFM08U9X(TE12L,Q)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N-CH PW-X
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：11.7dB
7测试电压(V)7：9.6V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：7.5W
2额定电压(V)2：36V
外壳：TO-271AA
封装：PW-X
料号：JTG9-301
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RFM08U9X(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM08U9X(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TPH3202LD
品牌： Transphorm
描述： RF FET 600V 9A PQFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：1MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：480V
3额定电流(A)3：9A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：600V
外壳：*
封装：*
料号：JTG9-302
包装： *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3202LD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202LD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202LD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3202LD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AFT09MS015NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5W
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：17.2dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：16W
2额定电压(V)2：40V
外壳：PLD-1.5W-2
封装：PLD-1.5W-2
料号：JTG9-303
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT09MS015NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT09MS015NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT09MS015NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT09MS015NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PD85006L-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF POWER POWERFLAT5X5
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：17dB
7测试电压(V)7：13.6V
3额定电流(A)3：2A
4输出功率(W)4：5W
2额定电压(V)2：40V
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X5）
料号：JTG9-304
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD85006L-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85006L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD85006L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： MRF1518NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：13dB
7测试电压(V)7：12.5V
3额定电流(A)3：4A
4输出功率(W)4：8W
2额定电压(V)2：40V
外壳：PLD-1.5
封装：PLD-1.5
料号：JTG9-305
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1518NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1518NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1518NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1518NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AFT27S006NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：2.17GHz
6增益(dB)6：22dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：28.8dBm
2额定电压(V)2：65V
外壳：PLD-1.5W-2
封装：PLD-1.5W-2
料号：JTG9-306
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFT27S006NT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'FREESCALE/飞思卡尔' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT27S006NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT27S006NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFT27S006NT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RFM12U7X(TE12L,Q)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N-CH PW-X
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V
1晶体管类型1：N 通道
5频率(Hz)5：520MHz
6增益(dB)6：10.8dB
7测试电压(V)7：7.2V
3额定电流(A)3：4A
4输出功率(W)4：12W
2额定电压(V)2：20V
外壳：TO-271AA
封装：PW-X
料号：JTG9-307
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RFM12U7X(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM12U7X(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM12U7X(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RFM12U7X(TE12L,Q)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： TPH3206PS
品牌： Transphorm
描述： RF FET 600V 17A TO220
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：1MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：480V
3额定电流(A)3：17A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：600V
外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG9-308
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3206PS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TPH3206PD
品牌： Transphorm
描述： 600 V 17 A CASCODE GAN FET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：1MHz
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：*
3额定电流(A)3：17A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：600V
外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG9-309
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3206PD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD54008L-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：500MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：5A
4输出功率(W)4：8W
2额定电压(V)2：25V
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X5）
料号：JTG9-310
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD54008L-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD54008L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD54008L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD54008L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD84008L-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： FET RF 25V 870MHZ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：870MHz
6增益(dB)6：15.5dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：7A
4输出功率(W)4：2W
2额定电压(V)2：25V
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X5）
料号：JTG9-311
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD84008L-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84008L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84008L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD84008L-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NE5550779A-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 30V 900MHZ 79A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：900MHz
6增益(dB)6：22dB
7测试电压(V)7：7.5V
3额定电流(A)3：2.1A
4输出功率(W)4：38.5dBm
2额定电压(V)2：30V
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：79A
料号：JTG9-312
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE5550779A-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE5550779A-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE5550779A-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE5550779A-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： TPH3208PS
品牌： Transphorm
描述： RF FET 650V 20A TO220
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：400V
3额定电流(A)3：20A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：650V
外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG9-313
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3208PS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208PS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPH3208PD
品牌： Transphorm
描述： 650 V 21 A CASCODE GAN FET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：400V
3额定电流(A)3：20A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：650V
外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG9-314
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3208PD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208PD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPH3206LD
品牌： Transphorm
描述： RF FET 600V 17A PQFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：-
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外壳：*
封装：*
料号：JTG9-315
包装： *
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合作现货:0
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型号： TPH3206LS
品牌： Transphorm
描述： 600 V 17 A CASCODE GAN FET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:* *6增益(dB)*6:* *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V
1晶体管类型1：FET
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7测试电压(V)7：480V
3额定电流(A)3：17A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：600V
外壳：*
封装：*
料号：JTG9-316
包装： *
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206LS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206LS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3206LS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD57006STR-E
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:* *6增益(dB)*6:* *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：945MHz
6增益(dB)6：15dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：1A
4输出功率(W)4：6W
2额定电压(V)2：65V
外壳：POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
封装：POWERSO-10RF（直引线）
料号：JTG9-317
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD57006STR-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57006STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57006STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD57006STR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MMRF1014NT1
品牌： FREESCALE/飞思卡尔
描述： FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:* *6增益(dB)*6:* *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V
1晶体管类型1：LDMOS
5频率(Hz)5：1.96GHz
6增益(dB)6：18dB
7测试电压(V)7：28V
3额定电流(A)3：-
4输出功率(W)4：4W
2额定电压(V)2：68V
外壳：PLD-1.5
封装：PLD-1.5
料号：JTG9-318
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： TPH3208LD
品牌： Transphorm
描述： RF FET 650V 20A PQFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:* *6增益(dB)*6:* *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：400V
3额定电流(A)3：20A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：650V
外壳：*
封装：*
料号：JTG9-319
包装： *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3208LD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208LD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： TPH3208LS
品牌： Transphorm
描述： 650 V 21 A CASCODE GAN FET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:11.7dB *7测试电压(V)*7:9.6V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:7.5W *2额定电压(V)*2:36V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:5.5A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17.2dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *4输出功率(W)*4:16W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:17dB *7测试电压(V)*7:13.6V *3额定电流(A)*3:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:5W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:13dB *7测试电压(V)*7:12.5V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:40V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:2.17GHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:28.8dBm *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:N 通道 *5频率(Hz)*5:520MHz *6增益(dB)*6:10.8dB *7测试电压(V)*7:7.2V *3额定电流(A)*3:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *4输出功率(W)*4:12W *2额定电压(V)*2:20V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:1MHz *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:* *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:* *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:500MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *4输出功率(W)*4:8W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:870MHz *6增益(dB)*6:15.5dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *4输出功率(W)*4:2W *2额定电压(V)*2:25V 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:900MHz *6增益(dB)*6:22dB *7测试电压(V)*7:7.5V *3额定电流(A)*3:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *4输出功率(W)*4:38.5dBm *2额定电压(V)*2:30V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:* *6增益(dB)*6:* *7测试电压(V)*7:480V *3额定电流(A)*3:17A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:600V 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:945MHz *6增益(dB)*6:15dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *4输出功率(W)*4:6W *2额定电压(V)*2:65V 制造商统称:FREESCALE/飞思卡尔 制造商统称:Freescale Semiconductor - NXP 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:LDMOS *5频率(Hz)*5:1.96GHz *6增益(dB)*6:18dB *7测试电压(V)*7:28V *3额定电流(A)*3:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *4输出功率(W)*4:4W *2额定电压(V)*2:68V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:13A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型*1:FET *5频率(Hz)*5:- *6增益(dB)*6:- *7测试电压(V)*7:400V *3额定电流(A)*3:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:11A *4输出功率(W)*4:- *2额定电压(V)*2:650V
1晶体管类型1：FET
5频率(Hz)5：-
6增益(dB)6：-
7测试电压(V)7：400V
3额定电流(A)3：20A
4输出功率(W)4：-
2额定电压(V)2：650V
外壳：*
封装：*
料号：JTG9-320
包装： *
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPH3208LS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPH3208LS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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